Manufacturing method of a three-dimensional microstructure
    82.
    发明公开
    Manufacturing method of a three-dimensional microstructure 审中-公开
    Herstellungsverfahrenfüreine dreidimensionale Mikrostruktur

    公开(公告)号:EP2133307A3

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:EP09161797.7

    申请日:2009-06-03

    CPC classification number: B05D5/00 B81C1/00126 B81C2201/0108 B81C2203/038

    Abstract: A method for manufacturing a three-dimensional structure (1) includes forming a first structure (20) having a relief pattern on a substrate (10), forming a sacrifice layer (30) on the first structure such that the sacrifice layer can be filled in a concave part (25) of the first structure and the sacrifice layer can cover a surface (23) of a convex part (22) of the first structure on a side opposite to the substrate, forming a second structure (40) having a relief pattern on the sacrifice layer, and a fourth step of removing the sacrifice layer from between the first structure and the second structure, and thereby bringing the second structure into contact with the surface of the first structure.

    Abstract translation: 一种制造三维结构(1)的方法包括在基板(10)上形成具有浮雕图案的第一结构(20),在第一结构上形成牺牲层(30),以便可以填充牺牲层 在所述第一结构的凹部(25)中,所述牺牲层可以覆盖与所述基板相反的一侧的所述第一结构的凸部(22)的表面(23),形成具有 在牺牲层上的浮雕图案,以及从第一结构和第二结构之间移除牺牲层的第四步骤,从而使第二结构与第一结构的表面接触。

    Substrat microélectronique comprenant une couche de matériau organique enterrée
    83.
    发明公开
    Substrat microélectronique comprenant une couche de matériau organique enterrée 有权
    Mikroelektronisches Substrat mit einer vergrabenen Schicht organischem材料

    公开(公告)号:EP2628708A1

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:EP13154830.7

    申请日:2013-02-11

    Abstract: Substrat microélectronique (400) comportant au moins :
    - une couche support (102),
    - une couche supérieure (106) composée d'au moins un semi-conducteur,
    - une couche intermédiaire (104) composée d'au moins un matériau organique et comportant en outre une ou plusieurs portions (402) de matériau diélectrique dont la dureté est supérieure à celle du matériau organique. Ces portions sont disposées dans la couche de matériau organique et ont une épaisseur sensiblement égale à celle de la couche de matériau organique. La couche intermédiaire (104) est apte à être gravé sélectivement par rapport au semi-conducteur de la couche supérieure et est disposée entre la couche support et la couche supérieure. L'invention décrit également un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique dans la couche supérieure du substrat ci-mentionné, ainsi qu'un procédé d'encapsulation de ce dispositif.

    Abstract translation: 衬底(100)具有支撑层(102)和顶层(106),其中顶层包括半导体。 层(104)由有机材料即感光树脂制成,能够通过使用干蚀刻相对于顶层的半导体选择性地被蚀刻,并且布置在支撑层和顶层之间。 吸气材料层布置在支撑层和有机材料层之间。 有机材料层中的电介质材料部分形成封闭的轮廓。 还包括以下独立权利要求:(1)微电子基板的制造方法(2)微电子器件的制造方法。

Patent Agency Ranking