公开(公告)号：CN104746050A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510137665.1

申请日：2005-03-08

Applicant: 埃克阿泰克有限责任公司

Inventor： B·A·科列瓦尔 ,  C·D·亚科万格洛 ,  T·米巴赫 ,  M·W·梅塞德斯

IPC: C23C16/513

CPC classification number: C23C16/513 ,  B05D1/62 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种非平面制品包括等离子体-沉积耐磨性涂覆,该涂层具有基本上均匀的厚度和δ浊度(％)在平均值约+/-0.25范围内的基本上均匀的耐磨性。

公开(公告)号：CN102387921B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201080015944.6

申请日：2010-03-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 星慎一 ,  近藤健 ,  上村和惠 ,  铃木悠太

IPC: B32B27/00 ,  C08J7/00 ,  C23C14/48

CPC classification number: C23C14/48 ,  B05D1/62 ,  B05D3/148 ,  B05D2252/02 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将烃化合物的离子注入到含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。本发明也公开了：所述成形物的制备方法，所述方法包括将烃化合物的离子注入成形体的含聚有机硅氧烷化合物的层的表面部分的步骤，所述成形体在表面具有含聚有机硅氧烷化合物的层；一种由所述成形物组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、透明度、弯曲性质、抗静电性质和表面平滑性的成形体；所述成形物的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件和提供有所述电子装置元件的电子装置。

公开(公告)号：CN102159395B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980132561.4

申请日：2009-08-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 星慎一 ,  近藤健 ,  铃木悠太

IPC: B32B27/00 ,  C08J7/00 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C23C14/48 ,  B05D1/62 ,  B05D3/00 ,  B32B7/00 ,  C23C14/00 ,  C23C14/562 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及成型制品，其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。所述成型制品具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，其特征在于：自该阻气层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。本发明提供具有优异的阻气性和透明性的成型制品、其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。

公开(公告)号：CN103752176A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410051528.1

申请日：2008-10-28

Applicant: P2I有限公司

Inventor： 斯蒂芬·库尔森 ,  理查德·韦克曼

IPC: B01D65/02 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01D71/26

CPC classification number: B01D67/0093 ,  B01D65/02 ,  B01D69/02 ,  B01D69/127 ,  B01D71/26 ,  B01D2321/164 ,  B01D2325/28 ,  B01D2325/30 ,  B05D1/62

Abstract: 本发明涉及一种过滤膜，特别是能够重复使用的过滤膜。具体而言，本发明涉及一种用于维持能够重复使用的过滤膜的孔径的方法，所述方法包括使所述过滤膜暴露于包含碳氢化合物或碳氟化合物单体的等离子体从而在其表面上形成聚合物层。该处理使得过滤膜能够经受洗涤过程，特别是碱洗。因此，按此方式处理的能够重复使用的过滤膜以及它们的应用构成了本发明的另一个方案。

公开(公告)号：CN103502333A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180070081.7

申请日：2011-04-14

Applicant: 埃克阿泰克有限责任公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： M·吉列姆 ,  M·山谷

IPC: C08J7/04 ,  C09D7/12 ,  C09D143/04 ,  C09D183/00 ,  C23C16/40

CPC classification number: C08J7/042 ,  B05D1/62 ,  B05D7/02 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B05D2425/01 ,  C08G77/14 ,  C08G77/26 ,  C09D5/32 ,  C09D7/62 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D183/04 ,  C08K9/06

Abstract: 本发明公开了一中有机树脂层压板，其包括一有机树脂基板及其上的一多层涂层体系，该体系具有UV屏蔽性能和高的耐损性。所述多层涂层体系包括有机硅化合物等离子体聚合作用得到的最外层（I）、包含复合氧化物纳米颗粒分散体、硅树脂、固化催化剂和溶剂的硅树脂涂层组合物的下层（II）以及任选地丙烯酸树脂的底层（III）。

公开(公告)号：CN101802108B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880002564.1

申请日：2008-01-21

Applicant: 波音公司

Inventor： K·L·拉逊 ,  S·M·派尔 ,  V·S·桑达拉姆

IPC: C09D5/00

CPC classification number: C09D5/00 ,  B05D1/62 ,  B05D7/04 ,  B05D7/57 ,  B64C1/1484 ,  B64F5/60 ,  C08J7/045 ,  C08J2333/06 ,  C08J2369/00 ,  C08J2483/04 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31935

Abstract: 示例性实施方式提供了涂覆的聚合物基底，其具有聚合物基底主体和涂覆表面。表面涂层包括超过一对的涂布层。每对涂布层包括第一涂覆的涂布层和第二涂覆的涂布层。另外，施加在涂布层上或者涂布层之间的指示物提供了所述涂层的磨耗的指示。

公开(公告)号：CN103221147A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180014190.7

申请日：2011-01-10

Applicant: P2I有限公司

Inventor： 史帝芬·柯森

IPC: B05D7/24

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D2601/20 ,  D06M10/06 ,  D06M10/10 ,  D06M11/83 ,  D06M15/277 ,  D06M23/08

Abstract: 在基质上形成拒液性表面的方法，所述方法包含使用电离或活化技术，特别是等离子体处理，在腔室中将纳米粒子和聚合物物料的组合涂抹到该表面。

公开(公告)号：CN102448996A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023031.9

申请日：2010-04-16

Applicant: 萨里纳米系统有限公司

Inventor： S·R·P·席尔瓦 ,  J·V·A·R·伊斯特法尼亚

IPC: C08F2/48 ,  C08F2/52 ,  B05D7/24 ,  B29C59/14 ,  C08F2/54 ,  C08J3/24 ,  C08J3/28 ,  C23C16/00

CPC classification number: C08F2/48 ,  B05D1/62 ,  B05D3/067 ,  B05D2507/02 ,  C08F2/52 ,  C08F2/54 ,  C08J3/246 ,  C08J3/28 ,  C08J7/123 ,  C08J2323/10 ,  H01G4/145 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明公开了一种通过含碳气体(并非特指丙烯)的等离子体聚合制造高度交联的聚丙烯材料的方法，所述聚丙烯材料显示出较低的相对电容率、较高的热稳定性和增强的机械性质，所述方法和材料适合的应用不限于微芯片制造中的夹层电介质沉积。

公开(公告)号：CN102317496A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008813.5

申请日：2010-02-15

Applicant: 三菱树脂株式会社

Inventor： 吉田重信 ,  大川原千春 ,  尾关幸太

IPC: C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  C23C14/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54

CPC classification number: C09D5/00 ,  B05D1/62 ,  B05D7/56 ,  B05D2252/02 ,  B05D2350/60 ,  C23C14/10 ,  C23C14/562 ,  C23C16/401 ,  C23C16/545 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明提供一种制造生产率良好、制造后就显示高阻气性、且维持优良的阻气性，同时，构成层之间具有优良的密合强度的层压膜的方法、以及通过该制造方法得到的阻气性层压膜。一种阻气性层压膜的制造方法，该制造方法具有：(1)通过真空蒸镀法在基材膜的至少一个表面上形成无机薄膜的工序；(2)通过等离子体化学气相沉积法在工序(1)所形成的无机薄膜上形成薄膜的工序；以及(3)通过真空蒸镀法在工序(2)所形成的薄膜上形成无机薄膜的工序，所述工序(1)以及(3)各自在1×10-7～1Pa的压力下连续进行，工序(2)在1×10-3～1×102Pa的压力下连续进行。

公开(公告)号：CN102187011A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141783.2

申请日：2009-08-11

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： 周晓兵

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  B05D1/62 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种通过热聚合反应性气体混合物二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气体而生产含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜适用于作为半导体器件中的介电层，钝化涂层，防护涂层，隔板，衬里和/或应激体。