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公开(公告)号：CN106099090B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610609648.8
申请日：2011-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。
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公开(公告)号：CN103326060B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201310091003.6
申请日：2013-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 栗城和贵
IPC: H01M10/052 , H01M4/13 , H01M4/70
Abstract: 提供一种蓄电装置以及电气设备，该蓄电装置具有高放电特性，且具有透光性。该蓄电装置包括：具有平面形状是网状的第一集电体、第一集电体上的第一活性物质层、第一活性物质层上的固体电解质层、固体电解质层上的第二活性物质层、以及第二活性物质层上的第二集电体。
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公开(公告)号：CN102983335B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201210317652.9
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/68 , H01G11/06 , H01G11/28 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M10/052 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明的目的是提供一种充放电循环特性及比率特性高且不容易发生活性物质的剥离等导致的劣化的电极及蓄电装置。在蓄电装置的电极中，通过使用如下电极可以提高蓄电装置的充放电循环特性，该电极包含：集电体；该集电体上的第一活性物质层；以及该活性物质层上的包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的第二活性物质层。再者，通过使粒状活性物质与具有氧化铌的粒子接触，由此粒状活性物质被物理地固定，从而能够抑制伴随蓄电装置的充放电的活性物质的膨胀或收缩导致活性物质的微粉化或活性物质从集电体上剥离等劣化。
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公开(公告)号：CN106953078A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710187230.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/133 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/465 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。
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公开(公告)号：CN106099090A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610609648.8
申请日：2011-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38 , H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M10/42
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/661 , H01M4/662 , H01M4/667 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115 , H01M4/386 , H01M4/366 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103238240B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180058641.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/366 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/68 , H01G11/72 , H01M4/382 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明提供一种蓄电装置，该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量，并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中，在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料，并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量，还可以改善循环特性及充放电效率。
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公开(公告)号：CN101425454B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200810173827.7
申请日：2008-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是将氮化硅膜等用作接合层的情况，也可以降低支撑衬底和半导体衬底之间的结合不良的产生的SOI衬底的制造方法。此外，本发明还有一个目的是提供一种可以抑制工序的增加的SOI衬底的制造方法。其步骤如下：准备半导体衬底、以及支撑衬底，在半导体衬底上形成氧化膜，通过透过氧化膜对半导体衬底照射被加速的离子以在距半导体衬底的表面有预定的深度中形成剥离层，在照射离子之后在氧化膜上形成含有氮的层，使半导体衬底与支撑衬底相对并使含有氮的层的表面和支撑衬底的表面接合，加热半导体衬底使其以剥离层为界线分离以在支撑衬底上中间夹着氧化膜以及含有氮的层形成单晶半导体层。
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公开(公告)号：CN103367787A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310097723.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01G9/28 , H01G9/025 , H01G9/15 , H01G11/06 , H01G11/08 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/56 , H01L28/40 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明涉及蓄电元件及蓄电元件的制造方法以及蓄电装置。本发明的课题是提供一种在同一平面内设置正极及负极的蓄电元件以及一种在同一平面内配置有该蓄电元件的蓄电装置。本发明的一个方式是一种蓄电元件，包括形成在同一平面内的正极集电体层及负极集电体层、正极集电体层上的正极活性物质层、负极集电体层上的负极活性物质层以及至少接触于正极活性物质层及负极活性物质层的电解质层。此外，本发明的一个方式是一种蓄电装置，其中在同一平面内配置有多个该蓄电元件，通过布线将该多个蓄电元件电连接，并且蓄电元件被串联连接或并联连接的蓄电装置。
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公开(公告)号：CN103326060A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310091003.6
申请日：2013-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 栗城和贵
IPC: H01M10/052 , H01M4/13 , H01M4/70
CPC classification number: H01G9/048 , H01G11/04 , H01G11/08 , H01G11/28 , H01G11/70 , H01M4/131 , H01M4/74 , H01M10/052 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种蓄电装置以及电气设备，该蓄电装置具有高放电特性，且具有透光性。该蓄电装置包括：具有平面形状是网状的第一集电体、第一集电体上的第一活性物质层、第一活性物质层上的固体电解质层、固体电解质层上的第二活性物质层、以及第二活性物质层上的第二集电体。
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公开(公告)号：CN103326028A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093081.X
申请日：2013-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/70 , H01G11/66 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/64 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0565 , H01M10/058 , H01M10/0585 , H01M10/0587 , H01M2220/30 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明的目的之一是蓄电装置的轻量化。剥离成为负极集流体的金属片，而形成新的负极集流体。例如，通过在钛片上形成用作负极活性物质层的硅之后进行加热工序，可以剥离钛片。然后，形成具有10nm以上且1μm以下的厚度的新的负极集流体。由此，可以实现蓄电装置的轻量化。
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