薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、並びにディスプレイ
    81.
    发明专利
    薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、並びにディスプレイ 审中-公开
    一种薄膜晶体管及其制造方法,所述阵列基板,以及显示

    公开(公告)号:JP2016519847A

    公开(公告)日:2016-07-07

    申请号:JP2016503517

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びにディスプレイを提供する。薄膜トランジスタは、基板、基板上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層と、ゲート電極と半導体層との間にあり、或いは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層、及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり、ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と、ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層、及びドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と、を備え、ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり、バッファー層は銅合金層である。ソースバッファー層及びドレインバッファー層を形成することによって、その上にあるソース電極及びドレイン電極層、及びその下方にある半導体層の付着力が向上され、TFTの性能も向上され、画像の品質も向上された。

    Abstract translation: 本发明是薄膜晶体管及其制造方法,提供一种阵列基板和显示器。 的薄膜晶体管基板,形成在基板上的栅电极,源电极,漏电极和半导体层是在栅电极和半导体层之间,或者在栅电极与源电极和漏电极之间 栅绝缘层,和在半导体层与源电极和漏电极,以及具有源极接触孔和漏接触孔,源极电极与半导体层之间的源缓冲层和漏电极的蚀刻停止层之间 和与所述半导体层,源电极和漏电极之间的漏极缓冲层是金属铜电极,所述缓冲层是铜合金层。 通过形成源缓冲层和漏电极缓冲层,源电极和它上面的漏电极层,所述半导体层的粘附在其下部,TFT的性能也得到改善,提高,增强了图像的质量 它一直。

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