公开(公告)号：CN105144344B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480021820.7

申请日：2014-04-10

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  泽井美喜 ,  次田纯一

IPC: H01L21/20 ,  B23K26/066 ,  B23K26/351 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/706

Abstract: 为了将线束分割，以能够确保对被处理体避免照射的部分，并能将分割后的线束照射到被处理体上，将遮挡构件的一部分或全部以能相对于线束形状的激光的光路相对移动的方式设置在所述光路上，随着移动能对分割后的线束的形状进行调节，从而能够获得以根据遮挡构件的移动位置决定的形状将线束分割后得到的线束，将该线束照射到被处理体上，不必花费光学系统的更换及调节的时间等，就能不对照射不妥的部位及不想照射的部位等照射激光地将线束照射到被处理体上，能够生产率佳且品质良好地进行期望的加工。

公开(公告)号：CN104704610A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052225.5

申请日：2013-10-02

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  次田纯一 ,  町田政志

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0622 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 为了提供能够更为均匀地对非晶质半导体进行结晶化的结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造装置，本发明包括：多个脉冲激光光源(2、3)、以及将多个脉冲激光引导至非晶质半导体的光学系统(12)，各脉冲激光在随时间流逝而发生强度变化的1个脉冲中，至少具有第1个波峰组、以及在其后出现的第2个波峰组，且所述第1个波峰组中的最大波峰强度成为所述1个脉冲中的最大高度，将所述第1个波峰组的所述最大波峰强度a与所述第2个波峰组的最大波峰强度b的比b/a设为最大波峰强度比，将作为基准的所述最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，多个所述脉冲激光的所述最大波峰强度比与所述基准最大波峰强度比的差设为4％以下。

公开(公告)号：CN101965627A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201080001197.0

申请日：2010-01-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K26/705 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

Abstract: 在激光退火中，不管激光输出中如何波动，都要确保结晶化的均匀性。在将脉冲激光照射到非单晶半导体膜上来施加退火的激光退火方法中，执行对脉冲激光的能量控制，以使激光的脉冲波形的最大峰值高度达到预定高度，并且该控制能够通过激光退火设备执行。该激光退火设备包括激光：振荡器(1)，其输出脉冲激光；光学系统(4)，其将脉冲激光引导至非单晶半导体薄膜；最大峰值高度测量单元，其测量脉冲激光的最大峰值高度；以及控制单元(8)，其通过最大峰值高度测量单元接收测量结果并控制激光振荡器的脉冲激光的输出能量；或者可变衰减器(2)，其调节脉冲激光的衰减率以使得最大峰值高度达到预定高度。

公开(公告)号：CN104871291B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201380065862.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  泽井美喜 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地扫描来按每一脉冲移动，并且通过照射次数n从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和的照射脉冲能量密度，通过照射脉冲能量密度的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n≥(n0‑1)，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c＜b。

公开(公告)号：CN104838472B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201380060409.6

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明为了降低由脉冲激光的重叠照射而对形成在半导体膜的隆起部造成的不良影响，在非单晶半导体膜上扫描具有规定的射束截面形状的脉冲激光并以规定的扫描间距进行重叠照射而得结晶半导体膜的激光处理方法中，将通过对半导体膜的脉冲激光照射而在半导体膜上被照射的脉冲激光束的扫描方向后端侧形成的隆起部的底边的扫描方向长度设为b，所述扫描间距设为p，在扫描间距设定在满足式0.75b≥p≥0.25b的范围内进行所述脉冲激光的重叠照射，使隆起部近接形成而缩小隆起部之间的高低差，降低照射不均。

公开(公告)号：CN104798180B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380060413.2

申请日：2013-10-29

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 为了减少由激光的能量输出的变动引起的照射不均，在非单晶半导体上将射束截面形状为直线束的脉冲激光沿所述直线束的短轴方向扫描并进行照射的激光退火方法中，所述直线束在射束强度分布中具有位于短轴方向端部的陡峭部，所述陡峭部是具有所述射束强度分布中最大强度的10％以上且90％以下的强度的区域，以使陡峭部中位于扫描方向后方侧的短轴方向宽度在非单晶半导体膜的照射面上为50μm以下的条件进行前述照射，由此可使陡峭部急陡化，减轻由能量输出变动时的熔融宽度的变动引起的影响而减少照射不均。

公开(公告)号：CN104254912B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201380019729.7

申请日：2013-04-01

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 伊藤大介 ,  佐塚祐贵 ,  泽井美喜 ,  次田纯一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68 ,  G03F7/70716

Abstract: 本发明能防止在进行了气氛调整的处理室内使用的、利用气体悬浮的移动平台的移动引起的微粒粉尘的卷起。在进行了调整的气氛下对被处理体(半导体基板(100))进行处理的处理室(2)内所设置的移动平台(3)中，具有设置有被处理体的平台主体(30)、以及利用气体压力以非接触方式对平台主体(30)进行支承的气体支承部，气体支承部至少具有一个或多个气垫(35)，该气垫(35)朝向处理室(2)的水平面及/或垂直面，并向所述面吹出气体，在气垫(35)的周围设有微粒粉尘吸引口(42)，还设有与微粒粉尘吸引口(42)连通并向所述处理室外伸长的吸引气体排气线(吸引气体排气管(43))。

公开(公告)号：CN104508797B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480002018.3

申请日：2014-02-19

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 郑石焕 ,  泽井美喜 ,  次田纯一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0861

Abstract: 本发明是一种处理方法，其中，在一边扫描一边向半导体照射线光束时，为了在不使半导体基板移动的扫描装置的机构变得复杂的情况下即可施行精度良好的动作，并且适用于大型的半导体基板，对于被支持部支承的半导体基板，通过与支持部一同移动半导体基板，在短轴方向上相对地扫描线光束，同时多路径地并列照射线光束进行处理，该处理方法包括：基板旋转工序，在一个照射路径工序和之后的照射路径工序之间，该基板旋转工序旋转该半导体基板，以使所述半导体基板的前后位置变化，变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置；以及基板倾斜调整工序，在所述一个照射路径工序前，和之后的照射路径工序前以及所述基板旋转工序后，该基板倾斜调整工序对所述半导体基板的倾斜进行调整。

公开(公告)号：CN104871291A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380065862.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 次田纯一 ,  泽井美喜 ,  町田政志 ,  郑石焕

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，为了以适当的扫描间距和照射次数使半导体膜结晶化，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地进行扫描来按每一脉冲进行移动，并且通过照射次数n，从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有照射脉冲能量密度E，该照射脉冲能量密度E比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低，且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和，通过照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n为(n0-1)以上，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c小于b。

公开(公告)号：CN104254912A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380019729.7

申请日：2013-04-01

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 伊藤大介 ,  佐塚祐贵 ,  泽井美喜 ,  次田纯一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68 ,  G03F7/70716

Abstract: 本发明能防止在进行了气氛调整的处理室内使用的、利用气体悬浮的移动平台的移动引起的微粒粉尘的卷起。在进行了调整的气氛下对被处理体(半导体基板(100))进行处理的处理室(2)内所设置的移动平台(3)中，具有设置有被处理体的平台主体(30)、以及利用气体压力以非接触方式对平台主体(30)进行支承的气体支承部，气体支承部至少具有一个或多个气垫(35)，该气垫(35)朝向处理室(2)的水平面及/或垂直面，并向所述面吹出气体，在气垫(35)的周围设有微粒粉尘吸引口(42)，还设有与微粒粉尘吸引口(42)连通并向所述处理室外伸长的吸引气体排气线(吸引气体排气管(43))。