公开(公告)号：TW200721918A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095138416

申请日：2006-10-18

Applicant: 日新電機股份有限公司 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. ,  EMD股份有限公司 EMD CORPORATION

Inventor： 加藤健治 KATO, KENJI ,  出口洋成 DEGUCHI, HIROSHIGE ,  米田均 YONEDA, HITOSHI ,  久保田清 KUBOTA, KIYOSHI ,  江部明憲 EBE, AKINORI ,  節原裕一 SETSUHARA, YUICHI

IPC: H05H ,  C23C

CPC classification number: H01J37/32954 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 本發明的課題是在於提供一種使電感耦合型電漿發生的電漿生成方法及裝置,可在不導致電漿密度降低的情況下,壓低電漿的電子溫度之方法及裝置。並且,提供一種利用該電漿生成裝置的電漿處理裝置。亦即,在電漿生成室1內設置複數根的高頻天線2,由天線2來對室1內氣體施加自高頻電力供給裝置(電源41、42、相位控制部Cont等)所供給的高頻電力,而使電感耦合型電漿發生之電漿生成方法及裝置。複數根的天線2係以各比鄰者的彼此之間能夠形成相向的並列配置之方式來設置。高頻電力供給裝置係藉由控制施加於各天線2的高頻電壓的相位來控制電感耦合電漿的電子溫度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于提供一种使电感耦合型等离子发生的等离子生成方法及设备,可在不导致等离子密度降低的情况下,压低等离子的电子温度之方法及设备。并且,提供一种利用该等离子生成设备的等离子处理设备。亦即,在等离子生成室1内设置复数根的高频天线2,由天线2来对室1内气体施加自高频电力供给设备(电源41、42、相位控制部Cont等)所供给的高频电力,而使电感耦合型等离子发生之等离子生成方法及设备。复数根的天线2系以各比邻者的彼此之间能够形成相向的并列配置之方式来设置。高频电力供给设备系借由控制施加于各天线2的高频电压的相位来控制电感耦合等离子的电子温度。

公开(公告)号：TW200643984A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095102730

申请日：2006-01-23

Applicant: 藤倉化成股份有限公司 FUJIKURA KASEI CO., LTD. ,  旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 平川洋平 HIRAKAWA, YOHEI ,  若林克知 WAKABAYASHI, KATSUTOMO ,  四柳雄太 YOTSUYANAGI, YUTA ,  田中軌人 TANAKA, NORIHITO

IPC: H01B ,  H05K ,  C08L

CPC classification number: H05K1/095 ,  H01B1/22 ,  H05K3/4069

Abstract: 本發明提供一種導電性良好且導電連接可靠性亦優異之導電性糊，係含有熱固性樹脂之黏合劑及導電性粒子，且該黏合劑之以示差掃描熱量測定法所測定的至少一發熱峰值中最低發熱峰值溫度T1(℃)、與該導電性粒子之以示差掃描熱量測定法所測定的至少一吸熱峰值中最低吸熱峰值溫度t1(℃)之間係滿足t1－20＜T1之關係。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种导电性良好且导电连接可靠性亦优异之导电性煳，系含有热固性树脂之黏合剂及导电性粒子，且该黏合剂之以示差扫描热量测定法所测定的至少一发热峰值中最低发热峰值温度T1(℃)、与该导电性粒子之以示差扫描热量测定法所测定的至少一吸热峰值中最低吸热峰值温度t1(℃)之间系满足t1－20＜T1之关系。

公开(公告)号：TWI266887B

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：TW092106418

申请日：2003-03-20

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 角田勝巳 KAKUTA, KATSUMI ,  克利斯提安 修特 SCHOTT, CHRISTIAN

IPC: G01R

CPC classification number: G01D5/145 ,  G01D5/14 ,  G01D5/24409

Abstract: 本發明提供儘管電路配置簡易，卻可實現磁場的正確角度檢出的角度檢出裝置以及用來檢出磁場角度的角度檢出系統。HE是霍爾元件，2是XY轉換部，4是調變‧驅動部，6是DDA，8是P-P檢出部，10及12是S/H部，14是後段處理電路，16是S/H部，18是保持成份指定電路，20是X、Y指定輸入部，22是運算放大器。根據此角度檢出裝置，不必施以個別運算處理求出sin θ及cos θ並進一步求出tan θ，可由保持於S/H部(10)的X成份以及保持於S/H部(12)的Y成份直接求出tan θ。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供尽管电路配置简易，却可实现磁场的正确角度检出的角度检出设备以及用来检出磁场角度的角度检出系统。HE是霍尔组件，2是XY转换部，4是调制‧驱动部，6是DDA，8是P-P检出部，10及12是S/H部，14是后段处理电路，16是S/H部，18是保持成份指定电路，20是X、Y指定输入部，22是运算放大器。根据此角度检出设备，不必施以个别运算处理求出sin θ及cos θ并进一步求出tan θ，可由保持于S/H部(10)的X成份以及保持于S/H部(12)的Y成份直接求出tan θ。

公开(公告)号：TW200607825A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：TW094123791

申请日：2005-07-13

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 木村正志 KIMURA, MASASHI ,  金田隆行 KANADA, TAKAYUKI ,  花博之 HANAHATA, HIROYUKI

IPC: C08G ,  G03F

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G73/14 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/0388

Abstract: 本發明係有關一種具有以通式(1)所示構造之聚醯胺。094123791-p01.bmp(其中，m及n係滿足m≧1、n≧1、2≦(m＋n)≦150、及0.3≦m／(m＋n)≦0.9之整數，R1及R2係表示至少具有1個光聚合性不飽和鍵之1價有機基，X1係表示至少1個4價芳香族基，X2係表示至少1個3價芳香族基，Y1及Y2係表示至少1個2價有機基，以及Z係表示至少1個選自經取代的胺基及醯亞胺基之1價有機基)094123791-p01.bmp

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种具有以通式(1)所示构造之聚酰胺。094123791-p01.bmp(其中，m及n系满足m≧1、n≧1、2≦(m＋n)≦150、及0.3≦m／(m＋n)≦0.9之整数，R1及R2系表示至少具有1个光聚合性不饱和键之1价有机基，X1系表示至少1个4价芳香族基，X2系表示至少1个3价芳香族基，Y1及Y2系表示至少1个2价有机基，以及Z系表示至少1个选自经取代的胺基及酰亚胺基之1价有机基)094123791-p01.bmp

公开(公告)号：TW200536877A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：TW094101554

申请日：2005-01-19

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 金田隆行 KANADA, TAKAYUKI ,  片岡康浩 KATAOKA, YASUHIRO ,  丹羽基博 NIWA, MOTOHIRO

IPC: C08G ,  C08L ,  G03F

CPC classification number: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/037 ,  Y10S430/107

Abstract: 本發明係關於一種具有一般式(1)所示構造，主鏈構造中具有5–胺基間苯二甲酸衍生物構造之羥基聚醯胺。094101554-p01.bmp(m及n為整數，X為至少一種4價有機基，Y為至少1個具有5–胺基間苯二甲酸衍生物構造之2價有機基，Z為至少1種2價有機基)。094101554-p01.bmp

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种具有一般式(1)所示构造，主链构造中具有5–胺基间苯二甲酸衍生物构造之羟基聚酰胺。094101554-p01.bmp(m及n为整数，X为至少一种4价有机基，Y为至少1个具有5–胺基间苯二甲酸衍生物构造之2价有机基，Z为至少1种2价有机基)。094101554-p01.bmp

公开(公告)号：TWI241625B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW093113488

申请日：2004-05-13

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 栗山芳真 KURIYAMA, HOZUMA ,  元一郎 WAKIMOTO, ICHIRO

IPC: H01L

Abstract: 本發明是關於將附著在光罩用護罩(pellicle)之膜上的異物去除或將光罩用護罩之膜檢查的設備及其使用方法。
即使為大型光罩用護罩也可容易地處理，而且為了提供作為可容易地檢查其整面的支承裝置，因此本發明的大型光罩用護罩的支承裝置之代表性的構成是在大型光罩用護罩的支承裝置之中，具備：平衡器裝置、安裝在上述平衡器裝置的配件、及與上述配件卡合，並且與光罩用護罩的框部嵌合的座架。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是关于将附着在光罩用护罩(pellicle)之膜上的异物去除或将光罩用护罩之膜检查的设备及其使用方法。 即使为大型光罩用护罩也可容易地处理，而且为了提供作为可容易地检查其整面的支承设备，因此本发明的大型光罩用护罩的支承设备之代表性的构成是在大型光罩用护罩的支承设备之中，具备：平衡器设备、安装在上述平衡器设备的配件、及与上述配件卡合，并且与光罩用护罩的框部嵌合的座架。

公开(公告)号：TW200525286A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：TW093128464

申请日：2004-09-20

Applicant: 旭化成電子材料元件股份有限公司 ASAHI KASEI EMD CORPORATION

Inventor： 栗山芳真 KURIYAMA, HOZUMA ,  元一郎 WAKIMOTO, ICHIRO

IPC: G03F

Abstract: 一種薄膜及薄膜用框，將黏貼於框體的大型薄膜膜片黏貼在光罩時，為了防止上述大型薄膜膜片皺摺的產生，具有面積為1,000cm^2以上的薄膜膜片及展開黏貼支撐薄膜膜片用的一對長邊和一對短邊的框體所構成的大型薄膜中，框體其至少的一對長邊是形成朝著框體外側突出，並且將薄膜膜片展開於框體上，框體的長邊中央部形成較長邊端部向內側凹陷。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜及薄膜用框，将黏贴于框体的大型薄膜膜片黏贴在光罩时，为了防止上述大型薄膜膜片皱折的产生，具有面积为1,000cm^2以上的薄膜膜片及展开黏贴支撑薄膜膜片用的一对长边和一对短边的框体所构成的大型薄膜中，框体其至少的一对长边是形成朝着框体外侧突出，并且将薄膜膜片展开于框体上，框体的长边中央部形成较长边端部向内侧凹陷。

公开(公告)号：EP2006700B1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：EP07740148.7

申请日：2007-03-28

Applicant: Asahi Kasei EMD Corporation

Inventor： KATAOKA, Makoto ,  KAKUTA, Katsumi ,  YAMAGATA, Yo ,  KANAYAMA, Yuichi

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R33/0011 ,  H01L27/22 ,  H01L43/06

公开(公告)号：EP2020750B1

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：EP07743375.3

申请日：2007-05-15

Applicant: Asahi Kasei EMD Corporation

Inventor： KAIHO, Toshio ,  MACHIDA, Junichi

IPC: H03K17/687 ,  H03K5/06 ,  H03K17/284 ,  H03K7/08

CPC classification number: H03K17/6872 ,  H03F3/2171 ,  H03F3/2173 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/129 ,  H03F2200/135 ,  H03F2200/264 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/351 ,  H03F2203/45136 ,  H03F2203/45526 ,  H03K7/08 ,  H03K2217/0036

公开(公告)号：EP2784823A2

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：EP14168446.4

申请日：2008-12-19

Applicant: Asahi Kasei EMD Corporation

Inventor： Koricic, Marko ,  Suligoj, Tomislav ,  Mochizuki, Hidenori ,  Morita, Soichi

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/735

Abstract: A semiconductor device in which a lateral bipolar transistor and a CMOS transistor are hybrid-integrated, and the lateral bipolar transistor includes an open region opened in a device isolating oxide film surrounding an active region; a polysilicon film formed on the open region; and a protective film covering at least a part of a peripheral surface of the active region exposed by opening the open region in the device isolating oxide film, wherein the polysilicon film has such a thickness as to expose the active region out of the polysilicon film, and the protective film is a film for preventing the active region from being etched when the polysilicon film is etched to the thickness.

Abstract translation: 一种半导体器件，其中横向双极晶体管和CMOS晶体管是混合集成的，并且所述横向双极晶体管包括在包围有源区的器件隔离氧化物膜中开口的开口区; 在开放区域上形成的多晶硅膜; 以及保护膜，该保护膜覆盖通过在器件隔离氧化物膜中打开开口区而暴露的有源区的外围表面的至少一部分，其中多晶硅膜的厚度使得有源区暴露于多晶硅膜之外， 并且保护膜是用于当多晶硅膜被蚀刻到厚度时防止有源区被蚀刻的膜。