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公开(公告)号：JP2015531868A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2015528577
申请日：2013-08-20
Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh , ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh , ゲイリー・ヤマ , アンドー・フェイ , アシュウィン・サマラオ , ファビアン・パークル , ゲイリー・オブライエン
Inventor： ゲイリー・ヤマ , アンドー・フェイ , アシュウィン・サマラオ , ファビアン・パークル , ゲイリー・オブライエン
IPC: G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス中に基板(100)上に少なくとも1つの犠牲層(106、108、110)を形成するステップを含む半導体デバイスを製造する方法。吸収体層(130)を少なくとも1つの犠牲層の上面に堆積させる。吸収体層の下の少なくとも1つの犠牲層(106、108、110)の一部分を除去して、吸収体層の一部分が上に懸架されるギャップ(G1)を形成する。犠牲層は、選択的フッ酸蒸気ドライエッチリリースプロセスを使用して酸化物を除去して、ギャップを形成するCMOSプロセスの酸化物でよい。犠牲層は、O2プラズマエッチングプロセスを使用してポリマー層を除去して、ギャップを形成するポリマー層でもよい。
Abstract translation: 一种制造半导体器件包括在所述衬底（100）上形成的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的至少一个牺牲层（106，108，110）的步骤的方法。 吸收体层（130）沉积在所述至少一个牺牲层的上表面上。 用于将吸收层下方的至少一个牺牲层（106，108），间隙（G1）到吸收层的一部分被上述悬浮除去部。 牺牲层是使用选择性氢氟酸蒸气干蚀刻释放工艺，以去除所述氧化物可用于形成间隙的CMOS工艺的氧化物。 牺牲层，所述聚合物层是使用O 2等离子体蚀刻工艺可以是聚合物层以形成间隙去除。
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公开(公告)号：KR101612400B1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020097027210
申请日：2008-05-28
Applicant: 파이레오스 엘티디.
Inventor： 기베러,카르스텐 , 슈라이터,마티아스 , 파울러스,크리스티안
CPC classification number: G01J5/34 , G01J5/00 , G01J5/0205 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/04 , G01J5/041 , G01J5/045 , G01J5/14 , G01J5/22 , G01J2005/0077 , G01J2005/204 , G01N2021/0106 , H01L27/14683 , H01L41/0973 , Y10T156/10
Abstract: 본발명은상기열 복사를전기신호로변환하기위한하나이상의열 검출기소자가배열되는하나이상의막, 및상기막을지지하고상기전기신호를판독하는하나이상의판독회로를지지하여, 상기검출기소자와상기판독회로가전기도통접속에의해상기막을통해전기접속되는하나이상의회로지지대를포함하는열 복사검출장치에관한것이다. 또한, 본발명은 a) 상기검출기소자를갖춘막과하나이상의전기도통접속을제공하고상기회로지지대를준비하는단계와, b) 상기검출기소자와판독회로가상기막을통과하는전기접속에의해함께전기적으로연결되는방식으로상기막과회로지지대를결합하는단계를포함하는열 복사검출장치제조방법에관한것이다. 제조단계는바람직하게웨이퍼레벨에서수행되며, 기능화된실리콘기판이서로에대해적층되어서로단단히접합된후에개별소자로분할된다. 바람직하게, 검출기소자는파이로-전기검출기소자를포함한다. 상기장치는모션검출기, 프레전스검출기및 열영상카메라분야에적용될수 있다.
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公开(公告)号：JP2014521094A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2014520616
申请日：2012-07-13
Applicant: セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス , オフィス ナショナル デチュード エ ド ルシェルシュ アエロスパティアル−オーエヌイーアールエー , コミスィアラ ア レナジィ アトミーク エ オウ エナジーズ オルターナティブズ−シーイーエー
Inventor： コーチリン、チャーリー , ブーション、パトリック , ハイダル、リアド , ペロード、ジーン−リュック , ヨン、ジーン−ジャック , デスチャンプス、ジョエル , パルド、ファブリセ , コリン、ステファン
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J2005/204 , H01L27/14685 , H04N5/33
Abstract: 【解決手段】支持基板とマイクロボロメータピクセル３００の配列とを備える、所定のスペクトル帯域の光放射線の熱検出のためのマイクロボロメータアレイにおいて、各マイクロボロメータは支持基板の上方に懸架される膜３０１を備え、膜は、入射放射線を吸収するための素子３０５と、吸収素子と熱的に接触して吸収素子から電気的に絶縁される温度測定素子３０４とから成る。 吸収素子が少なくとも１つの第１の金属／絶縁体／金属ＭＩＭ構造体を備え、ＭＩＭ構造体は、サブミクロン程度の厚さの３つの重ね合わされる膜、すなわち、第１の金属膜３１１、誘電体膜３１０、および第２の金属膜３０９の多層構造を備え、ＭＩＭ構造体は、スペクトル帯域の少なくとも１つの波長で入射放射線の共鳴吸収を有することができる。 膜３０１によってカバーされるマイクロボロメータピクセルの面積はマイクロボロメータピクセルの全面積の半分以下である。
【選択図】図３Ａ-
公开(公告)号：JP2010507097A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2009533366
申请日：2007-10-17
Applicant: センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーションSensormatic Electoronics Corporation , ユニバーシティ・オブ・セントラル・フロリダ・リサーチ・ファウンデーション・インク
Inventor： コフィー、ケビン・アール , リャン、ミン−レン
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: A conduction structure for infrared microbolometer sensors and a method for sensing electromagnetic radiation may be provided. The microbolometer may include a first conductor layer and a second conductor layer. The microbolometer further may include a bolometer layer between the first conductor layer and the second conductor layer.
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公开(公告)号：JP2009544977A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：JP2009521960
申请日：2007-07-24
Applicant: ノースロップ グラマン コーポレーション
Inventor： ハームズ，ディヴィッド，シー． , ブルザー，ネイサン
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0837 , G01J5/24 , G01J2005/204
Abstract: ボロメータ型超高感度シリコンセンサーは、検出段、中間段、及び熱浴段を含む。 検出段、中間段、及び熱浴段の一部は、おおむね共面であり、かつＩ字形梁のブリッジで接続されていて、お互いに共面の回転を可能にする。 マイクロアンテナと検出段の検出素子との間に連結された２段階トランスの組立部品によって、マイクロアンテナと検出段との間の機械的及び電気的結合が改良される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6302470B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015528577
申请日：2013-08-20
Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング , ROBERT BOSCH GMBH , ゲイリー・ヤマ , アンドー・フェイ , アシュウィン・サマラオ , ファビアン・パークル , ゲイリー・オブライエン
Inventor： ゲイリー・ヤマ , アンドー・フェイ , アシュウィン・サマラオ , ファビアン・パークル , ゲイリー・オブライエン
IPC: G01J1/02
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
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公开(公告)号：JP5568302B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2009521960
申请日：2007-07-24
Applicant: ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション
Inventor： ブルザー，ネイサン , ハームズ，ディヴィッド，シー．
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0837 , G01J5/24 , G01J2005/204
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88.发明专利
公开(公告)号：JP2010528300A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：JP2010509728
申请日：2008-05-28
Applicant: ピレオス エルテーデーPyreos Ltd.
Inventor： カルステン ギーベレール , マチアス シライテル , クリスチアン パウルス
CPC classification number: G01J5/34 , G01J5/00 , G01J5/0205 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/04 , G01J5/041 , G01J5/045 , G01J5/14 , G01J5/22 , G01J2005/0077 , G01J2005/204 , G01N2021/0106 , H01L27/14683 , H01L41/0973 , Y10T156/10
Abstract: In a device for detecting thermal radiation, at least one membrane is provided on which at least one thermal detector element is mounted for the conversion of the thermal radiation into an electric signal and at least one circuit support for carrying the membrane and for carrying at least one readout circuit for reading out the electrical signal, the detector element and the readout circuit being connected together electrically by an electric contact which passes through the membrane. In addition, a method of producing the device with the following method steps is provided: a) provision of the membrane with the detector element and of at least one electrical through-connection and provision of the circuit support and b) bringing together the membrane and the circuit support in such a manner that the detector element and the readout circuit are connected together electrically by an electrical contact passing through the membrane. Production activity is preferably carried out at wafer level: functionalised silicon substrates are stacked upon one another, firmly bonded to one another and then divided into individual elements. Preferably, the detector elements comprise of pyro-electrical detector elements. The device finds application in motion detectors, presence detectors and in thermal imaging cameras.
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公开(公告)号：KR1020170087417A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020170008732
申请日：2017-01-18
Applicant: 율리스 , 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 파장(λ)에중심을둔 파장범위(λ; λ)를검출할수 있는검출기를제조하는방법이제공되며, 검출기는상기파장범위(λ; λ)를검출할수 있는검출디바이스와상기검출디바이스를수용하는미리결정된압력하에서의밀폐된패키지를포함하고, 상기패키지는기판, 상기기판에부착된측벽과상기측벽에부착된상부캡으로형성되고, 상기파장범위(λ; λ)에서투명한디바이스에수직한부분을포함하며, 방법은: - 상기검출디바이스를기판상에형성하는단계로서, 상기검출디바이스를완전히매립하는희생층을퇴적하는단계를포함하는, 상기형성하는단계; - 희생층 상에상기상부캡을형성하는단계로서, 상기상부캡은상기파장범위(λ; λ)에서투명한제 1, 제 2 및제 3 광학구조체의스택으로형성되고, 제 2 및제 3 광학구조체는각각 3.4 이상이고, 2.3 이하인파장(λ)에서등가굴절률을갖는, 상기상부캡을형성하는단계; - 적어도제 1 광학구조체를포함하는캡의부분을형성한후에, 상기상부캡의부분을통해희생층에접근하는벤트를형성한다음, 벤트를통해희생층을완전히제거하는에칭을적용하는단계를포함하며, - 제 1 광학구조체의광학두께는λ/10 이상이고; - 제 1 광학구조체의파장(λ)에서의등가굴절률은 2.6 이하이며; - 희생층 상에형성된제 1 광학구조체의표면은희생층을제거하기위해구현된에칭에대해불활성이다.
Abstract translation: 提供了一种制造检测器的方法，该检测器能够检测以波长（λ）为中心的波长范围（λ;λ），该检测器包括能够检测所述波长范围（λ） 其中，封装包括衬底，附着到衬底的侧壁和附着到侧壁的上盖，并且其中垂直于透明器件的部分在波长范围（λ; 该方法包括以下步骤：在衬底上形成检测装置，包括：沉积完全嵌入检测装置的牺牲层; 在牺牲层上形成上盖，上盖由在波长范围（λ;λ）中透明的第一，第二和第三光学结构的叠层形成。第二和第三光学结构是 在至少3.4且不大于2.3的波长（λ）下形成具有等效折射率的上盖; - 形成至少包括第一光学结构的帽的一部分，形成穿过顶帽的该部分的通气孔以进入牺牲层，然后施加蚀刻以通过通气孔完全去除牺牲层 第一光学结构的光学厚度为λ/ 10或更大; 第一光学结构的波长λ处的等效折射率不大于2.6; 形成在牺牲层上的第一光学结构的表面对实施去除牺牲层的蚀刻是惰性的;
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公开(公告)号：KR1020150090028A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020157007150
申请日：2013-08-20
IPC: G01J5/02 , G01J5/20 , H01L27/144 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/02019 , G01J5/023 , G01J5/0235 , G01J5/024 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1446
Abstract: 반도체디바이스제조방법은상보형금속-산화막-반도체(CMOS) 공정중에기판(100) 상에적어도하나의희생층(106, 108, 110)을형성하는단계를구비한다. 적어도하나의희생층의상부위에흡수체층(130)이증착된다. 흡수체층의일부가그 위에현수되는갭(G1)을형성하기위해흡수체층 아래의적어도하나의희생층(106, 108, 110)의일부가제거된다. 희생층은 CMOS 공정의산화물일수 있으며, 산화물은선택적불화수소산증기건식에칭해방공정을사용하여갭을형성하도록제거된다. 희생층은또한폴리머층일수 있으며, 폴리머층은 O플라즈마에칭공정을사용하여갭을형성하도록제거된다.
Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括在互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺期间在衬底上形成至少一个牺牲层。 在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收层。 吸收层下面的至少一个牺牲层的一部分被去除以形成一个间隙，吸收层的一部分悬挂在该间隙上。 牺牲层可以是CMOS工艺的氧化物，其中使用选择性氢氟酸蒸气干蚀刻释放工艺除去氧化物以形成间隙。 牺牲层也可以是聚合物层，其中除去聚合物层以使用O 2等离子体蚀刻工艺形成间隙。
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