公开(公告)号：TW200939431A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：TW097137379

申请日：2008-09-26

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 松波明 MATSUNAMI, AKIRA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/111 ,  H05K3/243 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/0369 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本發明提供球閘陣列組件(10)及其等之製造方法,具有有助於形成安全之冶金焊墊(12)至焊球接點的改良特性。在根據本發明之球閘陣列組件、基板(14)及方法的所揭示之示例性實施例中,焊墊被提供有包含一主要由鎳製成之層的金屬塊,該主要由鎳製成之層被鍍以一主要包含金之外金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供球闸数组组件(10)及其等之制造方法,具有有助于形成安全之冶金焊垫(12)至焊球接点的改良特性。在根据本发明之球闸数组组件、基板(14)及方法的所揭示之示例性实施例中,焊垫被提供有包含一主要由镍制成之层的金属块,该主要由镍制成之层被镀以一主要包含金之外金属层。

公开(公告)号：TW200924034A

公开(公告)日：2009-06-01

申请号：TW097137392

申请日：2008-09-26

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 馬克A 格伯 GERBER, MARK A.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一種半導體系統(100),其包括一晶片(101)及一工件(102),該晶片具有定位在接觸墊(120)及個別邊緣(110)間之金屬填充通孔(140)。此外,防止微裂之密封件(150)及熱機械應力之密封件(151)係位於通孔及主動組件間,且有時亦在該等通孔及個別最接近邊緣間。工件可為另一半導體晶片或一基板;其具有匹配該等通孔的位置之接觸墊(170)。該晶片係在該工件上垂直地堆疊,以使各接觸墊對齊且與對應通孔電接觸。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体系统(100),其包括一芯片(101)及一工件(102),该芯片具有定位在接触垫(120)及个别边缘(110)间之金属填充通孔(140)。此外,防止微裂之密封件(150)及热机械应力之密封件(151)系位于通孔及主动组件间,且有时亦在该等通孔及个别最接近边缘间。工件可为另一半导体芯片或一基板;其具有匹配该等通孔的位置之接触垫(170)。该芯片系在该工件上垂直地堆栈,以使各接触垫对齐且与对应通孔电接触。

公开(公告)号：TW200915452A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097121811

申请日：2008-06-11

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 曾科軍 ZENG, KEJUN ,  潘威浚 PENG, WEI QUN ,  蕾貝卡L 霍夫德 HOLFORD, REBECCA L. ,  羅伯 約翰 佛塔 FURTAW, ROBERT JOHN ,  伯納多 葛里哥斯 GALLEGOS, BERNARDO

IPC: H01L ,  H01R

CPC classification number: H01L24/81 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/007 ,  B23K35/262 ,  B23K35/286 ,  B23K35/3013 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

Abstract: 本發明揭示一種用於連接一金凸塊(205)及一銅襯墊(212)之金屬互連結構(200),如(例如)半導體覆晶組裝中所使用者。一第一二元AuSn2金屬間化合物區域(207)鄰近於該金凸塊。一二元AuSn4金屬間化合物區域(208)鄰近於該第一AuSn2區域。接著,一二元金-錫固溶體區域(209)鄰近於該AuSn4區域,且一第二二元AuSn2金屬間化合物區域(210)鄰近於該固溶體區域。該第二AuSn2區域鄰近於一覆蓋該銅襯墊之鎳層(213)(厚度宜為約0.08 ���m)。該鎳層確保金/錫金屬間化合物及溶體保持大體上無銅且因此避免三元化合物,進而提供穩定之金凸塊/焊料連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于连接一金凸块(205)及一铜衬垫(212)之金属互链接构(200),如(例如)半导体覆晶组装中所用户。一第一二元AuSn2金属间化合物区域(207)邻近于该金凸块。一二元AuSn4金属间化合物区域(208)邻近于该第一AuSn2区域。接着,一二元金-锡固溶体区域(209)邻近于该AuSn4区域,且一第二二元AuSn2金属间化合物区域(210)邻近于该固溶体区域。该第二AuSn2区域邻近于一覆盖该铜衬垫之镍层(213)(厚度宜为约0.08 ���m)。该镍层确保金/锡金属间化合物及溶体保持大体上无铜且因此避免三元化合物,进而提供稳定之金凸块/焊料连接。

公开(公告)号：TWI307582B

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：TW092123508

申请日：2003-08-27

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 李曉輝 XIAOHUI LI ,  柯瑞 MARK A. CURRY

IPC: H04B

CPC classification number: H04L25/03159 ,  H04L2025/03414 ,  H04L2025/03484

Abstract: 揭示一種DMT數據機(40),其中,對所接收的DMT信號施加組合的時域等化器及逐音調等化器。組合等化器包括第一FFT手段(44),其施加到施加過時域等化器(42)之時域信號的樣本組。第一FFT手段(44)產生初始的FFT結果,與執行於時域樣本中之差値的滑移FFT(46)累加。滑移FFT的結果施加到逐音調等化器(48),其施加在數據機訓練期間所決定的一組複係數。接著,一簡單的1-栓(1-tap)FEQ(50)將信號恢復。組合的等化器可逐音調等化,所使用的方法與習知的DSL訓練標準相容。按照第二實施例,僅對多音調信號中被選的音調執行逐音調等化。

Abstract in simplified Chinese: 揭示一种DMT调制解调器(40),其中,对所接收的DMT信号施加组合的时域等化器及逐音调等化器。组合等化器包括第一FFT手段(44),其施加到施加过时域等化器(42)之时域信号的样本组。第一FFT手段(44)产生初始的FFT结果,与运行于时域样本中之差値的滑移FFT(46)累加。滑移FFT的结果施加到逐音调等化器(48),其施加在调制解调器训练期间所决定的一组复系数。接着,一简单的1-栓(1-tap)FEQ(50)将信号恢复。组合的等化器可逐音调等化,所使用的方法与习知的DSL训练标准兼容。按照第二实施例,仅对多音调信号中被选的音调运行逐音调等化。

公开(公告)号：TW200908261A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097118237

申请日：2008-05-16

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 馬修D 羅米 ROMIG, MATTHEW D.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/41 ,  H01L24/29 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一用於在一半導體器件(100)之一晶粒與一封裝基座之間轉移電源與接地信號中之至少一者之方法及系統中,於其間形成一連接器(110)。該安置於附裝至該封裝基座(120)之該晶粒上方之連接器包含一藉由複數個導電凸塊電耦合至該晶粒之中心墊(112)及一自該中心墊向外朝向該封裝基座延伸之指形件(114)。該指形件藉由一導電墊電耦合至該封裝基座。複數個焊接線經形成以電耦合該封裝基座與該晶粒。一經由該連接器之導電路徑之電阻甚小於一經由該複數個焊接線中之任一者之導電路徑之電阻,以促進電源與接地信號中之該至少一者之有效轉移。

Abstract in simplified Chinese: 在一用于在一半导体器件(100)之一晶粒与一封装基座之间转移电源与接地信号中之至少一者之方法及系统中,于其间形成一连接器(110)。该安置于附装至该封装基座(120)之该晶粒上方之连接器包含一借由复数个导电凸块电耦合至该晶粒之中心垫(112)及一自该中心垫向外朝向该封装基座延伸之指形件(114)。该指形件借由一导电垫电耦合至该封装基座。复数个焊接线经形成以电耦合该封装基座与该晶粒。一经由该连接器之导电路径之电阻甚小于一经由该复数个焊接线中之任一者之导电路径之电阻,以促进电源与接地信号中之该至少一者之有效转移。

公开(公告)号：TWI305950B

公开(公告)日：2009-02-01

申请号：TW095110442

申请日：2006-03-24

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 渡邊雅子 WATANABE, MASAKO ,  天谷昌純 AMAGAI, MASAZUMI

IPC: H01L

CPC classification number: H05K3/3478 ,  H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/10424 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/041 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置(1700),其包括具有一輪廓(1711)以及複數個接觸墊(1205)之一工件(1201),以及進一步包括具有複數個端子墊(1702)之一外部(1701)。該部係與該工件隔離,且該等端子墊分別與該等工件接觸墊對準。一回焊元件(1203)將每一該等接觸墊與其個別之端子墊互連。熱塑性材料(1204)填充介於該工件與該部之間的空間;該材料黏著至該工件、該部以及該等回焊元件。此外,該材料具有一實質上與該工件之輪廓一致的輪廓,且將該空間(1707)填充成實質上不具有空隙。由於該填充材料之熱塑特性,當達到用以進行該等回焊元件之回焊的溫度範圍時,所完成之裝置可予以再加工。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备(1700),其包括具有一轮廓(1711)以及复数个接触垫(1205)之一工件(1201),以及进一步包括具有复数个端子垫(1702)之一外部(1701)。该部系与该工件隔离,且该等端子垫分别与该等工件接触垫对准。一回焊组件(1203)将每一该等接触垫与其个别之端子垫互连。热塑性材料(1204)填充介于该工件与该部之间的空间;该材料黏着至该工件、该部以及该等回焊组件。此外,该材料具有一实质上与该工件之轮廓一致的轮廓,且将该空间(1707)填充成实质上不具有空隙。由于该填充材料之热塑特性,当达到用以进行该等回焊组件之回焊的温度范围时,所完成之设备可予以再加工。

公开(公告)号：TW200849513A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097110284

申请日：2008-03-21

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 阿野一章 ANO, KAZUAKI ,  馮建德 FENG, CHIEN TE (VINCENT)

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/4839 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在引線框架及IC封裝中之經改進鉚釘及散熱片配置。本發明揭示一種具有許多引線框架(12)之半導體器件引線框架陣列(10),該等引線框架(12)具有提供用於收納個別積體電路晶片之積體電路位點(14)。支撐條(18)係配置鄰接於及支撐在一或多個列之一陣列中的該等積體電路位點。所提供之封裝區域(20)各包括至少一積體電路位點,用於最終囊封於一積體電路封裝內。鉚釘點(22)係位於該等封裝區域外之該等支撐條上。一具有對應鉚釘點(30)之散熱片陣列(28)係用鉚釘釘牢至引線框架陣列以完成裝配件。本發明之替代具體實施例提供裝置及方法,用於裝配一具有一引線框架之積體電路封裝,該引線框架具有可操作地耦合之積體電路晶片。支撐該引線框架之一或多個支撐條包括鄰接於積體電路安裝位點之鉚釘點。一散熱片(26)係固定以與該引線框架共面接觸,其係使用固定在該引線框架之該等鉚釘點及該散熱片中的對應鉚釘點中之鉚釘。使用本發明製成之個別封裝裝配件提供經固定以與該引線框架、積體電路或兩者接觸之散熱片,無須在該封裝裝配件內包括膠、熱化合物、焊接、膠帶或鉚釘。

Abstract in simplified Chinese: 在引线框架及IC封装中之经改进铆钉及散热片配置。本发明揭示一种具有许多引线框架(12)之半导体器件引线框架数组(10),该等引线框架(12)具有提供用于收纳个别集成电路芯片之集成电路位点(14)。支撑条(18)系配置邻接于及支撑在一或多个列之一数组中的该等集成电路位点。所提供之封装区域(20)各包括至少一集成电路位点,用于最终囊封于一集成电路封装内。铆钉点(22)系位于该等封装区域外之该等支撑条上。一具有对应铆钉点(30)之散热片数组(28)系用铆钉钉牢至引线框架数组以完成装配件。本发明之替代具体实施例提供设备及方法,用于装配一具有一引线框架之集成电路封装,该引线框架具有可操作地耦合之集成电路芯片。支撑该引线框架之一或多个支撑条包括邻接于集成电路安装位点之铆钉点。一散热片(26)系固定以与该引线框架共面接触,其系使用固定在该引线框架之该等铆钉点及该散热片中的对应铆钉点中之铆钉。使用本发明制成之个别封装装配件提供经固定以与该引线框架、集成电路或两者接触之散热片,无须在该封装装配件内包括胶、热化合物、焊接、胶带或铆钉。

公开(公告)号：TW200845352A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097102934

申请日：2008-01-25

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 阿野一章 ANO, KAZUAKI

IPC: H01L ,  B41F

CPC classification number: B41J3/407 ,  B41M5/38207 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本發明揭示一種半導體晶片(101)的封裝,其具有光學反射與顏色的一表面,且實質上沒有壓痕;該封裝的材料(105)可從由聚合物、模製化合物、陶瓷、金屬與半導體所組成的一群組中選取。該表面(105a)包括符號,該等符號係與該表面形成光學對比。該等符號包括近乎油墨顆粒的圓形汽相沈積點(110)的線條。該等點具有一直徑與橫跨該直徑的實質上鐘形分佈的厚度(107);該等點亦可重疊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体芯片(101)的封装,其具有光学反射与颜色的一表面,且实质上没有压痕;该封装的材料(105)可从由聚合物、模制化合物、陶瓷、金属与半导体所组成的一群组中选取。该表面(105a)包括符号,该等符号系与该表面形成光学对比。该等符号包括近乎油墨颗粒的圆形汽相沉积点(110)的线条。该等点具有一直径与横跨该直径的实质上钟形分布的厚度(107);该等点亦可重叠。

公开(公告)号：TWI303093B

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：TW095101967

申请日：2006-01-18

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 莎提沃魯 史倫維斯 帕普 雷歐 RAO, SATYAVOLU SRINIVAS PAPA ,  達瑞斯 拉孟特 克倫蕭 CRENSHAW, DARIUS LAMMONT ,  史蒂芬 格魯諾 GRUNOW, STEPHAN ,  肯尼斯D 布倫納 BRENNAN, KENNETH D. ,  索米特 約希 JOSHI, SOMIT ,  孟特崔 李維 LEAVY, MONTRAY ,  菲力浦D 馬特茲 MATZ, PHILLIP D. ,  山米爾 庫瑪 艾傑米拉 AJMERA, SAMEER KUMAR ,  尤瑞E 所羅門特賽 SOLOMENTSEV, YURI E.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種MIM(金屬絕緣體金屬)電容器(164)之構成及一種電阻器(166)之並行構成。在充當該電容器(164)之一底部電極(170)的一銅沈積(110)上方形成一銅擴散障壁。該銅擴散障壁減少非吾人所樂見之自該銅沈積(110)之銅擴散且其經由無電鍍沈積形成使得除該銅沉積/底部電極之一頂部表面上方外其它位置處幾乎無障壁材料沉積。隨後,塗布介電層(150)及導電層(152)材料以分別形成該MIM電容器(164)之一介電質(172)及一頂部電極(174),其中該頂部導電電極材料層(152)亦作用以在該電容器(164)所在之同一晶片上並行地產生電阻器(166)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种MIM(金属绝缘体金属)电容器(164)之构成及一种电阻器(166)之并行构成。在充当该电容器(164)之一底部电极(170)的一铜沉积(110)上方形成一铜扩散障壁。该铜扩散障壁减少非吾人所乐见之自该铜沉积(110)之铜扩散且其经由无电镀沉积形成使得除该铜沉积/底部电极之一顶部表面上方外其它位置处几乎无障壁材料沉积。随后,涂布介电层(150)及导电层(152)材料以分别形成该MIM电容器(164)之一介电质(172)及一顶部电极(174),其中该顶部导电电极材料层(152)亦作用以在该电容器(164)所在之同一芯片上并行地产生电阻器(166)。

公开(公告)号：TW200837846A

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：TW096141509

申请日：2007-11-02

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 戶川伸一 TOGAWA, SHINICHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明揭示一種高效能封裝及其組裝方法。以一方法組裝本發明之半導體封裝系統,該方法包括以下步驟:將一或多個間隔物黏附至一封裝基板(12);及將一或多個被動元件黏附至該基板之鄰近於該等間隔物(14)處以便界定一平面。將一半導體晶片(22)黏附於位於該或該等被動元件(20)及該或該等間隔物頂部之平面中,且將該半導體晶片(22)電氣耦接至該或該等被動元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种高性能封装及其组装方法。以一方法组装本发明之半导体封装系统,该方法包括以下步骤:将一或多个间隔物黏附至一封装基板(12);及将一或多个被动组件黏附至该基板之邻近于该等间隔物(14)处以便界定一平面。将一半导体芯片(22)黏附于位于该或该等被动组件(20)及该或该等间隔物顶部之平面中,且将该半导体芯片(22)电气耦接至该或该等被动组件。