公开(公告)号：WO2010072675A3

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/EP2009067539

申请日：2009-12-18

Applicant: LICHTENSTEIGER LUKAS ,  PFEFFER CHRISTIAN

Inventor： LICHTENSTEIGER LUKAS

IPC: B81C1/00 ,  B28D1/22

CPC classification number: B28D1/221 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/038 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76251 ,  Y10T225/10

Abstract: It is disclosed a method of printing comprising the steps of: providing a solid state material having at least one exposed surface; applying an auxiliary layer to the exposed surface to form a composite structure, the auxiliary layer having a stress pattern; subjecting the composite structure to conditions facilitating fracture of the solid state material along a plane at a depth therein; and removing the auxiliary layer and, therewith, a layer of the solid state material terminating at the fracture depth, an exposed surface of the removed layer of solid state material having a surface topology corresponding to the stress pattern.

Abstract translation: 公开了一种打印方法，包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固态材料; 将辅助层施加到暴露的表面以形成复合结构，所述辅助层具有应力图案; 使复合结构受到促进固态材料沿着其深度处的平面断裂的条件; 并且除去辅助层，并且随后移除终止于断裂深度处的固态材料层，所述去除的固态材料层的暴露表面具有对应于应力图案的表面拓扑。

公开(公告)号：WO2008152151A2

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：PCT/EP2008057579

申请日：2008-06-16

Applicant: X FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES ,  KNECHTEL ROY

Inventor： KNECHTEL ROY

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C23C16/042 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  C23C14/042 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method and a through-vapor mask for depositing layers in a structured manner by means of a specially designed coating mask (1) which has structures (4) that accurately fit into complementary alignment structures (5) of the microsystem wafer (2) to be coated (8) in a structured manner such that the mask and the wafer can be accurately aligned relative to one another. Very precisely defined areas on the microsystem wafer are coated (8) through holes (7, 7') in the coating mask, e.g. by means of sputtering, CVD, or evaporation processes.

Abstract translation: 本发明描述了一个过程，用于与专门设计的涂层掩模（1）结构化的层沉积的蒸气渗透掩模，所述结构（4），其紧密地配合到互补调整结构（5）的图案化，以被涂覆（8）微系统技术晶片（2）设置，所以 该掩模和晶片可以精确地彼此对齐。 通过在涂层掩模孔（7,7“）非常精确限定的区域可以通过溅射，CVD或蒸发方法来涂覆到微系统技术晶片（8），例如。

公开(公告)号：WO2008027571A3

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/US2007019233

申请日：2007-08-30

Applicant: LIQUIDIA TECHNOLOGIES INC ,  DESIMONE JOSEPH M ,  HENN ROBERT L ,  SPRAGUE JAKE

Inventor： DESIMONE JOSEPH M ,  HENN ROBERT L ,  SPRAGUE JAKE

IPC: B28B1/00 ,  B28B3/00

CPC classification number: H01B1/08 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/034 ,  B81C2201/038 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00 ,  H01F1/01 ,  Y10T428/2982

Abstract: A plurality of nanoparticles, a structure assembled therefrom, a method of forming the structure, including a plurality of particles where each particle of the plurality of particles is configured with a substantially predetermined shape and a largest dimension less than about 100 micrometers, and where each particle of the plurality of particles includes an opening through the particle.

Abstract translation: 多个纳米颗粒，由其组装的结构，形成该结构的方法，包括多个颗粒，其中多个颗粒的每个颗粒被构造成具有基本上预定的形状和最小尺寸小于约100微米，并且其中每个 多个颗粒的颗粒包括穿过颗粒的开口。

公开(公告)号：KR101527627B1

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：KR1020117017441

申请日：2009-12-18

Applicant: 실텍트라 게엠베하

Inventor： 리히텐스타이거루카스

IPC: B81C1/00 ,  B28D1/22

CPC classification number: B28D1/221 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/038 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76251 ,  Y10T225/10

Abstract: 하나이상의노출면을갖는고상재료를제공하는단계; 복합구조체를형성하기위해상기노출면에보조층을적용하는단계; 상기보조층과상기고상재료에스트레스패턴을유발하는조건에상기복합구조체를두고, 이에의해상기고상재료내의소정깊이에서실질적으로평면을따라상기고상재료의파괴를촉진하는단계; 및상기파괴깊이에서종료하는상기고상재료의층과함께상기보조층을제거하는단계를포함하고, 상기고상재료의제거된층의노출면은상기스트레스패턴에상응하는표면토폴로지를갖는것을특징으로하는인쇄방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020140074926A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020147009202

申请日：2012-08-27

Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.

Inventor： 스테파노우,필립제이슨 ,  론데르간,안나랑겔로바 ,  고우세브,이브게니페트로비치 ,  셰노이,라빈드라바맨

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C23C28/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0392 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/038 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24612

Abstract: 본 개시물은 하이 표면 영역 스택된 층진 금속 구조들, 디바이스들, 장치, 시스템들 및 관련된 방법들의 구현들을 제공한다. 기판상의 복수의 스택된 층들은 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하는 플레이팅 배스로부터 제조될 수 있다. 변조되는 플레이팅 전류는 교번하는 제 1 금속 층들 및 합금 층들을 증착할 수 있으며, 합금 층들은 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함한다. 합금 층들 사이의 갭들은 스택된 층진 구조를 정의하기 위해 제 1 금속 층들의 일부 부분들을 선택적으로 에칭함으로써 형성될 수 있다. 스택된 층진 구조들은 커패시터들, 인덕터들, 촉매 반응기들, 열 전달 튜브들, 비-선형 스프링들, 필터들, 배터리들 및 중금속 정화기들을 형성하기 위해 애플리케이션들에서 유용할 수 있다.

公开(公告)号：TW200510243A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093136812

申请日：2004-11-30

Applicant: 董玟昌

Inventor： 董玟昌

IPC: B81C ,  B81B

CPC classification number: B81C1/0088 ,  B81C2201/038 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227

Abstract: 一種可分離介面的形成方法，係在製程基底與積體電路元件或微機電元件的層與層之間，以接合度不佳的材質或製程或易被蝕刻去除的材質構成一種可藉外力破壞的可分離介面，而且積體電路元件或微機電元件在後續的製程中，可藉破壞該可分離介面而達到使積體電路元件或微機電元件與製程基底相互分離；而應用可分離介面的成形方法製成的微機電薄膜，其結構不帶製程基底且具可撓曲性，而且上下兩面都可製成具備電路接點、微結構或微機電元件，與必須與製程基底同時存在的傳統微機電薄膜相較，不帶製程基底且具可撓曲性微機電薄膜具有更廣泛的實際應用。

Abstract in simplified Chinese: 一种可分离界面的形成方法，系在制程基底与集成电路组件或微机电组件的层与层之间，以接合度不佳的材质或制程或易被蚀刻去除的材质构成一种可藉外力破坏的可分离界面，而且集成电路组件或微机电组件在后续的制程中，可藉破坏该可分离界面而达到使集成电路组件或微机电组件与制程基底相互分离；而应用可分离界面的成形方法制成的微机电薄膜，其结构不带制程基底且具可挠曲性，而且上下两面都可制成具备电路接点、微结构或微机电组件，与必须与制程基底同时存在的传统微机电薄膜相较，不带制程基底且具可挠曲性微机电薄膜具有更广泛的实际应用。

公开(公告)号：TW201316385A

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：TW101132598

申请日：2012-09-06

Applicant: 高通微機電系統科技公司 ,  QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 謝諾伊 雷文卓 法曼 ,  SHENOY, RAVINDRA VAMAN ,  史蒂法諾 菲利浦 傑森 ,  STEPHANOU, PHILIP JASON ,  蘭德甘 安納 瑞格洛法 ,  LONDERGAN, ANA RANGELOVA ,  古賽夫 艾吉尼 佩卓維齊 ,  GOUSEV, EVGENI PETROVICH

IPC: H01L21/28 ,  C25D7/12

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0392 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/038 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本發明提供高表面區域堆疊層金屬結構、器件、裝置、系統及相關方法之實施。可自一包括第一金屬及第二金屬之電鍍槽來製造位於基板上之複數個堆疊層。一調變之電鍍電流可沈積交替之第一金屬層及合金層，該等合金層包括該第一金屬及該第二金屬。可藉由選擇性地蝕刻第一金屬層之一些部分以界定堆疊層結構來形成合金層之間的間隙。堆疊層結構可在用以形成電容器、電感器、催化反應器、熱轉移管、非線性彈簧、過濾器、蓄電池及重金屬淨化器的應用中有用。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供高表面区域堆栈层金属结构、器件、设备、系统及相关方法之实施。可自一包括第一金属及第二金属之电镀槽来制造位于基板上之复数个堆栈层。一调制之电镀电流可沉积交替之第一金属层及合金层，该等合金层包括该第一金属及该第二金属。可借由选择性地蚀刻第一金属层之一些部分以界定堆栈层结构来形成合金层之间的间隙。堆栈层结构可在用以形成电容器、电感器、催化反应器、热转移管、非线性弹簧、过滤器、蓄电池及重金属净化器的应用中有用。

公开(公告)号：TWI246502B

公开(公告)日：2006-01-01

申请号：TW093136812

申请日：2004-11-30

Applicant: 董玟昌

Inventor： 董玟昌

IPC: B81C ,  B81B

CPC classification number: B81C1/0088 ,  B81C2201/038 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227

Abstract: 一種可分離介面的形成方法，係在製程基底與積體電路元件或微機電元件的層與層之間，以接合度不佳的材質或製程或易被蝕刻去除的材質構成一種可藉外力破壞的可分離介面，而且積體電路元件或微機電元件在後續的製程中，可藉破壞該可分離介面而達到使積體電路元件或微機電元件與製程基底相互分離；而應用可分離介面的成形方法製成的微機電薄膜，其結構不帶製程基底且具可撓曲性，而且上下兩面都可製成具備電路接點、微結構或微機電元件，與必須與製程基底同時存在的傳統微機電薄膜相較，不帶製程基底且具可撓曲性微機電薄膜具有更廣泛的實際應用。

Abstract in simplified Chinese: 一种可分离界面的形成方法，系在制程基底与集成电路组件或微机电组件的层与层之间，以接合度不佳的材质或制程或易被蚀刻去除的材质构成一种可藉外力破坏的可分离界面，而且集成电路组件或微机电组件在后续的制程中，可藉破坏该可分离界面而达到使集成电路组件或微机电组件与制程基底相互分离；而应用可分离界面的成形方法制成的微机电薄膜，其结构不带制程基底且具可挠曲性，而且上下两面都可制成具备电路接点、微结构或微机电组件，与必须与制程基底同时存在的传统微机电薄膜相较，不带制程基底且具可挠曲性微机电薄膜具有更广泛的实际应用。