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公开(公告)号：KR101736337B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020110017565
申请日：2011-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/00 , G06F11/1012 , G06F11/108 , G06F12/00 , G06F12/14 , G11C11/00 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3418
Abstract: 비휘발성메모리장치가개시된다. 상기비휘발성메모리장치는프로그램데이터를저장하는메모리셀 어레이와, 하드디시젼리드전압및 적어도하나이상의소프트디시젼리드전압을형성하는전압발생회로와, 랜덤시퀀스를발생시키는랜덤시퀀스발생회로와, 비트라인을통해상기메모리셀 어레이와연결되고, 상기랜덤시퀀스, 상기하드디시젼리드전압인가로인해리드된하드디시젼데이터와, 상기소프트디시젼리드전압인가로인해리드된소프트디시젼데이터를저장하는적어도하나의래치를포함하는페이지버퍼와, 상기프로그램데이터및 상기랜덤시퀀스를상기페이지버퍼에선택적으로전달하는멀티플렉서회로와, 상기랜덤시퀀스발생회로, 상기페이지버퍼, 및상기멀티플렉서회로를제어하는컨트롤로직을포함하며, 상기컨트롤로직의제어에따라, 상기페이지버퍼는상기랜덤시퀀스를사용하여상기하드디시젼데이터를디랜덤마이징하고상기소프트디시젼데이터는디랜덤마이징되지않는다.
Abstract translation: 公开了一种非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括：存储单元阵列，其存储的节目数据时，硬判决读取电压和至少一个软判决作为用于形成读出电压的电压产生电路，以及用于产生随机序列的随机序列发生器，位 并且由于应用软判决引线电压而读取的软判决数据和由于判定引线电压的硬应用而读取的硬判决数据被存储在存储器单元阵列中。 所述页缓冲器，和用于控制该多路复用器电路的控制逻辑，至少页缓冲器包括一个锁存器，多路复用器电路选择性地转移到页缓冲器，该程序数据和该随机序列，以及电路的随机序列产生， 其中页面缓冲器在控制逻辑的控制下， 去指示数据的去随机化，并且软变性数据不是去随机化的。
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公开(公告)号：KR101736792B1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020100092583
申请日：2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/10 , G11C16/3404
Abstract: 본발명의실시예에따른메모리시스템은데이터를저장하기위한플래시메모리; 및상기플래시메모리를제어하기위한메모리컨트롤러를포함하되, 상기플래시메모리는자체적으로인터리빙동작을수행한다. 본발명의실시예에따른메모리시스템에의하면, 비트에러율불균형을완화할수 있고, ECC 회로의오버헤드를줄일수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的存储系统包括用于存储数据的闪存; 并且存储器控制器用于控制闪存，闪存自己执行交织操作。 根据本发明实施例的存储器系统，可以减轻误码率不平衡，并且可以减少ECC电路的开销。
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公开(公告)号：KR101678407B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020100043613
申请日：2010-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1048 , G11C29/10 , G11C2029/0411 , H03M7/46
Abstract: 본발명에따른저장장치는, 복수의메모리셀들을포함하는불휘발성메모리장치, 그리고프로그램데이터의배열을조정하여상기복수의메모리셀들에프로그램하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기복수의메모리셀들중 인접한메모리셀들상호간의물리적간섭을야기하는특정데이터패턴을상기프로그램데이터로부터제거한다.
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公开(公告)号：KR101670922B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020090072917
申请日：2009-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5642 , G06F11/1072
Abstract: 본발명에따른메모리시스템은, 독출동작시선택된메모리셀들각각으로부터감지되는복수의아날로그신호들을출력하는반도체메모리장치와, 각각의상기복수의아날로그신호들을이진데이터로전환하는변환기, 및상기이진데이터를참조하여에러정정연산을수행하는메모리컨트롤러를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160110596A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150032481
申请日：2015-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F2212/7205 , G11C16/16 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/3404 , G11C16/3495
Abstract: 본발명에따른저장장치는, 물리블록보다작은서브-블록단위로소거동작이가능한불휘발성메모리장치; 그리고복수의서브-블록들중 가비지컬렉션희생서브-블록을선택하고, 선택된희생서브-블록을소거하여프리서브-블록을생성하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는서브-블록에대한유효페이지정보와상기서브-블록과인접한메모리셀들의유효페이지정보를이용하여상기가비지컬렉션희생서브-블록을선택한다.
Abstract translation: 根据本发明，一种存储装置包括：非易失性存储装置，其能够通过小于物理块的子块单元进行消除操作; 以及存储器控制器，其选择所述多个子块中的垃圾收集牺牲子块，并且消除所选择的牺牲子块以生成空闲子块。 存储器控制器通过使用关于子块的有效页面信息和与子块相邻的存储单元的有效页面信息来选择垃圾收集牺牲子块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101653262B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020100033422
申请日：2010-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3436
Abstract: 여기에는행들과열들로배열된메모리셀들을갖는멀티-비트메모리의프로그램방법이제공되며, 프로그램방법은선택된워드라인의메모리셀들에대한 1-스텝프로그램동작, 거친프로그램동작, 그리고정교한프로그램동작을수행하는것을포함한다. 상기정교한프로그램동작은이니셜읽기동작을통해상기선택된워드라인의메모리셀들로부터읽혀진 1-스텝프로그램된데이터와, 거친프로그램된데이터에의거하여행해진다.
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公开(公告)号：KR101641147B1
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020100007108
申请日：2010-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사 , 한양대학교 산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H03M13/11
CPC classification number: H03M13/47 , H03M13/235 , H03M13/6362 , H03M13/6368 , H03M13/6375
Abstract: 인코딩장치는인코더및 천공부를포함한다. 인코더는정보비트들에기초하여패리티비트들을생성한다. 천공부는정보비트들이잔여패리티비트들의생성에관여하는지여부에관한제1 기준및 잔여패리티비트들의위치에관한제2 기준을만족하는천공패턴에기초하여패리티비트들을천공한다. 인코딩장치는높은부호율을가지며에러정정이가능한부호를생성할수 있다.
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88.发明公开
公开(公告)号：KR1020160072612A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：KR1020140180491
申请日：2014-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G11C8/06 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0088 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H03M13/05 , H03M13/27 , G11C13/0059 , G11C13/0064 , G11C29/42 , G11C29/44
Abstract: 다수의레이어들을포함하는저항성메모리장치, 저항성메모리시스템및 저항성메모리시스템의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른다수개의레이어들을포함하는저항성메모리시스템의동작방법은, 기록요청및 제1 어드레스에대응하는제1 데이터를수신하는단계와, 상기제1 어드레스를제2 어드레스로변환함에따라, 상기제1 데이터로부터생성된 n 개의서브영역데이터들을상기다수개의레이어들로할당하는단계및 상기제2 어드레스에따라, 상기 n 개의서브영역데이터들을적어도두 개의레이어들에기록하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了包括多层的电阻式存储器件，电阻式存储器系统和用于操作电阻式存储器系统的方法。 根据本发明的技术思想，用于操作包括多层的电阻式存储器系统的方法包括以下步骤：接收对应于记录请求的第一数据和第一地址，分配从第一数据生成的非子区域数据 在第一地址被转换为第二地址的情况下，将多个子区域数据记录在至少两层中。 因此，可以提高由于多个层的特性之间的差异导致的数据可靠性降低的问题。
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公开(公告)号：KR101586046B1
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020090045838
申请日：2009-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1048 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/00
Abstract: 본발명의실시예에따른저장장치는, 데이터를저장하기위한저장유닛, 상기저장유닛으로부터적어도하나의읽기레벨로읽혀진데이터의에러를정정하기위한에러제어유닛, 및상기에러가정정가능하지않을때, 상기적어도하나의읽기레벨을제어하기위한읽기레벨제어유닛을포함하되, 상기읽기레벨제어유닛은상기저장유닛의메모리셀들의산포를측정하고, 상기측정된산포를필터링하고, 상기필터링된산포를근거로하여상기적어도하나의읽기레벨을재설정할것이다. 본발명에따른저장장치및 그것의읽기방법은읽기동작시필터링된산포를근거로하여읽기레벨을설정하도록구현됨으로써, 최적의읽기레벨을설정할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150143150A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140072296
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/1416 , G06F3/0619 , G06F3/062 , G06F3/0637 , G06F3/064 , G06F3/0688 , G06F11/1008 , G06F21/44 , G06F21/80 , G06F2212/1052 , G06F2221/2103
Abstract: 메모리장치, 메모리시스템및 메모리시스템의동작방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른메모리시스템의동작방법은, 제1 기능블록(function block) 및제2 기능블록을포함하는메모리시스템(memory system)의동작방법으로, 상기제1 기능블록으로부터수신되는제1 인증요청에응답하여, 상기제2 기능블록이상기메모리시스템의물리적특징을나타내는제1 인증응답을생성하는단계; 상기제1 인증요청에대응되는제1 패리티데이터(parity data)를이용하여, 상기제1 기능블록이수신된상기제1 인증응답을에러정정디코딩(error correction decoding) 하는단계; 및상기에러정정디코딩의성공여부에따라, 상기제2 기능블록에대한인증여부를달리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于存储器系统的存储器件，存储器系统和操作方法。 根据本发明的实施例，该方法用于操作包括第一功能块和第二功能块的存储器系统。 该方法包括：响应于从第一功能块接收的第一认证请求，第二功能块生成指示存储器系统的物理属性的第一认证响应的步骤; 第一功能块使用与第一认证请求对应的第一奇偶校验数据的步骤，对接收到的第一认证响应执行纠错解码操作; 以及根据纠错解码操作的成功或失败来设置第二功能块是否被认证的步骤。
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