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公开(公告)号：CN217280848U
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202220041947.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS热电探测芯片和热电探测仪，所述MEMS热电探测芯片包括：衬底层、绝缘支撑层、以及热电堆。所述热电堆包括依次电连接的多个第一热电偶对和至少一个第二热电偶对。所述第一热电偶对的热端设置于对应所述衬底层的开口的区域，所述第一热电偶对的冷端设置于对应所述开口之外的区域。而所述第二热电偶对的热端和冷端则均设置于对应所述开口之外的区域。本申请通过在所述衬底层的开口之外的区域上方设置所述第二热电偶对，使其热端和冷端均设置于对应所述开口之外的区域，因此可以降低外部电磁辐射耦合到MEMS热电堆结构上产生的热量，从而减小电磁辐射对所述MEMS热电探测芯片的温度测试的干扰。
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公开(公告)号：CN216899367U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220521889.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种可变电容结构及压力传感器，其中可变电容结构包括：衬底以及沿所述衬底的厚度方向设置的至少一个电极对，每个所述电极对包括第一电极以及第二电极，第一电极和第二电极之间具有第一凹槽，其中，每个电极对的至少一侧设置有第二凹槽，当第一凹槽与外部气体连通并且在第一凹槽内的压力变化时，构成每个电极对的第一电极和第二电极之间的极板间距发生改变，从而构成可变电容，在此结构中，电极沿衬底厚度方向设置，从而在制备更小尺寸的芯片时，无需减小极板的厚度，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN216752097U
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202220227600.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS麦克风及MEMS器件，包括：依次位于衬底上的第一牺牲层、背极板、第二牺牲层、振膜、第一电极和第二电极；导电通道，与所述振膜电隔离，与所述背极板电连接，其中，所述第一电极与所述导电通道电连接，所述第二电极与所述振膜电连接；所述第二牺牲层具有隔断区域，所述第一电极位于所述第二牺牲层上方；所述背极板包括导电层，所述第一电极与所述导电层在衬底上的投影不重合。本申请的MEMS麦克风，通过增加第一电极与衬底之间的连续绝缘距离来降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN216357173U
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202122464432.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种微机电结构、麦克风和终端，该微机电结构包括：背板；第一振膜结构，被绝缘支撑于背板的第一表面，包括第一导电层；以及第二振膜结构，被绝缘支撑于背板的第二表面，包括第二导电层，其中，第一振膜结构还包括覆盖第一导电层并与背板的第一表面相对的第一保护层，和/或，第二振膜结构还包括覆盖第二导电层并与背板的第二表面相对的第二保护层。在双振膜微机电结构中，通过将振膜结构设置为保护层与导电层的叠层复合结构，利用保护层对振膜的导电层进行保护，从而改善了在高温高湿环境下振膜的导电层容易被侵蚀氧化以发生变形的问题。
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公开(公告)号：CN215734827U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202121945295.1
申请日：2021-08-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本公开提供一种电容式麦克风芯片和麦克风，该电容式麦克风芯片包括衬底、振膜层、背板和第一支撑层。衬底包括第一通孔。振膜层位于衬底上且覆盖第一通孔。背板位于振膜层的背离衬底的一侧，背板覆盖第一通孔。第一支撑层位于振膜层和背板之间，第一支撑层包括与第一通孔重叠的第二通孔。第二通孔的侧壁包括面向背板的第一边缘和面向振膜层的第二边缘，以及第一边缘在衬底上的正投影位于第二边缘在衬底上的正投影的内侧。第一支撑层可以保证对背板的有效支撑的情况下，减小第一支撑层和振膜层的接触面积，以增加振膜层的可振动面积，从而提高电容式麦克风芯片的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215647355U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202122119073.0
申请日：2021-09-03
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构与晶圆、麦克风和终端，该微机电结构包括：堆叠衬底、第一支撑部、第一功能层、第二支撑部、第二功能层、第三支撑部以及第三功能层，其中，第一功能层与第三功能层为振膜和背板中的一种，第二功能层为振膜和背板中的另一种，第一功能层具有主下沉部，沿第一支撑部的内侧壁延伸至衬底上，第二功能层具有主下沉部，沿第二支撑部的内侧壁延伸至第一功能层上，第三功能层具有主下沉部，沿第三支撑部的内侧壁延伸至第二功能层上。该微机电结构为双背板或者双振膜结构，通过在各功能层中设置主下沉部，不仅从结构上限制了背板与振膜的有效尺寸，而且还能增加背板与振膜边缘处的强度，从而提高了产品的性能。
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公开(公告)号：CN215420761U
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202122019204.8
申请日：2021-08-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 公开了一种MEMS麦克风结构，包括：基板，具有贯穿所述基板的通孔；封装壳体，设置在所述基板的第一表面上，与所述基板围成第一空腔；MEMS芯片和ASIC芯片，设置在所述空腔内的所述基板第一表面上，所述MEMS芯片包括背腔，所述MEMS芯片的背腔位于所述通孔上方，与所述通孔连通；连接部，设置在所述基板的第二表面上，并围绕所述基板的四周形成环形；电路板，通过所述连接部与所述基板固定在一起，并与所述连接部和所述基板形成第二空腔，所述第二空腔经由所述通孔与所述背腔连通。本申请的MEMS麦克风结构，通过电路板与基板形成第二空腔，第二空腔经由通孔与背腔连接，从而增加MEMS芯片的背腔体积，进而提高MEMS麦克风结构的信噪比。
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公开(公告)号：CN215403076U
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202121605628.6
申请日：2021-07-15
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构、麦克风和终端，该微机电结构包括：衬底，具有腔体；第一支撑部，位于衬底上；振膜，位于第一支撑部上；第二支撑部，位于振膜上；以及背板，位于第二支撑部上，其中，振膜包括：中心部、边缘部以及多个间隔的梁结构，边缘部环绕中心部并分别与第一支撑部和第二支撑部相连，多个梁结构位于中心部与边缘部之间，并且分别与中心部和边缘部相连。该微机电结构通过将振膜分隔为中心部与围绕中心部的边缘部，并且利用多个间隔的梁结构将中心部与边缘部连接，从而增加了振膜的形变能力，进而增加了微机电结构的灵敏度。
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公开(公告)号：CN215249543U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202120748096.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种芯片结构和器件，该芯片结构包括至少一个划片道区域，至少一个划片道区域将芯片结构划分为至少两个功能区，芯片结构还包括至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽，第一凹槽位于至少一个划片道区域，第一凹槽的深度小于芯片结构的厚度，第二凹槽位于功能区，第一凹槽和第二凹槽由对芯片结构的同一刻蚀工艺中形成。上述结构的芯片结构有利于器件的小型化设计，并具有较高的切割效率，且第一凹槽的设置不会增加芯片结构的制造工艺流程。
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公开(公告)号：CN214851819U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121267953.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构、麦克风和终端，该微机电结构包括：衬底，具有腔体；第一支撑部，位于衬底上；振膜，位于第一支撑部上；第二支撑部，位于振膜上；以及背板，位于第二支撑部上，与振膜之间具有间隙，其中，振膜具有至少一个开槽，各开槽均连通腔体与间隙，且各开槽位于腔体在振膜上的正投影范围之外。该微机电结构通过在振膜上形成连通腔体和间隙的开槽，从而达到通过开槽泄气以平衡振膜两侧压力的目的，又由于开槽与衬底腔体相互错开，减小了开槽对振膜的影响，从而改善了产品的低频响应特性。
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