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    그라펜 시트의 제조방법
    83.
    发明授权
    그라펜 시트의 제조방법 有权
    石墨烯片及其制备方法

    公开(公告)号：KR101538066B1

    公开(公告)日：2015-07-21

    申请号：KR1020140034132

    申请日：2014-03-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최재영 ,  신현진 ,  윤선미

    IPC: C01B31/02

    Abstract: 그라펜시트및 그의제조방법이제공되며, 원하는두께의대면적그라펜시트를경제적으로제조하는방법및 상기방법에의해얻어지는그라펜시트가제공된다.

    실리콘 카바이드 웨이퍼 상의 단일층 그래핀의 제조방법
    86.
    发明公开
    실리콘 카바이드 웨이퍼 상의 단일층 그래핀의 제조방법 审中-实审
    制作单层石墨的方法

    公开(公告)号：KR1020140010520A

    公开(公告)日：2014-01-27

    申请号：KR1020120076281

    申请日：2012-07-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 우윤성 ,  윤선미 ,  신현진 ,  이동욱 ,  최재영

    IPC: C01B31/02 ,  C01B31/36 ,  B01J19/10

    CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7781 ,  Y10S977/734 ,  C01B32/184 ,  B01J19/10 ,  C01B2204/02

    Abstract: Disclosed is a method for manufacturing single layer graphene on a silicon carbide wafer. The disclosed manufacturing method comprises the steps of: forming multiple graphene layers on an SiC wafer; removing multiple graphene layers from a buffer layer, which is the uppermost layer of the SiC wafer and is composed of carbon; and converting the buffer layer into the single layer graphene. [Reference numerals] (S110) Prepare SiC wafer; (S120) Form multiple graphene layers on the SiC wafer; (S130) Remove the multiple graphene layers from a buffer layer composed of carbon which is the uppermost layer of the SiC wafer; (S140) Convert the buffer layer to the graphene layer

    Abstract translation: 公开了一种在碳化硅晶片上制造单层石墨烯的方法。 所公开的制造方法包括以下步骤：在SiC晶片上形成多个石墨烯层; 从作为SiC晶片的最上层的缓冲层去除多个石墨烯层，由碳组成; 并将缓冲层转化为单层石墨烯。 （参考号）（S110）准备SiC晶片; （S120）在SiC晶片上形成多个石墨烯层; （S130）从作为SiC晶片的最上层的碳构成的缓冲层中除去多个石墨烯层; （S140）将缓冲层转换为石墨烯层

    변형된 기판 구조를 갖는 탄소 나노튜브 막 및 그 제조방법
    87.
    发明授权
    변형된 기판 구조를 갖는 탄소 나노튜브 막 및 그 제조방법 有权
    具有转化基板结构的碳纳米管（CNT）膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR101336963B1

    公开(公告)日：2013-12-04

    申请号：KR1020070089464

    申请日：2007-09-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신현진 ,  윤선미 ,  최재영 ,  손진승 ,  조은형

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: B81C1/00031 ,  Y10S428/901 ,  Y10S428/913 ,  Y10S428/918 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/30

    Abstract: 변형된 기판 구조를 갖는 탄소 나노튜브(CNT) 막 및 그 제조방법이 개시된다. 구체적으로 CNT 막은, 투명 기판, 투명 기판 위에 상호 이격되어 형성되는 복수 개의 3차원 입체 구조물; 및 복수 개의 3차원 입체 구조물이 형성되지 않은 투명기판 위에 증착된 CNT를 포함하는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 또한, CNT 막의 제조방법은, 투명 기판 위에 복수 개의 3차원 입체 구조물을 상호 이격되게 형성하는 단계; 및 복수 개의 3차원 입체 구조물이 형성된 기판 위에 CNT 용액을 증착시키는 단계를 포함하며, 복수개의 3차원 나노 입체 구조물이 형성되어 있지 않은 투명 기판 부분으로 CNT 용액의 증착이 일어나는 것을 특징으로 하는 구성을 갖는다. 이와 같은 구성에 따른 CNT 막 및 그 제조방법 에 따르면, CNT용액의 증착 메커니즘을 제어할 수 있고 이로써 CNT막의 투명성 증가시킬 수 있으며, 이러한 CNT 막을 포함하는 전극의 전기전도도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
    모세관 압력, 나노 임프린트, 포토리소그래피, 메니스커스

    액체막 형성방법, 이를 이용한 나노입자 배열방법 및 액체박막 기판
    89.
    发明授权
    액체막 형성방법, 이를 이용한 나노입자 배열방법 및 액체박막 기판 有权
    液膜的制造方法，使纳米颗粒和底物的方法具有使用其制造的液体薄膜

    公开(公告)号：KR101313812B1

    公开(公告)日：2013-09-30

    申请号：KR1020070090925

    申请日：2007-09-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  윤선미 ,  오병도 ,  한재용

    IPC: G02F1/13

    CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/0038 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/269

    Abstract: 기판상에 액체막을 형성하는 과정은 다음과 같다. 배면에 전극이 형성된 기판상에 친수성 액체를 도포한다. 친수성 액체를 커버하고, 소수성 액체로 이루어진 보호막을 기판상에 형성한다. 친수성 액체 및 보호막 사이의 표면장력을 감소하는 계면활성제를 분산한다. 친수성 액체와 전극에 전압을 인가하여 기판상에 친수성 액체를 습윤한다. 계면활성제와 전기습윤 원리에 의해 친수성 액체와 기판사이의 접촉각을 조절할 수 있다. 따라서, 기판상에 나노 사이즈의 균일한 두께를 갖는 액체막을 형성할 수 있다. 또한, 보호막에 의해 액체막이 공기 중에 증발되는 것을 방지할 수 있으므로 액체막의 안정성을 확보할 수 있다.
    전기 습윤, 액체막, 나노, 계면 활성제, 친수성 액체, 소수성 액체

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