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公开(公告)号：KR102232756B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020140059966A
申请日：2014-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/267 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02527 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/324 , H01L29/1606 , H01L29/66015 , H01L31/028 , Y02E10/547
Abstract: 그래핀-반도체 멀티 접합을 갖는 전자소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 전자소자는 적어도 하나의 그래핀 돌기를 갖는 그래핀층과 이러한 그래핀층을 덮는 반도체층을 포함한다. 상기 그래핀 돌기의 측면은 비평면으로 멀티 에지(edge)를 가질 수 있는데, 상기 그래핀 돌기는 계단식 측면을 가질 수 있다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정(nano-crystal) 그래핀을 포함한다. 상기 그래핀층은 복수의 나노 결정 그래핀을 포함하는 하부 그래핀층과 상기 하부 그래핀층 상에 형성된 상기 그래핀 돌기를 포함한다. 상기 반도체층은 전이금속 디켈코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide)(TMDC)층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 그래핀 돌기는 각각 복수의 나노 결정 그래핀을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210027893A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190108930A
申请日：2019-09-03
CPC classification number: C30B29/38 , H01L21/0254 , C01B21/0641 , C01B21/0643 , C01B21/0646 , C23C16/0227 , C23C16/342 , C23C16/50 , C30B25/105 , C30B25/165 , C30B29/403 , C30B30/00 , H01L21/02491 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/0847 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/66015 , C01P2004/40
Abstract: 800℃ 이하의 비교적 저온에서 육방정계 질화붕소를 에피택셜 성장시키는 육방정계 질화붕소의 제조 방법이 개시된다. 개시된 실시예에 따르면, 육방정계 결정구조를 가지며 육방정계 질화붕소(h-BN)와의 격자 부정합이 15% 이하인 촉매 금속을 챔버 내에 배치하는 단계; 및 질소 공급원 및 붕소 공급원을 상기 챔버 내에 공급하면서 800℃ 이하의 온도에서 상기 촉매 금속 위에 육방정계 질화붕소를 성장시키는 단계;를 포함하는 육방정계 질화붕소의 제조 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR20210030775A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190112370A
申请日：2019-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/02631 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L21/02205 , H01L21/02667 , H01L21/28194 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L21/02568 , H01L21/02592 , H01L21/02595
Abstract: 금속 칼코게나이드 박막의 형성방법 및 이를 포함하는 소자의 제조방법을 개시한다. 본 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법은, 스터퍼링 공정으로 금속 칼코게나이드 박막을 기판상에 증착시키고, 증착된 금속 칼코게나이드 박막을 열 처리하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102216543B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140072972
申请日：2014-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 그래핀-금속접합구조체및 그제조방법, 그래핀-금속접합구조체를구비하는반도체소자가개시된다. 개시된그래핀-금속접합구조체는그래핀층과, 상기그래핀층상에마련되는금속층과, 상기그래핀층과상기금속층사이에마련되는것으로, 그구성물질의경계부분이상기금속층과접촉하여에지-컨택을형성하는중간물질층을포함한다.
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公开(公告)号：KR101732177B1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020090101727
申请日：2009-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 박막트랜지스터및 이를구비한평판표시장치가제공된다. 상기박막트랜지스터는반도체층으로서그라펜함유층을사용함으로써전기적특성을개선하는것이가능해진다.
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公开(公告)号：KR1020170014870A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108864
申请日：2015-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L23/485 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L29/45
Abstract: 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.
Abstract translation: 多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。 第二材料层连接到第一材料层。 第二材料层与第一材料层间隔开。 扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。 扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。 第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。 多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。
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公开(公告)号：KR1020170011796A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150105075
申请日：2015-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/02118 , H01L21/02274
Abstract: 2차원물질하드마스크와그 제조방법및 2차원물질하드마스크를이용한물질층패턴형성방법에관해개시되어있다. 개시된 2차원물질하드마스크는수소(H)와산소(O)를포함하고, 층상의결정구조를갖는 2차원물질층을포함한다. 상기 2차원물질층은탄소구조체(예, 그래핀시트)를포함하는물질층일수 있다. 상기 2차원물질층은비탄소구조체를포함하는물질층일수 있다.
Abstract translation: 2D材料硬掩模包括氢，氧和具有层状晶体结构的2D材料层。 2D材料层可以是包括碳结构（例如，石墨烯片）和非碳结构之一的材料层。
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