公开(公告)号：KR1020060060156A

公开(公告)日：2006-06-05

申请号：KR1020040099055

申请日：2004-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성원 ,  이석주 ,  김호철 ,  조한구 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/28 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70641 ,  G03F1/14

Abstract: 초점 모니터링 마스크 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 초점 모니터링 마스크는 투명 기판과 상기 투명 기판 상에 복수의 투광부들을 갖는 차광막을 포함한다. 여기에서, 투광부는 0
o 및 180
o 를 포함한 세 개 이상의 서로 다른 위상차를 갖는 위상 변조부들을 포함한다. 또한, 위상 변조부들은 위상차들의 순서에 따라 배열된다.

公开(公告)号：KR1020020024418A

公开(公告)日：2002-03-30

申请号：KR1020000056157

申请日：2000-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍진석 ,  조한구

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70333

Abstract: PURPOSE: An exposure method for improving a depth of focus in a small contact pattern is provided to control a side lobe phenomenon of a phase shift mask by using multiple focus exposure method, and to solve a contrast problem by using an attenuated phase shift mask. CONSTITUTION: A photoresist layer is formed on a semiconductor substrate. Light having at least one depth of focus is irradiated by using the attenuated phase shift mask so that a small contact pattern is formed on the photoresist layer. The small contact pattern is not greater than 200 nanometer.

Abstract translation: 目的：提供用于改善小接触图案中的焦深的曝光方法，以通过使用多焦点曝光方法来控制相移掩模的旁瓣现象，并且通过使用衰减的相移掩模来解决对比度问题。 构成：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层。 通过使用衰减的相移掩模照射具有至少一个焦点深度的光，使得在光致抗蚀剂层上形成小的接触图案。 小触点图案不大于200纳米。

公开(公告)号：KR100240867B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970018026

申请日：1997-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경희 ,  조한구

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 투과광의 세기 저하를 보상하는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것으로, 포토마스크 기판과, 상기 포토마스크 기판상에 형성된 광차단막과, 상기 광차단막상에 광투과 영역과 광차단 영역을 정의하여 형성된 콘택 패턴들을 포함하고, 상기 포토마스크 기판상에는 정상 콘택 패턴과 비정상 콘택 패턴이 함께 형성되어 있고, 상기 비정상 콘택 패턴은 상기 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 좁은 광투과 영역을 갖는다. 이 때, 상기 비정상 콘택 패턴의 일측 광차단막을 식각하여 상기 정상 콘택 패턴의 광투과 영역보다 상대적으로 넓은 광투과 영역을 갖도록 한다. 이와 같은 방법에 의해서, 오패크 결함을 갖는 비정상 패턴을 정상 콘택 패턴보다 상대적으로 더 넓은 콘택 패턴이 되도록 수정함으로써 포토마스크 기판 손상에 따른 투과광의 세기 저하를 보상할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970049064A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950066982

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한구

IPC: G03F7/20

Abstract: 전자빔을 이용한 노광에 있어서, 우수한 패턴 균일도와 에지프로파일을 갖도록 하는 최적의 노광조건을 결정하는 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 가우시안 빔 에너지 분포를 가지는 전자빔 노광 장치를 이용하여 x, y평면상에 균일한 패턴을 노광하기 위한 최적의 노광 조건을 결정하는 방법에 있어서, 실제적인 가우시안 빔을 균일한 분포를 가진 등가 빔으로 대체하여 소정의 경계조건으로부터 등가 빔의 반경 r에 따라 변하는 강도함수를 구하고, 상기 강도함수로부터 최적 노광조건을 제공하는 어드레스 사이즈와 빔 스팟 사이즈의 비(ratio)를 구하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 우수한 패턴 균일도 및 에지 프로파일을 얻을 수 있는 최적의 노광 조건을 결정할 수 있으며, 노광 공정에 소요되는 시간을 절약할 수 있다.