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公开(公告)号：KR1019980027420A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960046203
申请日：1996-10-16
IPC: H01L21/328
Abstract: 본 발명은 초박막 화합물 반도체로 이루어지는 이종접합 바이폴라 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 에미터와 베이스 전극을 새로운 방법으로 자기정렬시켜 소자의 고속특성을 개선하기 위한 것이다. 종래에는 에미터와 베이스 전극간의 자기정렬을 위해 에미터 메사식각에 의해 역경사형태를 만들어 베이스 전극의 증착시 베이스 전극의 단락을 유도하거나, 또는 플라즈마 식각 방법으로써 에미터 주변에 유전체 측벽막을 형성하여 베이스 전극의 에미터에 대한 분리를 하여 자기 정렬하는 방법을 통상적으로 사용하였다. 이러한 방법들은 각기 에미터-베이스간 누설전류를 발생시키거나 또는 매우 복잡한 공정절차를 거치는 등의 단점이 있다.
본 발명에서는 에미터층에 먼저 폴리이미드 박막을 도포하고, 그 위에 폴리이미드를 정의하기 위한 금속총을 증착하여 폴리이미드를 2단계 식각에 의해 상부가 돌출된 임시 에미터 전극을 구성한 뒤, 베이스 전극을 증착하면 임시 에미터 전극 주변에서 단락이 발생하고 이후 폴리이미드를 선택적으로 제거함으로써 에미터에 자기정렬된 베이스 전극의 형성이 가능하게 된다. 또한 실제 에미터 전극을 유전체절연막의 금속접촉장을 통해 표면이 넓은 구조로 형성할 수 있기 때문에 에미터 저항감속의 효과를 얻을 수도 있다. 따라서 본 발명을 활용할 경우 고속특성이 크게 향상된 이종접합 바이폴라 소자의 제작이 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR100131545B1
公开(公告)日：1998-04-14
申请号：KR1019940019490
申请日：1994-08-08
IPC: H01L21/328
Abstract: A method of fabricating a heterojunction bipolar transistor having high current gain includes the steps of sequentially depositing a first conductivity type high-concentration GaAs sub-collector layer, first conductivity type low-concentration collector layer, second conductivity type base layer and first conductivity type emitter layer on a semi-insulating GaAs substrate, mesa-etching the laminated structure to form an emitter, base and collector, forming emitter, base and collector electrodes according to ohmic contact, and forming metal lines. The emitter is configured of GayIn1-yP having large energy gap to maximize the emitter injection efficiency, and the base is configured of Ge having high minority carrier concentration, low recombination current and small energy gap, to increase current gain using the energy gap difference between the GayIn1-yP emitter and Ge base.
Abstract translation: 制造具有高电流增益的异质结双极晶体管的方法包括以下步骤：顺次沉积第一导电型高浓度GaAs子集电极层，第一导电型低浓度集电极层，第二导电型基极层和第一导电型发射极 层叠在半绝缘GaAs衬底上，台阶蚀刻层叠结构以形成发射极，基极和集电极，根据欧姆接触形成发射极，基极和集电极，并形成金属线。 发射极由具有大能隙的GayIn1-yP构成，以使发射极注入效率最大化，基极由具有高少数载流子浓度，低复合电流和小能隙的Ge构成，以增加电流增益，使用 GayIn1-yP发射极和Ge基。
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公开(公告)号：KR1019970054337A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053682
申请日：1995-12-21
IPC: H01L29/49
Abstract: 본 발명은 이종접합 트랜지스터의 베이스층을 이용한 저저항 제조방법에 관한 것으로서, 반절연성 갈륨비소 기판의 상부에 부콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층 및 에미터층을 순차적으로 결정 성장시킨 에피구조의 이종집합 바이폴라 트랜지스터를 이용한 집적회로 공정에 있어서, 저항으로 사용하기 위한 베이스층을 화학식각하는 제1과정과, 콜렉터층에 B
+ 이온을 주입하여 기생저항 성분을 제거하는 제2과정과, 베이스층에 절연막을 증착하는 제3과정 및 절연막의 소정부분을 개구하여 리프트 오프 공정에 의해 저항 금속(Ohmic Metal)을 증착하여 저항 전극을 형성하는 제4과정으로 이루어져, 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 고농도 베이스층을 사용하는 간단한 공정을 통하여 낮은 저항값의 저저항을 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100117352B1
公开(公告)日：1997-07-01
申请号：KR1019930027029
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970003830B1
公开(公告)日：1997-03-22
申请号：KR1019930027029
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: A method of forming an n-type ohmic contact for a heterojunction bipolar transistor (HBT) is provided to enhance electrical characteristics by rapid thermal treatment through application of an ECR insulating film. This method includes the steps of forming a buffer layer (7), a sub-collector layer (6), a collector layer (5), a base layer (4), a spacer layer (3), an emitter layer (2), and a cap layer (1) on a semi-insulating GaAs substrate; depositing an Ni layer (10), a Pd layer (11), an AuGe alloy layer (12), a Pd layer (13), and an Au layer (14) to form an n-type emitter layer (9); serially forming a silicon oxide film (15) and a silicon nitride film (16) on the emitter layer (9) and the cap layer (1) as a mixed gas plasma using microwaves; and forming an alloy region (17).
Abstract translation: 提供了形成用于异质结双极晶体管（HBT）的n型欧姆接触的方法，以通过施加ECR绝缘膜通过快速热处理来增强电特性。 该方法包括形成缓冲层（7），副集电极层（6），集电极层（5），基极层（4），间隔层（3），发射极层（2） 和半绝缘GaAs衬底上的覆盖层（1）; 沉积Ni层（10），Pd层（11），AuGe合金层（12），Pd层（13）和Au层（14）以形成n型发射极层（9）; 使用微波作为混合气体等离子体在发射极层（9）和盖层（1）上串联形成氧化硅膜（15）和氮化硅膜（16） 并形成合金区域（17）。
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公开(公告)号：KR1019960026422A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036378
申请日：1994-12-23
Inventor： 박성호
IPC: H01L21/328
Abstract: 본 발명은 베이스층으로서 갈륨비소(GaAs)와 에미터층으로서 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)를 사용하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)의 제작방법에 관한 것으로서, 이제까지 외부 베이스 영역에서의 표면 재결합 전류의 발생을 억제하기 위하여 주로 사용되어 온 얇은 알루미늄 갈륨 비소층을 베이스층 위에 잔류시키는 일종의 베이스 보호대(guard-ring) 제작방식을 지양하고, 노출된 외부 베이스 상에 전자 사이클로트론 공명(Electron Cyclotron Resonance : ECR) 플라즈마에 의해 황(S) 원소를 매우 얇게 증착하고 연이어 고진공 중에서 다시 ECR-CVD 방식으로 실리콘 질화막을 전면에 증착하여 외부 베이스를 보호하면서 동시에 금속간 절연막으로서 이용하는 제작방식을 고안하여 통상적인 방법보다 효율적으로 고성능의 HBT 소자를 제작할 수 있는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019960002807A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940014064
申请日：1994-06-21
IPC: H01L27/08
Abstract: 화합물 반도체을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Tramsistor, HBT)의 제조방법에 관한 본 발명은 공정의 신뢰성에 막대한 영향을 미치는 활성 영역들, 즉 에미터, 베이스 및 콜렉터 전극 형성시에 각 패드금속을 동시에 형성시킴과 아울러 각 전극들과 각 패드 사이를 미세한 금속선에 의해 접속시키고, 이어서 수차례의 메사식각에 의해 각각의 전극들과 패드 영역을 분리시킴으로써, 미세한 전극패턴상에 배선을 위한 더욱 미세한 접촉창을 형성할 필요를 없애 공정을 단순화시키고, 1마이크로미터 이하인 에미터를 갖는 소자에서도 신뢰성있는 배선의 확보가 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019950015654A
公开(公告)日：1995-06-17
申请号：KR1019930024333
申请日：1993-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/331
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로, ECR 플라즈마 실리콘산화막을 선택적으로 증착하여 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
다시 말하면 이종접합 바이폴라 트랜지스터소자 제작시 공정의 신뢰성에 가장 큰 영향을 미치는 활성영역 즉, 에미터, 베이스, 콜렉터간의 큰 단차로 인한 금속간 연결의 재현성을 향상시키고 공정의 단순화를 목적으로 한다.
분자선성장(MBE)이나 유기금속화학증착법(MOCVD)으로 성장된 통상의 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 기판을 사용하여 여러번의 메사식각 방법에 의해 형성된 각 에미터, 베이스, 콜렉터 및 소자분리영역간의 큰 단차를 제1, 제2 ECR 플라즈마에 의한 실리콘산화막 또는 질화막을 선택적으로 증착하여 평탄화시킴으로써 비어를 사용하지 않고도 신뢰성있게 주파수 응답특성의 측정이 가능한 고성능의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
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