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公开(公告)号：CN105067034A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510442058.6
申请日：2015-07-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/硅阵列式智能温湿度传感器，所述的湿度传感器包括电源模块，阵列式温湿度传感器模块，电流检测模块，A/D转换模块，微处理器模块，输入模块，输出模块。所述的阵列式温湿度传感器模块包括n型硅基体、二氧化硅绝缘层、2×2阵列硅窗口、石墨烯、顶电极和底电极。本发明的智能温湿度传感器基于石墨烯/硅肖特基结构，该石墨烯/硅肖特基结与传统金属/半导体肖特基结有着明显差异，具有多子传输速度快，反应灵敏等特点。本发明的温湿度传感器采用独特的阵列式结构可运用于智能手机，智能可穿戴，智能家居等设备所需的传感器当中。
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公开(公告)号：CN104157721A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410390871.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1075 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法，所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极，与衬底硅形成MSM型结构光电探测器。该光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题；抗反射层增强入射光的吸收，增强光生电流；在较大的反向偏压作用下，石墨烯叉指电极之间产生很强的电场，光生载流子与硅晶格易于产生碰撞离子化，获得很高的增益。本发明具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN104157720A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410390462.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1075 , H01L27/1443 , H01L31/022466 , H01L31/1136 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种混合结构的石墨烯硅基雪崩光电探测器及制备方法，所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅岛、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯薄膜和底电极。本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与硅接触形成肖特基结；石墨烯覆盖在二氧化硅岛的上表面与硅衬底形成金属/氧化层/半导体结构。该探测器的总电流为肖特基结和MOS结构产生的电流之和，这两种机制产生的光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得很高的增益。本发明采用的制备工艺简单，成本低廉，具有响应度高，响应速度快，内部增益大，开关比小，易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN103943562A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410194398.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/53228 , H01L21/76838 , H01L23/53238
Abstract: 本发明公开的具有石墨烯的互连线，在绝缘基板上自下而上依次有石墨烯层和铜导电层。其制备步骤包括：将石墨烯转移到经清洗的绝缘基板上，使用光刻的方法对石墨烯进行图形化，然后通过电镀的方法在该石墨烯上形成铜导电层。本发明的互连线以石墨烯作为导电层的扩散势垒层，降低了扩散势垒层的厚度，有利于器件的小型化，并可降低导电层的表面粗糙度，提高其电导。石墨烯既作为金属化层，又作为导电层的扩散势垒层，简化了制备工艺。
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