具有複合間隔物之場發射裝置
    82.
    发明专利
    具有複合間隔物之場發射裝置 有权
    具有复合间隔物之场发射设备

    公开(公告)号:TW463204B

    公开(公告)日:2001-11-11

    申请号:TW087116290

    申请日:1998-09-30

    IPC: H01J

    Abstract: 一種場發射顯示器包括一陰極(102)具有許多電子發射器(124),一陽極(104)與陰極(102)相對,及一複合間隔物(108)延伸於陽極與陰極(102)之間。複合間隔物(108)含第一層(107)其為介電材料或大電阻材料所製成,及一導電層(109),其連接在第一層(107),及為金屬,金屬合金或陶金屬混合材料製成。複合間隔物(108)之高度大於500微米。

    Abstract in simplified Chinese: 一种场发射显示器包括一阴极(102)具有许多电子发射器(124),一阳极(104)与阴极(102)相对,及一复合间隔物(108)延伸于阳极与阴极(102)之间。复合间隔物(108)含第一层(107)其为介电材料或大电阻材料所制成,及一导电层(109),其连接在第一层(107),及为金属,金属合金或陶金属混合材料制成。复合间隔物(108)之高度大于500微米。

    具有一離子屏蔽之場發射顯示器
    83.
    发明专利
    具有一離子屏蔽之場發射顯示器 失效
    具有一离子屏蔽之场发射显示器

    公开(公告)号:TW416079B

    公开(公告)日:2000-12-21

    申请号:TW088103063

    申请日:1999-03-01

    IPC: H01J

    CPC classification number: H01J3/022 H01J2201/025

    Abstract: 一種場發射顯示器(100)包括具有許多個發射井(emitter wells)(134)的介電質層(dielectric layer)(132),在每一個發射井(134)內皆配置一個電子發射器(136),在該介電質層(132)上配置了許多個傳導列(conductive rows)(138,140,142),而該傳導列具有犧牲部(sacrificial portions)(154),一離子屏蔽(139)配置於介電質層(132),用來隔離傳導列(138,140,142)上的犧牲部(154),一陽極置於該電子發射器(136)之對側,訂出了在該傳導列(138,140,142)之投射區域(122)。該傳導列(138,140,142)上的犧牲部(154)延伸範圍超出該陽極的投射區域(122)。

    Abstract in simplified Chinese: 一种场发射显示器(100)包括具有许多个发射井(emitter wells)(134)的介电质层(dielectric layer)(132),在每一个发射井(134)内皆配置一个电子发射器(136),在该介电质层(132)上配置了许多个传导列(conductive rows)(138,140,142),而该传导列具有牺牲部(sacrificial portions)(154),一离子屏蔽(139)配置于介电质层(132),用来隔离传导列(138,140,142)上的牺牲部(154),一阳极置于该电子发射器(136)之对侧,订出了在该传导列(138,140,142)之投射区域(122)。该传导列(138,140,142)上的牺牲部(154)延伸范围超出该阳极的投射区域(122)。

    場發射裝置
    84.
    发明专利
    場發射裝置 失效
    场发射设备

    公开(公告)号:TW358958B

    公开(公告)日:1999-05-21

    申请号:TW086113690

    申请日:1997-09-20

    Inventor: 尼.羅伯P.

    IPC: H01J

    CPC classification number: H01J3/022 H01J2201/025

    Abstract: 一種場發射裝置(200、300、400、500)包括一支持基體(210、310、410、510)、一陰極(215、315、415、515)形成於該基體上,多個電子射極(270、370、470、570)與多個接近電子射極(270、370、470、570)用以自該處放射電子之閘抽取電極(250、350、450、550),一主要介質表面(248、348、448、548)置於多個閘抽取電極(250、350、450、550)之間,一電荷散逸層(252、352、452、552)形成於主要介質表面(248、348、448、548)之上及一陽極(280、380、480、580)與閘抽取電極(250、350、450、550)相隔開。

    Abstract in simplified Chinese: 一种场发射设备(200、300、400、500)包括一支持基体(210、310、410、510)、一阴极(215、315、415、515)形成于该基体上,多个电子射极(270、370、470、570)与多个接近电子射极(270、370、470、570)用以自该处放射电子之闸抽取电极(250、350、450、550),一主要介质表面(248、348、448、548)置于多个闸抽取电极(250、350、450、550)之间,一电荷散逸层(252、352、452、552)形成于主要介质表面(248、348、448、548)之上及一阳极(280、380、480、580)与闸抽取电极(250、350、450、550)相隔开。

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