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公开(公告)号：TW201447044A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103113531
申请日：2014-04-14
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 片山大輔 , KATAYAMA, DAISUKE , 逢坂育代 , OSAKA, IKUYO
IPC: C23F1/18
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/0789
Abstract: 本發明提供一種無損銅配線的直線性、可抑制側蝕的蝕刻液與其補給液、及銅配線的形成方法。本發明的蝕刻液為銅的蝕刻液，係含有包含只具有氮原子作為構成環的雜原子之5~7員環脂肪族雜環之脂肪族雜環化合物、酸、以及氧化性金屬離子之水溶液，前述脂肪族雜環化合物選自具有2個以上氮原子作為構成環的雜原子之脂肪族雜環化合物A與被具有胺基的取代基取代之脂肪族雜環化合物B之1種以上。本發明的銅配線(1)的形成方法，係對銅層之未被抗蝕刻劑(2)被覆部分進行蝕刻之方法，使用前述本發明的蝕刻液進行蝕刻。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种无损铜配线的直线性、可抑制侧蚀的蚀刻液与其补给液、及铜配线的形成方法。本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液，系含有包含只具有氮原子作为构成环的杂原子之5~7员环脂肪族杂环之脂肪族杂环化合物、酸、以及氧化性金属离子之水溶液，前述脂肪族杂环化合物选自具有2个以上氮原子作为构成环的杂原子之脂肪族杂环化合物A与被具有胺基的取代基取代之脂肪族杂环化合物B之1种以上。本发明的铜配线(1)的形成方法，系对铜层之未被抗蚀刻剂(2)被覆部分进行蚀刻之方法，使用前述本发明的蚀刻液进行蚀刻。
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公开(公告)号：TWI439364B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW097149347
申请日：2008-12-18
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 , KAWAGUCHI, MUTSUYUKI , 齊藤知志 , SAITO, SATOSHI , 天谷剛 , AMATANI, TSUYOSHI , 藤井祐子 , FUJII, YUKO
CPC classification number: H05K3/388 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2203/0353 , H05K2203/0361 , Y10T428/12431 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12708
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公开(公告)号：TWI422711B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097133701
申请日：2008-09-03
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 戶田健次 , TODA, KENJI , 高垣愛 , TAKAGAKI, AI
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公开(公告)号：TWI398552B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW097144318
申请日：2008-11-17
Applicant: MEC股份有限公司 , MEC COMPANY LTD.
Inventor： 中村幸子 , NAKAMURA, SACHIKO , 中島慶一 , NAKAJIMA, KEIICHI
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公开(公告)号：TW200934656A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097149347
申请日：2008-12-18
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 KAWAGUCHI, MUTSUYUKI , 齊藤知志 SAITO, SATOSHI , 天谷剛 AMATANI, TSUYOSHI , 藤井祐子 FUJII, YUKO
CPC classification number: H05K3/388 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2203/0353 , H05K2203/0361 , Y10T428/12431 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12708
Abstract: 提供一種導電層及使用該導電層的積層體與此等的製造方法,其可確保與樹脂層的接著性,並且於後製程的銅-錫合金層容易被除去。上述導電層(10)其特徵在於:接著於樹脂層(4)之導電層(10)當中,含有銅層(1)與積層於該銅層(1)上之銅-錫合金層(3);銅-錫合金層(3)之厚度為0.001-0.020���m。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种导电层及使用该导电层的积层体与此等的制造方法,其可确保与树脂层的接着性,并且于后制程的铜-锡合金层容易被除去。上述导电层(10)其特征在于:接着于树脂层(4)之导电层(10)当中,含有铜层(1)与积层于该铜层(1)上之铜-锡合金层(3);铜-锡合金层(3)之厚度为0.001-0.020���m。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW200932955A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097144318
申请日：2008-11-17
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO , 中島慶一 NAKAJIMA, KEIICHI
Abstract: 提供一種蝕刻液,其即使處於高溫條件下,亦能夠確實維持銅層與絕緣層之問的密合性,並能夠提高對於廣泛之緣絕材之密合性。該蝕刻液,係含有硫酸、過氧化氫及水之銅的蝕刻液,其中含有苯并四唑類及硝基苯并三唑類。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种蚀刻液,其即使处于高温条件下,亦能够确实维持铜层与绝缘层之问的密合性,并能够提高对于广泛之缘绝材之密合性。该蚀刻液,系含有硫酸、过氧化氢及水之铜的蚀刻液,其中含有苯并四唑类及硝基苯并三唑类。
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公开(公告)号：TW200923130A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097143843
申请日：2008-11-13
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 中村真美 NAKAMURA, MAMI , 秋山大作 AKIYAMA, DAISAKU , 吉海雅史 YOSHIKAI, MASASHI
Abstract: 本發明提供一種以半加成法除去無電鍍銅層時,能夠防止配線圖案尺寸精度降低之蝕刻劑。本發明之第1蝕刻劑,係一種包含硫酸、過氧化氫及水之銅蝕刻劑,其特徵在於,包含有在分子中具有兩個以上之羧基及羥基之至少一者的苯并三唑衍生物。又,本發明之第2蝕刻劑,係一種包含硫酸、過氧化氫及水之銅蝕刻劑,其特徵在於,包含有僅具有氮原子作為存在於環內之雜原子的唑類、及具有兩個以上之羧基的多元酸或其鹽。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种以半加成法除去无电镀铜层时,能够防止配线图案尺寸精度降低之蚀刻剂。本发明之第1蚀刻剂,系一种包含硫酸、过氧化氢及水之铜蚀刻剂,其特征在于,包含有在分子中具有两个以上之羧基及羟基之至少一者的苯并三唑衍生物。又,本发明之第2蚀刻剂,系一种包含硫酸、过氧化氢及水之铜蚀刻剂,其特征在于,包含有仅具有氮原子作为存在于环内之杂原子的唑类、及具有两个以上之羧基的多元酸或其盐。
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公开(公告)号：TW200918686A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097133701
申请日：2008-09-03
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 戶田健次 TODA, KENJI , 高垣愛 TAKAGAKI, AI
Abstract: 本發明提供即使連續或反覆使用,也可以一邊維持圖案的頂部形狀一邊進行蝕刻的銅的蝕刻液,和使用其的導體圖案之形成方法。本發明的蝕刻液的特徵為,是含有銅離子源、酸及水的銅蝕刻液,其中,含有唑和芳香族化合物,所述唑僅具有氮原子作為存在於環內的雜原子,所述芳香族化合物選自酚類和芳香族胺類中之至少一種。另外,本發明的導體圖案之形成方法的特徵為,使用上述本發明的蝕刻液,將電氣絕緣材料(1)上銅層的未被阻蝕劑(3)覆蓋的部分進行蝕刻,形成導體圖案(2)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供即使连续或反复使用,也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液,和使用其的导体图案之形成方法。本发明的蚀刻液的特征为,是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液,其中,含有唑和芳香族化合物,所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子,所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中之至少一种。另外,本发明的导体图案之形成方法的特征为,使用上述本发明的蚀刻液,将电气绝缘材料(1)上铜层的未被阻蚀剂(3)覆盖的部分进行蚀刻,形成导体图案(2)。
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公开(公告)号：TW200840883A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW097108875
申请日：2008-03-13
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 KAWAGUCHI, MUTSUYUKI
IPC: C23C
Abstract: 本發明提供一種在銅或銅合金表面形成用以提升接著性之有機被膜,而可提升銅-樹脂間之接著性之基板之製造方法及其所使用之銅表面處理劑。本發明之基板之製造方法,包含使含胺基四唑化合物、胺基三唑化合物、及烷基胺衍生物之處理液接觸於銅或銅合金表面之至少一面側之步驟、以及在接觸該處理液之銅或銅合金表面形成阻擋層之步驟。本發明之銅表面處理劑,係用以提升銅或銅合金表面與阻擋層之接著,含有胺基四唑化合物0.05wt%以上、胺基三唑化合物0.1wt%以上、烷基胺衍生物0.1wt%-10wt%、及剩餘部份為水。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种在铜或铜合金表面形成用以提升接着性之有机被膜,而可提升铜-树脂间之接着性之基板之制造方法及其所使用之铜表面处理剂。本发明之基板之制造方法,包含使含胺基四唑化合物、胺基三唑化合物、及烷基胺衍生物之处理液接触于铜或铜合金表面之至少一面侧之步骤、以及在接触该处理液之铜或铜合金表面形成阻挡层之步骤。本发明之铜表面处理剂,系用以提升铜或铜合金表面与阻挡层之接着,含有胺基四唑化合物0.05wt%以上、胺基三唑化合物0.1wt%以上、烷基胺衍生物0.1wt%-10wt%、及剩余部份为水。
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90.发明专利樹脂用接著層及使用該接著層之積層體之製造方法 ADHESIVE LAYER FOR RESIN AND A METHOD OF PRODUCING A LAMINATE INCLUDING THE ADHESIVE LAYER 审中-公开树脂用接着层及使用该接着层之积层体之制造方法 ADHESIVE LAYER FOR RESIN AND A METHOD OF PRODUCING A LAMINATE INCLUDING THE ADHESIVE LAYER
公开(公告)号：TW200833503A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096135642
申请日：2007-09-26
Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
Inventor： 河口睦行 KAWAGUCHI, MATSUYUKI , 齊藤知志 SAITOU, SATOSHI , 出口政史 DEGUCHI, MASASHI , 天谷剛 AMATANI, TSUYOSHI
CPC classification number: C08J5/12 , B32B15/08 , H05K3/384 , H05K3/389 , H05K2201/0116 , H05K2203/0307 , H05K2203/072 , Y10T428/24999
Abstract: 本發明之樹脂用接著層,係由銅或銅合金構成,用以將樹脂與銅或銅合金層加以接著,上述樹脂用接著層由珊瑚狀構造之金屬層所形成,於該珊瑚狀構造之金屬層中聚集有大量銅或銅合金之粒子且粒子間存在空隙,且於該金屬層之表面存在有複數個微細孔,上述微細孔之平均直徑位於10 nm~200 nm之範圍內,上述微細孔於金屬層表面每1 ���m^2平均存在2個以上。藉此,本發明提供一種樹脂用接著層及使用該接著層之積層體之製造方法,該樹脂用接著層可獲得樹脂與銅或銅合金之充分之密接性,不會產生先前之錫或錫合金層中成為問題的因樹枝狀結晶引起的離子遷移,而亦可提高與高玻璃轉移點(Tg)樹脂之密接性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之树脂用接着层,系由铜或铜合金构成,用以将树脂与铜或铜合金层加以接着,上述树脂用接着层由珊瑚状构造之金属层所形成,于该珊瑚状构造之金属层中聚集有大量铜或铜合金之粒子且粒子间存在空隙,且于该金属层之表面存在有复数个微细孔,上述微细孔之平均直径位于10 nm~200 nm之范围内,上述微细孔于金属层表面每1 ���m^2平均存在2个以上。借此,本发明提供一种树脂用接着层及使用该接着层之积层体之制造方法,该树脂用接着层可获得树脂与铜或铜合金之充分之密接性,不会产生先前之锡或锡合金层中成为问题的因树枝状结晶引起的离子迁移,而亦可提高与高玻璃转移点(Tg)树脂之密接性。
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