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公开(公告)号：CN105531101B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480049341.6
申请日：2014-09-03
Applicant: 株式会社日本制钢所
CPC classification number: B29C70/081 , B29C45/14 , B29C45/14786 , B29C69/02 , B29C70/18 , B29C70/30 , B29C70/345 , B29C70/467 , B29K2101/12 , B29K2105/0809 , B29K2105/0854 , B29K2105/12 , B29K2105/20 , B29K2307/04 , B29L2031/3055 , B29L2031/3481
Abstract: 根据本发明的纤维增强部件的制造方法包括：步骤(1)，其中在下模中形成热塑性树脂的熔体，将由增强纤维(B)形成的垫状材料放置在熔体上，用于加压的上模闭合在下模上并加压，并执行浸渍处理，然后冷却并固化浸渍有树脂的垫状材料，由此模制由纤维增强树脂形成的主体部分；和步骤(2)，其中打开用于加压的上模，将用于注射模制的上模闭合在下模上以形成注射模制模具，然后执行注射模制以形成附加部分，由此模制具有与主体部分结合的附加部分的纤维增强部件。
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公开(公告)号：CN104718600B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201380051586.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 株式会社日本制钢所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0622 , H01L21/02532 , H01L21/02686
Abstract: 在通过脉冲激光的照射来对非单晶半导体膜进行结晶化时，本发明为了防止产生照射不均，具有第1阶段和第2阶段，在第1阶段，将低于因脉冲激光的照射而使得所述非单晶半导体膜产生微结晶化的照射脉冲能量密度、且适于基于多次即N次的照射的结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，从而以与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射所述脉冲激光，在第2阶段，以低于照射脉冲能量密度E1、且在为了使结晶再次熔融而所需的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射所述脉冲激光，对于同一照射面所进行的第1阶段和第2阶段的总计照射次数设为N次以上。
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公开(公告)号：CN104884662B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380068785.X
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社日本制钢所
CPC classification number: C22C38/00 , C21D6/004 , C21D6/005 , C21D6/008 , C21D6/02 , C22C38/004 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/44 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C38/54
Abstract: 本发明涉及具有优异的高温特性和耐氢脆性的Fe‑Ni基合金，所述Fe‑Ni基合金的组成按质量％计包含如下：C：0.005％～0.10％，Si：0.01％～0.10％，P：0.015％以下，S：0.003％以下，Ni：23.0％～27.0％，Cr：12.0％～16.0％，Mo：0.01％以下，Nb：0.01％以下，W：2.5％～6.0％，Al：1.5％～2.5％和Ti：1.5％～2.5％，余量为Fe和其它不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN104662201B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380049652.8
申请日：2013-09-24
Applicant: 株式会社日本制钢所
IPC: C23C26/00 , B22D17/20 , B23K9/00 , B23K9/04 , B23K35/30 , B32B15/01 , C22C19/05 , C22C19/07 , C22C30/00
CPC classification number: B32B15/01 , B23K35/007 , B23K35/30 , B23K35/3046 , B23K35/365 , C22C19/055 , C22C19/056 , C22C19/07 , C22C23/00 , Y10T428/12931
Abstract: 本发明提供一种耐Mg腐蚀性优异的涂覆结构材料，其对由熔融的Mg和熔融的Mg合金造成的腐蚀具有抵抗性。本发明涉及一种涂覆结构材料，所述涂覆结构材料包含Ni‑Co基合金基材和形成在所述Ni‑Co基合金基材上的Co基合金涂层，其中按质量％计，所述Co基合金涂层包含：Ni：20％以下，Co：42％以上，Si：2.8％以下，Fe：3.5％以下。
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公开(公告)号：CN106536153A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580040446.X
申请日：2015-07-09
Applicant: 株式会社日本制钢所
IPC: B29C47/16
CPC classification number: B29C47/16
Abstract: 本发明提供挤出成形用平模以及薄膜成形方法，在排出口的长度方向的整个范围内使开口量均匀化，提高薄膜的宽度方向上的薄膜厚度的均匀性。该挤出成形用平模具备模主体(5)，该模主体(5)具有将熔融材料排出的狭缝状的排出口(8)、分别设置于各侧面(8)且与排出口(7)的长度方向上的两端连通的槽(9)。并且具备分别设置于模主体(5)的各侧面(8)且以槽(9)的间隙能够在与槽(9)的长度方向正交的间隙方向(S)上变动的方式密封槽(9)的密封机构(11)。密封机构(11)具有沿着槽(9)配置且封堵槽(9)的密封构件(12)、将密封构件(12)按压于侧面(8)的按压构件(14)、支承按压构件(14)并固定于侧面(8)的一对第一以及第二支承构件(13a、13b)。第一支承构件(13a)固定于间隙方向(S)上的侧面(8)的一端侧，并且第二支承构件(13b)固定于间隙方向(S)上的侧面(8)的另一端侧。(7)、与排出口(7)的长度方向交叉的两个侧面
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534203B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280022829.0
申请日：2012-05-10
Applicant: 株式会社日本制钢所 , 国立大学法人北见工业大学
CPC classification number: B01J8/24 , B01J8/0045 , B01J8/0055 , B01J8/1818 , B01J8/1827 , B01J8/26 , B01J2208/00504 , B01J2208/00752 , B01J2208/00893 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B3/44 , C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/18 , C01B2203/0261 , C01B2203/0405 , C01B2203/0415 , C01B2203/043 , C01B2203/0475 , C01B2203/1047 , C01B2203/1058 , C01B2203/1241 , C01B2203/1247 , C01B2203/142 , D01F9/127 , D01F9/133
Abstract: 低级烃和氧气被供应至流化催化剂（1）以形成流化床，并且使用纳米碳制造装置通过伴随低级烃和氧气自燃的低级烃分解反应来生产纳米碳和氢气，该纳米碳制造装置具有：流化床反应器（2），其容纳有流化催化剂（1）并且被供应有低级烃和氧气，使得低级烃和氧气能够自燃；气体供给部（5），其连接至流化床反应器（2）并且将低级烃和氧气供应至流化床反应器（2）中；排放气体通道（8），其连接至流化床反应器（2），并且将流化床反应器（2）中的排放气体排放到外部；以及供应部（2a），其连接至流化床反应器（2），并且将流化催化剂（1）供应至流化床反应器（2）中。
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公开(公告)号：CN106207327A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510415438.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 国立大学法人山梨大学 , 株式会社日本制钢所
Abstract: 本发明提供一种可调谐双频带谐振器和使用该可调谐双频带谐振器的可调谐双频带带通滤波器。一种构造为使短截线被增加到每个设置有半波长谐振器突起部(容量分量调整部)的半波长谐振器的双频带谐振器。该双频带谐振器由包括设置在介电体的背表面上的接地导体和设置在其上表面上的带状导体的形状的奇数模式谐振器，以及如当短截线连接到该带的开放端的相对侧上的端面上时所形状的偶数模式谐振器构成，其特征在于，圆形横截面的介电棒设置在相应的短截线上方的空间内，另一圆形横截面的介电棒设置在半波长谐振器突起部上方的空间内。
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公开(公告)号：CN103857491B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280040153.8
申请日：2012-08-17
CPC classification number: C22C38/08 , B23K9/04 , B23K35/30 , B23K35/3053 , B23K35/308 , B23K35/3086 , B23K35/3093 , B23K2101/001 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/16 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/30 , C22C38/32 , C22C38/40 , C22C38/42 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/52 , C22C38/54
Abstract: 本发明涉及在高Cr钢涡轮转子的轴承接触面上形成的堆焊部的初层含有C：0.05～0.2%、Si：0.1～1.0%、Mn：0.3～1.5%、Cr：4.0～7.7%和Mo：0.5～1.5%，余量为Fe以及不可避免的杂质的多层堆焊部、上层焊接部含有C：0.05～0.2%、Si：0.1～1.0%、Mn：0.3～2.5%、Cr：1.0～4.0%和Mo：0.5～1.5%的多层堆焊部以及用于上述多层堆焊部的焊接材料和多层堆焊部的制造方法。
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公开(公告)号：CN106068419A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580012542.3
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社日本制钢所
CPC classification number: F17C11/005 , C01B3/0031 , C01B3/0073 , C01B3/0078 , C01B3/0084 , F17C11/00 , Y02E60/321 , Y02E60/327
Abstract: 本发明的目的是使得当填充储氢合金时能够容易且均匀地填充储氢合金。本发明涉及填充已经通过将粉末状或粒子状的储氢合金与树脂和碳纤维进行混合而制成树脂复合物的储氢合金的方法，其中，当将储氢合金填充到容器中时，使容器在预定频率下振动以调节容器中的储氢合金的填充率。
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公开(公告)号：CN102859652B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180021127.6
申请日：2011-03-16
Applicant: 株式会社日本制钢所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02532 , B23K26/0622 , B23K26/705 , H01L21/02686
Abstract: 在利用脉冲激光的照射来使硅薄膜进行晶化时，实现均匀的晶化。制造装置包括：激光振荡器，该激光振荡器输出脉冲激光；光学系统，该光学系统将所述脉冲激光导向非晶半导体；以及移动装置，该移动装置使所述非晶半导体进行相对移动以将所述脉冲激光对所述非晶半导体进行扫描并照射，所述激光振荡器中，所输出的脉冲激光因强度随时间变化而在1个脉冲中具有多个波峰群，该波峰群中具有最大高度的第一波峰群和其后出现的第二波峰群在波峰强度值上满足（第二波峰群）/（第一波峰群）≤0.35的关系，将所述脉冲激光照射到非晶半导体，获得具有均匀特性的结晶半导体。
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