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公开(公告)号：CN117263139A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311536586.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。压阻式压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件包括压敏电阻；第一介质层，位于压敏感应组件远离第一衬底的一侧，第一介质层内设有空腔，空腔贯穿第一介质层，沿第一衬底的厚度方向，空腔的正投影覆盖压敏电阻的正投影；第二衬底，第二衬底朝向第一衬底的一侧设有用于引线键合的多个引线键合区，引线键合区与压敏电阻电连接；第一介质层与第二衬底朝向第一衬底的一侧贴合；第一衬底的正投影位于第二衬底的正投影内，引线键合区位于第一衬底的正投影之外。本申请通过在第一介质层内形成空腔，空腔的高度一致性好，限位一致性好，制作工序简单。
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公开(公告)号：CN117168546A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311442947.3
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01D21/02 , B81C3/00 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01D5/16 , G01L1/20 , G01L9/02 , G01K7/16
Abstract: 本申请提供一种温压复合式传感器及其制备方法、封装结构。其中，温压复合式传感器，包括：第一基板；第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板和所述第一基板围合有腔体；压力敏感电阻，所述压力敏感电阻位于所述腔体内；温度敏感电阻，所述温度敏感电阻位于所述腔体外。本申请提供的一种温压复合式传感器，可以进行温度和压力的同时测量，且在提高了温度测量的准确性的前提下，同时提高了温压复合式传感器的可靠性和稳定性，同时可以测量来自不同方向的压力，还可以避免温度对压力测量结果的干扰，从而提高压力测量的准确性。
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公开(公告)号：CN116374942B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310667562.0
申请日：2023-06-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种惯性和压力传感器集成的微机电构件，包括：衬底、器件结构和盖顶结构，所述器件结构包括可动质量块、用于固定所述可动质量块的第一锚点、以及固定质量块，所述可动质量块上设置有第一镂空槽，所述固定质量块位于所述第一镂空槽内，所述固定质量块构成第一电极，在盖顶结构上设置有可动电极区域，可动电极区域构成第二电极，其中，在衬底的厚度方向上，所述第一电极和所述第二电极二者的投影交叠，以构成压力检测电容。本发明提供的技术方案实现了在不改变惯性传感器体积的基础上集成有压力传感器，能够同时进行惯性感测和压力检测。
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公开(公告)号：CN115594145B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211592331.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Inventor： 吕萍
Abstract: 本发明提供了一种电容式压力传感器及其制作方法，旨在通过在设置有信号处理电路结构的所述衬底上制作电容式压力传感器，以解决现有的电容式压力传感器的封装尺寸过大以及由于多层材料之间的热膨胀系数的差异所产生的应力，从而导致电容式压力传感器的性能退化的问题。并且所述电容式压力传感器的参考电容的制作方法简单，在施加压力时，能够维持参考电容输出的电容值不变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108760100B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810314543.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种差压压力传感器的制备方法，解决了感压薄膜较薄时线性度和可靠性较差的问题。该制备方法包括：制备带有腔体的绝缘体晶圆，该带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层，衬底层和氧化层之间包括位于衬底层内的环形腔体；在器件层的表面制备压敏电阻；刻蚀掉环形腔体的正投影范围内的部分衬底层至露出环形腔体。
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公开(公告)号：CN108760100A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810314543.9
申请日：2018-04-10
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种差压压力传感器的制备方法，解决了感压薄膜较薄时线性度和可靠性较差的问题。该制备方法包括：制备带有腔体的绝缘体晶圆，该带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层，衬底层和氧化层之间包括位于衬底层内的环形腔体；在器件层的表面制备压敏电阻；刻蚀掉环形腔体的正投影范围内的部分衬底层至露出环形腔体。
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公开(公告)号：CN106477512B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611047735.5
申请日：2016-11-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了种压力传感器及其封装方法,所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片,所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜,所述腔体呈扁平状,所述衬底上设有的第焊盘;所述基板设有电连接至第焊盘的第二焊盘;所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第围坝、设置于基板上且不超出所述第围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第围坝相抵接的承压部件,其中,第焊盘位于第围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法,避免敏感膜直接承受外界应力,降低破损几率,同时通过硬质密封层实现更好的防护,延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN109809355B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910166629.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成若干间隔排列的第一孔；进行第一热处理，使得若干所述第一孔合并成悬空的第一真空腔；形成与所述第一真空腔连通的沟槽以及由所述沟槽环绕的感应本体。该方法简化了压力传感器的制造工艺。同时制备的压力传感器，其感压薄膜受外界应力的影响较小。
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公开(公告)号：CN119063897A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565093.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于MEMS工艺的六维力传感器，包括力传感器芯片，所述力传感器芯片包括位于所述力传感器芯片中心位置的质量块，以及连接所述质量块与芯片外框的弹性梁；所述弹性梁上设置有力敏电阻；底部结构，设置在垂直于所述力传感器芯片表面的方向，用于容纳所述力传感器芯片；顶部结构，位于所述力传感器芯片一侧，通过中间结构连接所述力传感器芯片。
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