公开(公告)号：CN110349992A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201811086256.3

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  鲜于文旭 ,  具本原 ,  卢卓均 ,  李昌承

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。

公开(公告)号：CN110115589A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910106688.4

申请日：2019-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  朴敬培 ,  李东宣 ,  韩文奎 ,  卢卓均 ,  林允熙 ,  陈勇完 ,  堤清彦

IPC: A61B5/1455 ,  A61B5/0205

Abstract: 一种脉搏血氧仪可以包括具有波长选择性的光电转换器件，使得低输出LED可以被包括在该脉搏血氧仪中以防止皮肤损伤并降低功耗。该脉搏血氧仪包括配置为发射白光的发光器件和配置为检测从发光器件接收到的透射光的传感器。传感器包括配置为感测光的特定近红外波长谱的近红外有机光电转换器件和配置为感测光的特定红色波长谱的红色光电转换器件。

公开(公告)号：CN109216421A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810724274.3

申请日：2018-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑七熙 ,  李相润 ,  陈勇完 ,  朴敬培 ,  李光熙

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3234 ,  G06F3/0416 ,  G06K9/0004 ,  G06K9/00228 ,  G06K9/00604 ,  H01L27/307 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3225

Abstract: 公开了一种OLED面板，其嵌入有用于实现生物识别而不影响OLED发射器的开口率的近红外有机光电传感器。该OLED面板包括基板、设置在基板上并发射可见光的OLED堆叠、以及设置在基板与OLED堆叠之间并包括NIR检测器和发射NIR光的NIR发射器的NIR光电传感器堆叠。

公开(公告)号：CN105622573A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510828964.X

申请日：2015-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林宣晶 ,  卢卓均 ,  八木弹生 ,  朴敬培 ,  尹晟荣 ,  陈勇完 ,  许哲准

IPC: C07D345/00 ,  C07D421/06 ,  C07D421/12 ,  C07D333/46 ,  C07F7/10 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/006 ,  C07D333/36 ,  C07D333/48 ,  C07D345/00 ,  C07D421/06 ,  C07F7/081 ,  C09B23/04 ,  C09B47/00 ,  C09B57/00 ,  C09B57/008 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/42 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549 ,  C07D333/46 ,  C07D421/12 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0074

Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件，所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。在化学式1中，各取代基与具体实施方式中定义的相同：[化学式1]。

公开(公告)号：CN103050505A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210387179.1

申请日：2012-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教轸 ,  誥成后藤 ,  金奎植 ,  金允璟 ,  朴敬培 ,  徐振豪 ,  薛相哲 ,  李景镐 ,  李光熙

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L21/77 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/424 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种有机像素，包括：包括像素电路的半导体基板；互连层，具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极；和形成在互连层上的有机光电二极管。例如，有机光电二极管包括：形成在第一电极上的绝缘层；第二电极；和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米，例如10微米。

公开(公告)号：CN102136499A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110031440.X

申请日：2011-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亿洙 ,  李相润 ,  柳明官 ,  朴敬培

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT可包括浮置沟道和绝缘层，浮置沟道在沟道表面上形成为与源极和漏极分隔开，绝缘层形成在浮置沟道上并设计为控制浮置沟道与源极或漏极之间的距离。

公开(公告)号：CN100479170C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101150142A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154785.8

申请日：2007-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  金钟万 ,  权章渊 ,  朴敬培

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示器以及制造其的方法，该有机电致发光显示器包括：有机发光二极管；驱动晶体管，其驱动所述有机发光二极管；以及开关晶体管，其控制所述驱动晶体管的操作，其中所述开关晶体管以及所述驱动晶体管的有源层使用具有不同密度的硅化物来晶化，从而所述驱动晶体管的所述有源层比所述开关晶体管的所述有源层具有更大的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN1770472A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410075872.0

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  权章渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜，热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜，在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜，以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜，而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。