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公开(公告)号：KR1019970008754B1
公开(公告)日：1997-05-28
申请号：KR1019940036443
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/472 , C04B35/493
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B35/499 , H01B3/12 , Y10T29/435
Abstract: The present invention is about dielectrics magnetic composite with low agglomeration, high-dielectric constant and antireducibility and multilayer ceramic capacitor which use copper as internal electrode by using said composite.The present invention comprise a process of manufacturing slurry to tapetasting fine powder of said dielectics magnetic composite; a process of printing pattern of copper internal electrode by making said slurry to sheet; a process of manufacturing chip by cutting after drying, printed sheet, laminating and compacting; a process of presintering by removing organic binder of preagglomeration; a process of abrasion edge of said preagglomeration chip; a process of forming copper external electrode in presintering chip abraded edge; a process of agglomeration by loading said chip in reducing atmosphere; a process of reoxidation treatment in cooling process of said burning process.
Abstract translation: 本发明涉及使用所述复合材料使用铜作为内部电极的具有低聚集性，高介电常数和抗老化性的电介质磁性复合材料和多层陶瓷电容器。本发明包括一种制备浆料以将所述介电磁体的细粉末 综合; 通过将所述浆料制成片材来形成铜内部电极的印刷图案的工序; 通过干燥后的切割制造芯片的过程，印刷板，层压和压实; 通过去除预聚集的有机粘合剂预先烧结的过程; 所述预聚集芯片的磨损边缘的过程; 在预烧芯片磨损边缘上形成铜外电极的工艺; 通过将所述芯片加载到还原气氛中的附聚过程; 在所述燃烧过程的冷却过程中再氧化处理的过程。
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公开(公告)号：KR1019960011352B1
公开(公告)日：1996-08-22
申请号：KR1019930028525
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The process includes (a)calcining a mixture of MgO and Nb2O5 primarily at 1,000 deg.C; (b)crushing the calcined powder; (c)producing MgNb2O6 by calcining crushed material secondarily in the temperature range of 1,200 deg.C to 1,500 deg.C and (d)calcining a mixture of said MgNb2O6 and PbO in the temperature range of 800 to 900 deg.C. The process is characterized by inhibiting the formation of secondary phase, which causes the dielectric constant of capacitor to decrease.
Abstract translation: 该方法包括（a）主要在1000℃煅烧MgO和Nb2O5的混合物; （b）粉碎煅烧粉末; （c）通过在1200℃〜1500℃的温度范围内二次煅烧粉碎材料制备MgNb 2 O 6，（d）在800-900℃的温度范围内煅烧所述MgNb 2 O 6和PbO的混合物。 该过程的特征在于抑制二次相的形成，这导致电容器的介电常数降低。
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公开(公告)号：KR1020020001908A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020000023676
申请日：2000-05-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C04B35/462 , H01B3/12
Abstract: PURPOSE: Provided is a dielectric ceramics composition for high frequency which has very low firing temperature(800-925deg.C), improved Q factor(12000-84000GHz) and dielectric constant(16-32), stable temperature coefficient, and excellent temperature compensation characteristics(-52-+104ppm/deg.C) by using low cost raw materials compared with a conventional dielectric ceramics composition for high frequency. CONSTITUTION: The dielectric ceramics composition comprises (Zn1-xMx)TiO3 and yTiO2 as main components and 0-5wt.% of one additive selected from B2O3, H3BO3, SiO2-K2O glass, B2O3 and SiO2-K2O glass, and H3BO3 and SiO2-K2O glass, where M is Mg, Co or Ni, 0
Abstract translation: 目的：提供一种高频率的电介质陶瓷组合物，具有非常低的烧制温度（800-925℃），改进的Q因子（12000-84000GHz）和介电常数（16-32），稳定的温度系数和优异的温度补偿 与常规的高频电介质陶瓷组合物相比，通过使用低成本原料，特性（-52- + 104ppm / deg.C）。 构成：电介质陶瓷组合物包含（Zn1-xMx）TiO3和yTiO2作为主要成分，0-5重量％的选自B2O3，H3BO3，SiO2-K2O玻璃，B2O3和SiO2-K2O玻璃的添加剂，H3BO3和SiO2- K2O玻璃，其中M为Mg，Co或Ni，0 <= x <= 0.55为Mg，0 <= x <= 1对于Co和Ni，0 <= y <= 0.6。 此外，另外的组合物包含（Zn1-aMg1-bCo1-cNi1-d）TiO3和与上述相同的添加剂，其中0 <= a，b，c，d <= 1.0和0 <= y <= 0.6。 电介质陶瓷通过混合主成分，在850-950℃下煅烧，加入添加剂，研磨，成型和焙烧800-925℃制备。
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公开(公告)号：KR1019980067791A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004084
申请日：1997-02-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F10/08
Abstract: 본 발명은 새로운 형식의 내부 전극 형상 및 배열을 가지는 적층형 칩 인덕터를 제공하여 권선 효율을 증대시킴으로써 동일 인덕턴스 값을 얻는데 있어서 종전의 방법보다 적층 횟수를 줄이고 소자의 경량화를 구현하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 자성체층 위에 외부 전극 단자와 연결되도록 인쇄되는 외부 단자 연결용 내부 전극과, 순차적으로 적층되는 복수매의 자성체층과, 각 층마다 인쇄되는 내부 전극과, 최종 자성체층 위에 외부 전극 단자와 연결되도록 인쇄되는 외부 단자 연결용 내부 전극과, 상기 외부 단자 연결용 내부 전극 위에 적층되는 자성체층과, 상기 인쇄된 내부 전극간의 전기적 연결 수단으로 이루어지는 적층형 칩 인덕터에 있어서, 각각의 복수매의 적층된 자성체층 위에 인쇄되는 상기 내부 전극의 인쇄 궤적은 1/2 회전보다 크고 1회전 보다 작은 궤적을 가지고, 상기 각각의 인쇄 궤적의 끝나는 단부와 상기 자성체층의 적층이 있은 후에 인쇄되는 인쇄 궤적의 시작하는 단부가 겹쳐질 수 있도록 상기 내부 전극의 인쇄되는 적층형 칩 인덕터 및 그의 제조 방법을 � ��공한다.-
公开(公告)号：KR100122582B1
公开(公告)日：1997-09-05
申请号：KR1019940036442
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/472 , C04B35/493
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100365295B1
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020000023676
申请日：2000-05-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소결 저손실 고주파유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(800 ~ 925℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=12,000∼84,000 GHz)와 유전상수(16≤ε
r ≤32) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ
f = -52 ~ +104 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO
2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100286254B1
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1019980030345
申请日：1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/30
Abstract: 본 발명은, 높은 유전율을 가지면서도 정전용량의 온도계수가 작은 적층 세라믹 캐패시터 (이하 'MLC') 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 (1-x)PMN-xPT, x = 0∼0.25를 조합으로 하는 것을 주 조성으로 하고 첨가제로서 NiO, CuO 및 ZnO가 각각 0∼0.05 mole로 구성되며, 이들 조성이 각각 한 개의 MLC의 내부에 서로 다른 층을 이루며 적층되어서 종전의 고유전율 MLC에 비해 더욱 우수한 고유전율 온도안정성 MLC를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020000050735A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000805
申请日：1999-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/03 , C04B35/495 , C04B35/46
CPC classification number: H01G4/1254 , H01G4/1218
Abstract: PURPOSE: A microwave dielectric composition prepared by using La(Mg2/3Nb1/3)O3 having a relatively low sintering temperature is provided which produces a ceramic dielectric substance having excellent microwave dielectric characteristics. CONSTITUTION: A composition comprises La(Mg2/3Nb1/3)O3 having a relatively low sintering temperature, TiO2 for improving the temperature coefficient characteristics of resonance frequency and one or plurality of W, Mo, Cr, Se, Te or Po for improving quality coefficient. The composition can prepare a ceramic dielectric substance showing excellent microwave dielectric characteristics such as high quality coefficient, dielectric constant and stable temperature coefficient even using inexpensive raw material.
Abstract translation: 目的：提供通过使用具有相对低的烧结温度的La（Mg2 / 3Nb1 / 3）O3制备的微波介电组合物，其产生具有优异的微波介电特性的陶瓷电介质。 构成：组合物包含具有相对较低烧结温度的La（Mg2 / 3Nb1 / 3）O3，用于提高共振频率的温度系数特性的TiO 2和用于改善质量的一个或多个W，Mo，Cr，Se，Te或Po 系数。 即使使用廉价的原料，该组合物也可以制备显示出优异的微波介电特性如高质量系数，介电常数和稳定的温度系数的陶瓷电介质。
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公开(公告)号：KR1020000013235A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031979
申请日：1998-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/46
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/465 , C04B35/64
Abstract: PURPOSE: A microwave dielectric ceramic composition for low temperature firing contains an appropriate amount of additives such as B2O3, Sb2O3 and Y2O3 to obtain a dense sintered compact even at a low temperature of 1200°C and has good microwave characteristics. CONSTITUTION: A microwave dielectric ceramic composition for low temperature firing comprises (Mg,Ca)TiO3 as a principal component, and additives such as B2O3, Sb2O3 and Y2O3 so as to obtain a dense sintered compact even at a low temperature of 1200°C and has good microwave characteristics, wherein 0.2-0.5 wt.% of B2O3 is added.
Abstract translation: 目的：用于低温焙烧的微波介电陶瓷组合物含有适当量的添加剂如B2O3，Sb2O3和Y2O3，即使在1200℃的低温下也能获得致密的烧结体，并具有良好的微波特性。 构成：即使在低温烧成的微波介电陶瓷组合物中，以（Mg，Ca）TiO 3为主成分，也可以添加B2O3，Sb2O3，Y2O3等添加剂，即使在1200℃的低温下也能得到致密的烧结体， 具有良好的微波特性，其中添加了0.2-0.5重量％的B2O3。
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