-
公开(公告)号：CN105667087A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510815484.X
申请日：2015-11-23
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: B41J2/1621 , B41J2/14233 , B41J2/1433 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B81B2201/052 , B81C1/00158 , B81C1/00214 , B81C1/00523 , B81C2201/0194 , Y10T29/49126 , Y10T29/49401 , Y10T29/49798
Abstract: 本发明提供一种用于形成用于静电致动喷墨打印头的多个静电致动器膜片的方法。方法可以包括在蚀刻停止层上形成掩盖致动器膜片层，其中蚀刻停止层插入掩盖膜片层和诸如半导体晶片的操作层之间。掩盖致动器膜片层被图案化以形成多个致动器膜片。多个致动器膜片附连到包括用于致动多个致动器膜片的电路的打印头驱动组件。随后，去除操作层和蚀刻停止层，由此留下附连到打印头驱动组件的多个致动器膜片。
-
公开(公告)号：CN100565815C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580033918.5
申请日：2005-10-04
Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司
Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 , 卡·西尔弗布鲁克
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02057 , B41J2/1412 , B41J2/1601 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/164 , B81B2201/052 , B81B2203/033 , B81C1/00849 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132
Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。
-
公开(公告)号：CN1205112C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01810071.6
申请日：2001-05-02
Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司
Inventor： 基亚·西尔弗布鲁克
CPC classification number: B41J2/1645 , B41J2/14427 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1648 , B81B3/007 , B81B2201/031 , B81B2201/036 , B81B2201/052 , Y10T29/42 , Y10T29/49083 , Y10T29/49401
Abstract: 一种热致弯曲致动器(6)，其设置有上支臂(23、25、26)和下支臂(27、28)，它们是非平面的，以便增大支臂的刚度。支臂(23、25、26、27、28)可以彼此横向间隔开，并且在平面图中彼此不重叠，从而使所有支臂能够通过淀积单独一个支臂形成材料层来形成。
-
公开(公告)号：CN104919191A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380070944.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 精密公司
IPC: F15C3/04
CPC classification number: B01L3/50273 , B01L3/502707 , B01L3/502738 , B01L2200/0689 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2300/123 , B01L2400/0481 , B01L2400/0487 , B01L2400/0638 , B01L2400/0655 , B29C43/021 , B29C65/16 , B29K2101/00 , B29L2009/00 , B29L2031/7496 , B81B2201/052 , B81C1/00119 , F04B43/043 , F16K99/0015 , F16K99/0059 , F16K2099/0078 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0086 , Y10T156/1026
Abstract: 本发明涉及流体滤筒及其制造，其具有包括气动地操作的隔膜构件的多个回路元件子类型，其中隔膜材料针对屈服点、耐化学品性、透气性和其它特性根据流体元件子类型独立地进行选择。本发明还提供现场边缘粘接剪贴工艺，其用于形成滤筒内的隔膜构件，并且形成流体回路，在流体回路中隔膜构件用作主动和被动回路元件，回路元件包括泵、阀、通风口、废弃物容器、试剂贮存器以及具有光学窗口的透明小容器，其中在制造期间，每个独立隔膜构件的材料组成可以选择各类材料。
-
公开(公告)号：CN102473637A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980160135.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 西尔弗布鲁克研究股份有限公司
IPC: H01L21/311 , B41J2/16 , G03F7/42
CPC classification number: B41J2/16 , B41J2/14137 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B81B2201/052 , B81C1/00476 , G03F7/427 , H01L21/31138
Abstract: 提供了伴随着去遮蔽的除去光致抗蚀剂的方法。该方法采用由包含O2、NH3和含氟气体例如CF4的气体化学物质形成的等离子体。该方法特别适合用于MEMS的制造工艺，例如喷墨打印头的制造。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1986386B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610169098.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: B81C1/00801 , B41J2/14 , B41J2/16 , B41J2/1626 , B41J2/1639 , B41J2002/043 , B81B2201/052 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133 , B81C2201/014
Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构，所述结构在操作配置中具有多个层，每个层顺序相互层叠，所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层，所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能，所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能，其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料，并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。
-
公开(公告)号：CN101836283A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112369.4
申请日：2008-08-04
Applicant: 惠普开发有限公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B81C1/00087 , B41J2/16 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B81B2201/052 , H01L21/76898
Abstract: 形成穿过硅基底(12)的第一侧(21)到达硅基底(12)的第二侧的槽(18)。激光图案化沟(15)。沟(15)在硅基底(12)的第一侧(21)具有开口。沟(15)未到达硅基底(12)的第二侧。对沟(15)进行干法蚀刻直到沟(15)的至少一部分的深度近似地延伸至硅基底(12)的第二侧。执行湿法蚀刻以完成槽(18)的形成。所述湿法蚀刻从沟(15)的所有表面对硅进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN107757125A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710675291.8
申请日：2017-08-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 土屋宽之
CPC classification number: B32B37/12 , B32B2307/538 , B41J2/161 , B41J2/1612 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B81B2201/052 , B81C3/001 , B81C2203/032 , C09J5/00 , B41J2/14 , G01B11/30
Abstract: 本发明提供一种能够在通过粘合剂进行接合之际可靠地检测出粘合剂的涂覆不均从而将粘合不良防范于未然的接合体的制造方法、MEMS元件的制造方法、液体喷射头的制造方法、以及接合体的制造装置。在由多个结构体通过粘合剂而相互接合成的接合体的制造方法中，包括：将粘合剂层形成在介质的一面上的粘合剂层形成工序；对在粘合剂层形成工序中所形成的粘合剂层的粘度进行调节的粘度调节工序；将在粘度调节工序中被调节了粘度的粘合剂层转印到结构体上的转印工序，在转印工序之前的阶段中，实施对转印薄膜上的粘合剂层的表面粗糙度进行测定的表面粗糙度测定工序。
-
公开(公告)号：CN1672929B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510059195.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B41J2/16 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B81B3/0035 , B81B2201/047 , B81B2201/052 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种用于在电子器件(310)中形成腔室(350)的方法，该方法包括在固化的芯材料(334)上制备外层表面(336)，该固化芯材料(334)在形成于衬底(312)中的凹槽(316)中。该方法还包括在固化芯材料(334)的制备的外层表面(336)和围绕凹槽(316)的部分衬底(312)上建立层(338)，该建立的层(338)和衬底(312)限定出腔室(350)。
-
公开(公告)号：CN101687276A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880020754.6
申请日：2008-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C09J5/02 , B23K26/0624 , B23K26/244 , B23K26/26 , B23K2101/42 , B23K2103/56 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1634 , B81B2201/052 , B81C3/001 , B81C2203/036 , C09J2400/146 , H01L21/187 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种硅基材的接合方法，其具备：第一工序，对包含Si-H键的第一硅基材赋予能量，选择性地切断沿应裂开的面存在的Si-H键，通过生成的氢气的膨胀压使第一硅基材裂开，从而使硅的未结合键在该裂开面露出；第二工序，使裂开的第一硅基材的裂开面与在表面露出硅的未结合键的第二硅基材的表面接触，使两者接合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
325
records
(took 0.052 seconds)
