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公开(公告)号：CN102713721A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060858.7
申请日：2010-12-16
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/007 , B81B2201/047
Abstract: 本发明揭示机电调制器及其制造方法。在一项实施例中，显示器包括具有薄膜层的子像素，该薄膜层中形成空隙。该空隙可经配置以增加所述薄膜层的挠性。该子像素还可包括经配置以向观看者隐藏该空隙的光学掩模。在另一实施例中，显示器可包括至少两个可移动反射器，其中每一可移动反射器具有不同刚度，但每一可移动反射器具有实质上相同的有效热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN102608754A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210065596.4
申请日：2006-10-19
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81C1/00793 , B81C2201/0167
Abstract: 本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
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公开(公告)号：CN102361814A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013628.5
申请日：2010-03-19
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0086 , B81B2201/047 , B81B2203/053 , B81B2207/053
Abstract: 一种机电系统装置包括安置于衬底上的多个支撑件及安置于所述多个支撑件上的可变形反射层。所述可变形反射层包括沿第一方向延伸的多个实质上平行的列。每一列具有沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸的一个或一个以上狭槽。可在所述列的子部分的边界边缘处产生所述狭槽以便按机械方式部分地分开所述子部分而不会使其在电断开。一种制造机电装置的方法包括：在衬底上沉积导电可变形反射层；移除所述可变形层的一个或一个以上部分以形成多个电隔离列；及在所述列中的至少一者中形成至少一个横向狭槽。
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公开(公告)号：CN101669192B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料中的一种。
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公开(公告)号：CN102119117A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980125032.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 阿尔卡特朗讯美国公司
Inventor： 克里斯蒂安·A·博列 , 弗拉维奥·帕尔多
IPC: B81B7/04 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/047 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/0361 , B81B2203/0384 , B81B2207/056 , B81C1/00015 , B81C1/00039 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , H01L21/3065 , Y10T428/24479
Abstract: 如本文所述，提供一种包括微柱体的装置。所述装置包括具有平面表面的基底、位于所述平面表面上的多个微柱体，其中每一个微柱体具有在所述平面表面上的底座部分和位于对应底座部分的上表面上的柱体部分，并且其中所述底座部分的侧面与所述平面表面以斜角相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089700A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980126630.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 童叶俊
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0008 , B81B3/0059 , B81B2201/047 , G02B26/0841
Abstract: 本发明涉及减轻机电装置中的静摩擦。在一些实施例中，机电装置可具备一个或一个以上提供用于减轻静摩擦的辅助机械力的回复部分。所述回复部分可实施为一个或一个以上可偏转元件，其中所述可偏转元件可具有各种配置或形状，例如人字形、十字形等等。举例来说，所述回复部分可为悬臂，其在至少一个组件接触或靠近另一组件时偏转。也可使用多个回复部分，且战略上将其放置于所述机电装置内，以使其在减轻静摩擦方面的有效性增至最大。
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公开(公告)号：CN1729086B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200380106855.2
申请日：2003-11-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: B29C37/0053 , B29C33/42 , B29C43/021 , B29C2035/0827 , B29L2011/0016 , B29L2031/756 , B81B3/0035 , B81B2201/047 , B81C2201/034
Abstract: 本发明涉及一种用于调制光束的微机械热结构和制造该结构的方法。该微机械结构包括两层在第一方向和第二方向上分别具有不同热膨胀系数的材料，第一方向横向于第二方向，并且所述两层包含取向聚合物，所述第一层的取向聚合物的分子指向矢横向于所述第二层的取向聚合物的分子指向矢。这种微机械结构的阵列可以形成用于调制光的热光调制器。该方法包括提供具有定向诱导层的模的步骤，以便在液晶单体的单体状态中获得分子取向，还包括用光致聚合作用固定该分子取向的步骤。
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公开(公告)号：CN101688975A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022893.2
申请日：2008-06-24
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0083 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电(MEMS)装置(800)，其包括具有顶表面(88)的衬底(20)、在所述衬底(20)上的可移动元件(810)及激活电极(82)。所述可移动元件(810)包括可变形层(34)及以机械方式耦合到所述可变形层(34)的反射元件(814)。所述反射元件(814)包含反射表面(92)。所述激活电极(82)与所述反射表面(92)横向地安置。所述可移动元件(810)通过在大体垂直于所述衬底(20)的所述顶表面(88)的方向上移动来对施加于所述激活电极(82)与所述可移动元件(810)之间的电压差作出响应。
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公开(公告)号：CN101669192A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880012714.7
申请日：2008-05-12
Applicant: 石井房雄
Inventor： 石井房雄
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B26/0841 , B81B2201/047 , B81B2203/0181 , B81C1/00801 , B81C2201/014 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771
Abstract: 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料。
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公开(公告)号：CN100539001C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
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