公开(公告)号：CN102834990B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180017099.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一 ,  江川满 ,  苫米地秀一 ,  植竹理人

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2081 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。

公开(公告)号：CN102834990A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017099.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥村滋一 ,  江川满 ,  苫米地秀一 ,  植竹理人

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/2081 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。