公开(公告)号：CN1147729A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96111842.3

申请日：1996-08-15

Applicant: TEMIC德律风根微电子有限公司

Inventor： 汉斯-比特·佛思尼尔 ,  乌尔里奇·曼 ,  西蒙·思图姆

IPC: H03J7/08

CPC classification number: H03J3/185 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1293 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/0208

Abstract: 通过改变电容二极管(D)的馈入电压(UD)来调谐谐振电路的调谐方法，该谐振电路由至少一个线圈(L0)、一个电容器(C0)和一个具有一复阻抗(Z)特性的电容二极管(D)组成，其特征在于，馈入电压(UD)在电容二极管(D)的截止区(UD 0V)取值。

公开(公告)号：CN1135680A

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：CN96101425.3

申请日：1996-02-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 冈学 ,  Y·中岛 ,  菊岛正幸 ,  下平和彦

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03H9/0542 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H03B5/32 ,  H03B5/368 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/0291 ,  H03J2200/10 ,  Y10T29/42 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在内装半导体集成电路和压电振子的压电振荡器和内装半导体集成电路、压电振子和其他电子元件的电压控制振荡器中，提供一种小型且薄型的表面安装式的压电振荡器和电压控制振荡器。压电振子使用截面形状呈椭圆或跑道形状(长圆形)的压电振子，利用树脂封装半导体集成电路和电子元件而构成压电振荡器和电压控制振荡器。

公开(公告)号：CN107026644A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611120152.0

申请日：2016-12-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 板坂洋佑

IPC: H03L1/02 ,  H03H9/19

CPC classification number: H03L1/04 ,  H03B5/24 ,  H03B5/32 ,  H03B5/362 ,  H03B5/368 ,  H03B2200/0038 ,  H03B2201/0208 ,  H03L1/028 ,  H03L1/02 ,  H03H9/19

Abstract: 提供振荡器、电子设备以及移动体，振荡器降低振动体的阻抗的温度依赖性或者可变电容元件的灵敏度的温度依赖性对振荡频率带来的影响，从而具有高精度的频率温度特性。该振荡器具有：振荡级电路，其连接于振动体的第1电极与第2电极之间，进行振荡动作；可变电容元件，其与振动体的第1或者第2电极连接，调节振荡频率；带隙参考电路，其使用插入到电流路径的电阻，生成大小根据温度而变化的参考电压，电流路径中流过大小根据温度而变化的电流；以及偏置电流生成电路，其根据参考电压生成振荡级电路的偏置电流，由此降低由振动体的阻抗的温度依赖性或者可变电容元件的灵敏度的温度依赖性导致的振荡频率的变动。

公开(公告)号：CN103916082B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410002967.3

申请日：2014-01-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·A·爱因斯潘 ,  R·克尔卡尔 ,  A·R·马兰迪 ,  R·M·马兰迪

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1265 ,  G06F17/5045 ,  H03B5/04 ,  H03B5/1206 ,  H03B5/1212 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1253 ,  H03B7/02 ,  H03B7/06 ,  H03B2200/004 ,  H03B2200/005 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2202/042 ,  H03L1/00 ,  H03L7/04

Abstract: 本发明公开涉及用于电感‑电容压控振荡器的设计结构。本发明的实施例提供了用于补偿LC‑振荡回路VCO的振荡频率(FOO)的变化的设计结构与方法，该设计结构包括第一节点；第二节点；电感器；允许设计结构获得目标FOO的第一电容性网络(FCN)；补偿设计结构的FOO的变化的补偿电容性网络(CCN)；允许设计结构获得期望FOO的第二电容性网络(SCN)；向SCN供应电压并且耦合到SCN的滤波器；补偿设计结构的FOO的变化的跨导体；及耦合到SCN、生成并向CCN供应足以允许CCN补偿设计结构的FOO的减小的电压的子电路。第一和第二节点耦合到电感器、FCN、CCN、SCN和子电路。

公开(公告)号：CN104242822B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410256393.2

申请日：2014-06-10

Applicant: 晨星半导体股份有限公司

Inventor： 洪志铭 ,  李约廷 ,  林正杰 ,  王耀祺 ,  颜仕杰

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03L1/00 ,  H03B5/36 ,  H03B2201/0208

Abstract: 本发明提出一种通讯装置，其包含一振荡信号源、一可调式电容阵列、一框计数器、及一控制模块。当该通讯装置操作于一第一模式，该控制模块控制该可调式电容阵列补偿该振荡信号源的一第一频偏量；当该通讯装置操作于一第二模式，该控制模块控制该框计数器补偿该振荡信号源的一第二频偏量。

公开(公告)号：CN105850035A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003430.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 中冈高司 ,  赤池和男 ,  星上浩 ,  小林薫

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/32 ,  H03B5/366 ,  H03B2201/0208 ,  H03H9/24 ,  H03L1/02

Abstract: 晶体振荡器1包括：第一振荡电路13，使晶体振子12以第一频率振荡；第一阻抗调整电路17，对具有晶体振子12与第一振荡电路13的第一振荡系统的阻抗进行调整；第二振荡电路14，使晶体振子12以与第一频率不同的第二频率振荡；第二阻抗调整电路18，对具有晶体振子12与第二振荡电路14的第二振荡系统的阻抗进行调整；以及控制电路19，对第一阻抗调整电路17及第二阻抗调整电路18进行控制。

公开(公告)号：CN104038155A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410078735.6

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 福田実

IPC: H03B5/04

CPC classification number: H03B5/362 ,  H03B5/368 ,  H03B2200/0008 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/0208

Abstract: 本发明提供一种振荡电路。振荡电路(100)包括：水晶振子(1)；可变电容元件(2)，设置在水晶振子(1)的第一端子与接地之间，且根据控制电压(VC)的控制而电容值发生变化；晶体管(31)，基极连接于水晶振子(1)的第二端子；以及电容器(4)，设置在晶体管(31)的射极与集电极之间。本发明可使振荡频率可变，且将频率可变范围保持得良好。

公开(公告)号：CN103916082A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410002967.3

申请日：2014-01-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·A·爱因斯潘 ,  R·克尔卡尔 ,  A·R·马兰迪 ,  R·M·马兰迪

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1265 ,  G06F17/5045 ,  H03B5/04 ,  H03B5/1206 ,  H03B5/1212 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1253 ,  H03B7/02 ,  H03B7/06 ,  H03B2200/004 ,  H03B2200/005 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2202/042 ,  H03L1/00 ,  H03L7/04

Abstract: 本发明涉及用于电感-电容压控振荡器的设计结构。本发明的实施例提供了用于补偿LC-振荡回路VCO的振荡频率(FOO)的变化的设计结构与方法，该设计结构包括第一节点；第二节点；电感器；允许设计结构获得目标FOO的第一电容性网络(FCN)；补偿设计结构的FOO的变化的补偿电容性网络(CCN)；允许设计结构获得期望FOO的第二电容性网络(SCN)；向SCN供应电压并且耦合到SCN的滤波器；补偿设计结构的FOO的变化的跨导体；及耦合到SCN、生成并向CCN供应足以允许CCN补偿设计结构的FOO的减小的电压的子电路。第一和第二节点耦合到电感器、FCN、CCN、SCN和子电路。

公开(公告)号：CN102959857A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201080057799.8

申请日：2010-12-07

Applicant: 意法半导体有限公司

Inventor： 亚历山德罗·伊塔利 ,  萨尔瓦托雷·迪玛蒂纳 ,  卡洛杰罗·马尔科·伊波利托 ,  朱塞佩·帕尔米萨诺

IPC: H03B5/12 ,  H03B1/00

CPC classification number: H03B5/1243 ,  H03B5/1215 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1265 ,  H03B5/1268 ,  H03B5/1296 ,  H03B2200/0038 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/0216 ,  H03B2201/0266 ,  Y10T29/49117

Abstract: 压控振荡器的电路（1）包括：电桥结构，包括两个N型交叉耦合的晶体管（M3、M4）以及两个P型交叉耦合的晶体管（M5、M6）；电流镜（3），连接到两个N型交叉耦合的晶体管（M3、M4）中并且配置为产生用于电路（1）的偏置电流（IB）；LC谐振器（2），并联放置在两个N型交叉耦合的晶体管（M3、M4）和两个P型交叉耦合的晶体管（M5、M6）之间。电路（1）的特征在于LC谐振器（2）包括：两对差分电感器（L1、L2），通过互感系数（M）互相耦合，每对包括配置在外部环路的各个分支（10a）上的第一电感器（L1）以及安装在内部环路的各个分支（12a）上的第二电感器（L2）；第一变抗器（CV33），连接到公共节点（A）以及内部环路的第一分支（12a）；第二变抗器（CV33），连接到公共节点（A）以及内部环路的第二分支（12a）。

公开(公告)号：CN102457228A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110334826.8

申请日：2011-10-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 荻野晶敏 ,  曾我忠央 ,  松冈淳 ,  老沼雄一

IPC: H03B5/32 ,  H03B5/04

CPC classification number: H03B5/362 ,  H03B5/368 ,  H03B2200/0008 ,  H03B2201/0208 ,  H03L1/028

Abstract: 一种压电振荡电路、恒温型压电振荡器，即使固定电位发生改变，其也能够通过抑制振子的端子间电位的改变而得到稳定的振荡频率。所述压电振荡电路包括：考毕兹型振荡电路(30)；第一电路部(20)，其由包括用于调节振荡频率的、可变电容的电容器的电路构成；第二电路部(50)，其由包括电阻的电路构成；压电振子(40)，其具有与所述第一电路部以及所述第二电路部相连接的第一端子(41)和与所述考毕兹型振荡电路相连接的第二端子(42)，其中，所述考毕兹型振荡电路(30)经由分压电阻而将所述第二端子(42)连接于固定电位，所述第二电路部(50)经由所述电阻而将所述第一端子(41)连接于所述固定电位。