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公开(公告)号:KR100118145B1
公开(公告)日:1997-07-14
申请号:KR1019940024328
申请日:1994-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/462
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82.
公开(公告)号:KR1019970008753B1
公开(公告)日:1997-05-28
申请号:KR1019940036442
申请日:1994-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/472 , C04B35/493
Abstract: The present invention is about dielectrics magnetic composite with low agglomeration, high-dielectric constant , multilayer ceramic capacitor manufactured by using said composite which reduce material cost, energy cost by using low price internal electrode material and improve reproducibility of dielectric property and reduce a pollution in calcining furnace and air.The present invention comprise a process of manufacturing slurry to tapetasting dielectrics magnetic composite with low agglomeration, high-dielectric constant; a process of printing pattern of internal electrode to make said slurry to sheet; a process of manufacturing chip by cutting after drying printed sheet, laminating and compacting; a process of presintering by removing organic binder of preagglomeration chip; a process of abrasion said edge of said preagglomeration chip; a process of forming external electrode by washing presintering chip abraded edge; a process of agglomeration under air atmosphere in calcining furnace by loading said chip.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用所述复合材料制造的具有低聚集性,高介电常数的多层陶瓷电容器的电介质磁性复合材料,其通过使用低价格的内部电极材料降低材料成本和能量成本,并提高介电性质的再现性并减少污染 煅烧炉和空气。本发明包括一种制备具有低聚集,高介电常数的磁性复合材料的浆料的方法。 内部电极的印刷图案的制造方法,使所述浆料成片; 干燥印刷片后通过切割制造芯片的过程,层压和压实; 通过去除预聚焦芯片的有机粘合剂预先烧结的过程; 所述预聚集芯片的所述边缘的磨损过程; 通过洗涤预烧芯片磨损边缘形成外部电极的过程; 在煅烧炉中通过加载所述芯片在空气气氛下附聚的过程。
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公开(公告)号:KR100115579B1
公开(公告)日:1997-05-24
申请号:KR1019940017416
申请日:1994-07-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/106
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公开(公告)号:KR1019970001063B1
公开(公告)日:1997-01-25
申请号:KR1019940008361
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: New dielectric composition((1-x-y-z)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3+xPbTiO3+yCaO+zCuO), x=0.001-0.15, y=0.001-0.02, z=0.01-0.15) is manufacturing by mixing conventional Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(1) and conventional (1-x)Pb (Mg1/3Nb2/3)O3+xPbTiO3(x=0.01-0.05)(2) with CaO and CuO. In an example, the mixture of conventional compound(1), conventional compound(2), CaO, and CuO is sintered at 800 deg.C for 2 hr, crushed with a ball mill for 24 hr, dried, formed under the pressure of 1,000kg/gm2, and sintered at 900-1,000 deg.C for 2 hr. Dielectric constant(K) shows 24,000, dielectric loss(%DF) shows 1.3.
Abstract translation: 通过混合常规Pb((1-xyz)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3 + xPbTiO3 + yCaO + zCuO),x = 0.001-0.15,y = 0.001-0.02,z = 0.01-0.15) (Mg1 / 3Nb2 / 3)O3(1)和常规(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3 + xPbTiO3(x = 0.01-0.05)(2)与CaO和CuO。 在一个实例中,常规化合物(1),常规化合物(2),CaO和CuO的混合物在800℃下烧结2小时,用球磨机粉碎24小时,干燥,在 1000kg / gm 2,在900-1000℃烧结2小时。 介电常数(K)为24,000,介电损耗(%DF)为1.3。
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公开(公告)号:KR1019970001061B1
公开(公告)日:1997-01-25
申请号:KR1019940008362
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: .Process for preparing dielectric magnetic composition is claimed. Thus, composition is i)composed of (Sr1-2xBixTi1-yWy)O3, x is 0.0005-0.003, y is 0.0015-0.009, ii)manufactured by mixing Sr1-2xBixTi1-yO3 (x=0.005-0.003, y=0.0015-0.009) with Bi2O3-WO3 frit in wet process, drying, forming, sintering at 1,400-1,470 deg.C for 4 hr in reduction atmosphere first, and sintering at 1,250 deg.C for 2 hr secondly, iii)manufactured by using Bi2O3-WO3 frit as a reduction additives, which is prepared by mixing Bi2O3 and WO3 at a molar ratio of Bi2O3 to WO3 of 1:3 at 900 deg.C for 10 min.
Abstract translation: 要求保护介电磁性组合物的制备方法。 因此,组成i)由(Sr1-2xBixTi1-yWy)O3构成,x为0.0005-0.003,y为0.0015-0.009,ii)通过混合Sr1-2xBixTi1-yO3(x = 0.005-0.003,y = 0.0015〜 0.009),湿法制备Bi2O3-WO3玻璃料,干燥,成型,先在还原气氛中在1400-147℃烧结4小时,然后在1,250℃下烧结2小时,iii)使用Bi2O3- WO3玻璃料作为还原添加剂,其通过以Bi 3 O 3与WO 3的摩尔比1:3在900℃下混合Bi 2 O 3和WO 3 10分钟来制备。
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公开(公告)号:KR100109725B1
公开(公告)日:1996-12-26
申请号:KR1019940008360
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/106
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公开(公告)号:KR1019960012726B1
公开(公告)日:1996-09-24
申请号:KR1019940000349
申请日:1994-01-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: The dielectric ceramic composition for high frequency and the process for preparation, capable of being advantageously used for a global positioning system or materials of dielectric resonator and the like in high frequency regions, which consists of a main component of Zr1-xSnxTiO4, wherein the molar ratio X is in a range of 0.1= X= 0.4.
Abstract translation: 用于高频的电介质陶瓷组合物和制备方法,其能够有利地用于由Zr1-xSnxTiO4的主要组分组成的高频区域的全球定位系统或介质谐振器等的材料,其中摩尔 比X在0.1 = X = 0.4的范围内。
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公开(公告)号:KR1019960022394A
公开(公告)日:1996-07-18
申请号:KR1019940036442
申请日:1994-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/472 , C04B35/493
Abstract: 본 발명은 저온소결 고유전율 유전체 자기조성물과, 이 조성물을 이용하여 제조된 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유전체 자기조성물은 (1-x)95PMN-x(PT)-y(CuO)-z(PbO)에서 x=4∼6mol%, y=1∼10mol%, z=2∼8mol%의조성을 갖는 것으로, 810℃의 저온에서도 소결이 가능해져 저가의 내부 전극 재료들, 특히 100%의 온(Ag) 또는 니켈(Ni) 및 동 (Cu)과 같은 비금속을 사용할 수 있어 재료비 및 에너지비용이 절감되고, 저온소결에 따른 산화납(PbO)의 휘발이 억제됨으로써 조성의 균일화에 따른 유전특성의 재현성이 우수할 뿐 아니라 산화납의 휘발에 의한 소성로와 대기의 오염을 줄일 수 있으며, 3mol% 이상의 산화동(CuO)을 첨가하여 소결체에서의 2차상의 생성이 억제되어 18,000 이상의 높은 유전율을 얻을 수 있으며, 이러한 유전체를 유전체층으로 사용하는 적 층세라믹 캐패시터와 그 제조방법이 제공되는 것이다.
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公开(公告)号:KR1019960022390A
公开(公告)日:1996-07-18
申请号:KR1019940036443
申请日:1994-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/472 , C04B35/493
Abstract: 본 발명은 저온소결 고유전율 유전체 자기조성물과, 이 조성물을 이용한 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유전체 자기조성물이
〔95PMN-5PT〕-x(PbO)-y(CaO)-z(CuO)
에서 x=2∼4mol%, y=0.5∼3.0mol%, z=3∼5mol%의 조성으로 이루어져 810℃까지의 저온에서도 소결가능하고, 유전율 12000이상, 유전손실 3%이하 및 절연저항 10
9 Ωㆍ㎝이상을 가지는 효과가 있고, 이러한 유전체 자기조성물을 사용한 적층세라믹 캐패시터 및 그 제조방법은 저가의 비금속인 동을 내부전극 및 외부전극의 재료로 사용하여 유전체 자기조성물과 함께 환원분위기에서 동시소성할 수 있고, 환원분위기 소성공정의 냉각 과정에서의 재산화(reoxidation)공정에 의해 절연저항을 향상시키게 되는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR1019950029228A
公开(公告)日:1995-11-22
申请号:KR1019940008361
申请日:1994-04-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
Abstract: 본 발명은 Pb(Mg
1/3 Nb
2/3 )O
3 계 세라믹 유전체 조성물로서 소량의 CaO와 CuO가 첨가되어 유전특성이 향상되고 소결온도를 낮출 수 있는 고유전율, 저온소성용 세라믹 유전체 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성은, (1-xyz)Pb(Mg
1/3 Nb
2/3 )O
3 + xPbTiO
3 + yCaO + zCuO 로서 x=1∼15㏖%, y=0.1∼2.0㏖%, z=1∼15㏖%로 이루어지며, 그 제조과정은 콜롬바이트 프리커서(Columbite precursor) 방법에 의해 PMN상을 얻고 이를 PT, CaO 및 CuO와 혼합하여 분쇄→건조→하소→성형→소결하는 공정으로 이루어진다. 본 발명의 유전체 조성은 유전율이 최고 25000이고 최저 소결온도가 900℃로서 종래의 유전체 조성에 비해 우수한 유전특성을 나타내는 한편 제조비용의 절감을 기할 수 있는 이점이 있다.
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