公开(公告)号：KR1019970002433B1

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：KR1019930032281

申请日：1993-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고균희 ,  김일호 ,  김철희 ,  안웅관

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B65H35/0013 ,  B65H37/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/108 ,  Y10T156/12 ,  Y10T156/1343 ,  Y10T156/1712 ,  Y10T156/1734 ,  Y10T156/1741

Abstract: A method for adhering masking films and a device for adhering the masking films are provided, in which the method for adhering masking films includes the steps of adhering a masking film (3) with a wafer (11), isolating the masking films from a lower structure by a predetermined interval, transmitting the masking film on a cutting table (13) while maintaining the interval between the masking film and the lower structure, and cutting the masking films along the outlines of the wafer at a cutting position, wherein the longitudinal winkles around the masking film may be prevented and incomplete cutting operation due to the wrinkles may be prevented.

Abstract translation: 提供了一种用于粘附掩模膜的方法和用于粘附掩模膜的装置，其中粘附掩模膜的方法包括以下步骤：将掩模膜（3）与晶片（11）粘合，将掩模膜从下部 结构以预定的间隔，在保持掩模膜和下部结构之间的间隔的同时在掩模膜和下部结构之间传输遮蔽膜，并且沿切割位置沿着晶片的轮廓切割掩模膜，其中纵向光滑 可以防止掩模膜周围，并且可以防止由于皱纹而造成的不完全的切割操作。

公开(公告)号：KR100086999B1

公开(公告)日：1995-07-18

申请号：KR1019910017327

申请日：1991-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일호

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

公开(公告)号：KR102243287B1

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：KR1020140139193

申请日：2014-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일호

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/34

Abstract: 상기해결하고자하는과제를달성하기위하여본 발명의실시예들에따른반도체패키지의제조방법은하부기판, 하부반도체칩, 및하부몰딩막을포함하는하부패키지를준비하는것; 상부기판, 상부반도체칩, 및상부몰딩막을포함하는상부패키지를준비하는것; 상기상부패키지를관통하는관통홀을형성하는것; 상기상부패키지를상기하부패키지상에위치시키고, 상기상부패키지와상기하부패키지를전기적으로연결하는것; 및상기관통홀을통해열 전달물질을주입하여상기상부패키지와상기하부패키지사이에개재되는제 1 열전달부를형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1019990000393A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970023265

申请日：1997-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일호

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 플라즈마 CVD(Chemical Vaper Deposition)에 적용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에서는 소정의 전류방사 차단기능을 갖는 전류방사 차단장치를 구비하고, 이를 통해 전류 공급부로부터 방사되는 전류 중 접지단자로 미 방출된 잉여전류를 적절히 차단시킴으로써, 잉여전류의 방사로 인한 인근설비의 고장을 미연에 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980066302A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001726

申请日：1997-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조국형 ,  김일호

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 HDP CVD 설비의 RF 시스템에 관한 것으로, 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마 빛을 감지할 수는 광 검출 센서를 설치하여 플라즈마 빛이 감지되지 않을 경우 각각의 RF 발생장치에 RF 전력이 공급되는 것을 중단시킴으로써 RF 전력으로 인해 설비가 손상되는 것을 방지 할 수 있고, 또한 웨이퍼 표면에 막이 증착되지 않는 것을 방지할 수 있어 웨이퍼 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980066299A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001723

申请日：1997-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철희 ,  김일호

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 반도체 프로세스 챔버와 배기수단의 적절한 설치 구조를 통하여 장비의 풋 프린트(foot print)를 줄이고 안정적인 공정진행으로 제품의 신뢰성을 꾀한 반도체 설비의 배치 구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 외부로부터 유입된 공정가스를 가스 분배 수단에 의해 고정척에 탑재된 반도체 기판 상에 분사되어 실공정이 진행되는 챔버와, 공정이 끝난 폐가스가 외부로 배출되도록 상기 챔버 내에 마련된 배출구와, 상기 배출구와 연통된 배기 수단을 구비하는 반도체 제조 설비에 있어서, 상기 배출구는 상기 고정척의 외측둘레에 환형상으로 설치되고,상기 배기 수단은 상기 배출구와 연통되어 가스가 일직선으로 통과되도록 형성된 반도체 설비의 배치 구조를 개시한다.
상기한 본 발명에 의하면, 장비의 풋 프린트(foot print)를 줄이고 균일한 가스 흐름을 통하여 제품의 신뢰성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980066298A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970001722

申请日：1997-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철희 ,  김일호

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 CVD공정 진행 중에 웨이퍼의 표면온도를 측정하는 스캐너(scanner)부의 과열을 막고 웨이퍼에 손상을 주지 않도록 한 웨이퍼 표면온도 측정장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 소정의 웨이퍼가 장착된 CVD 챔버에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면온도를 감지하는 센서와 상기 센서의 외부접촉을 막는 보호관을 구비하는 스캐너부와, 상기 스캐너부의 측정지점을 선정하는 위치조절수단과, 상기 보호관 내부로 냉매가 흐르는 순환로를 구비한 냉각수단을 포함하여 구성된 웨이퍼 표면온도 측정장치가 개시된다.