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公开(公告)号:WO2004016723A1
公开(公告)日:2004-02-26
申请号:PCT/JP2003/010254
申请日:2003-08-11
Applicant: 三菱住友シリコン株式会社 , 株式会社ピュアトロン , エコー技研株式会社 , 竹村 誠 , 福田 泰夫 , 早田 和昭 , 加藤 昌明 , 栖原 英治
IPC: C11D7/26
CPC classification number: C11D7/5022 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B2203/005 , C02F1/68 , C02F1/78 , C02F2103/04 , C02F2103/346 , C11D3/3942 , C11D11/0047 , H01L21/02052
Abstract: 有機溶剤の添加で、有機炭素が微量な超純水は有機炭素が増えた超純度オゾン水となり、オゾン半減期の低減を抑制できる。その結果、超純度オゾン水で半導体基板を洗浄すると、高濃度のオゾンで基板を洗浄できる。よって、オゾンの酸化作用で、基板に付着した有機不純物、金属不純物などの洗浄能力、洗浄効率が高まる。
Abstract translation: 一种超纯臭氧水,其包含能够抑制臭氧半衰期减少的有机碳的量的增加; 以及生产超纯臭氧水的方法,其包括将含有上述有机碳的有机溶剂加入到含微量有机碳的超纯臭氧水中。 上述超纯臭氧水的臭氧一半增加,因此当用于清洗半导体衬底时,可以用臭氧含量较高的臭氧水进行清洗,从而显示出增强的清洁能力和清洁性 由于氧的氧化作用增强,附着在基材上的有机杂质,金属杂质等的效率。
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公开(公告)号:WO2014069187A1
公开(公告)日:2014-05-08
申请号:PCT/JP2013/077360
申请日:2013-10-08
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67757
Abstract: ウエハの処理ムラをなくすために、微小ゴミを発生させることなく、処理槽内でウエハを回転させることができるウエハ回転装置を提供する。処理液を収容し、処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽(2)と、処理液槽(2)内で前記ウエハ(W)の下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台(6)と、処理液槽2内のウエハ受台(6)を挟むように配置され、ウエハ受台(6)に対し相対的に上下方向に移動することでウエハの下部両端部分を保持可能に構成されている1組のウエハガイド(7)と、ウエハ(W)を、ウエハガイド(7)に保持させた状態でウエハ受台(6)を揺動させた後ウエハ受台(6)とウエハガイド(7)とを相対的に上下方向に移動させてウエハ受台(6)に戻すことで、ウエハ受台(6)におけるウエハWの支持部分を異ならせてウエハを回転させる。
Abstract translation: 本发明提供一种晶片旋转装置,其能够在不产生非常细小的废物的情况下使晶片在处理槽内旋转,以消除晶片上的处理不规则。 本发明具有:容纳处理液并使晶片浸入处理液中的处理液槽(2); 用于将晶片(W)的下部中间部分保持在处理液槽(2)内部的晶片保持器(6),晶片保持器(6)构造成能够沿着晶片表面的方向摆动 ; 以及一组晶片引导件(7),其定位成将晶片保持器(6)夹在处理溶液箱(2)内部,并且被构造成能够通过相对于所述晶片引导件垂直移动来保持晶片的下部中间部分 晶片保持器(6),晶片保持器(6)被晶片(W)保持在晶片引导件(7)上时摆动,之后晶片保持器(6)和晶片引导件(7)被引导 相对于彼此垂直地移动以将晶片(W)返回到晶片保持器(6),由此晶片保持器(6)上的晶片(W)的支撑部分被改变以使晶片旋转。
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公开(公告)号:JP5312662B1
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:JP2012242437
申请日:2012-11-02
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67757
Abstract: 【課題】 ウエハの処理ムラをなくすために、微小ゴミを発生させることなく、処理槽内でウエハを回転させることができるウエハ回転装置を提供する。
【解決手段】 処理液を収容し、処理液内にウエハを浸漬することができる処理液槽2と、 処理液槽2内で前記ウエハWの下部中間部分を保持し、ウエハの面に沿った方向に揺動可能に構成されているウエハ受台6と、処理液槽2内のウエハ受台6を挟むように配置され、ウエハ受台6に対し相対的に上下方向に移動することでウエハの下部両端部分を保持可能に構成されている1組のウエハガイド7と、ウエハWを、ウエハガイド7に保持させた状態でウエハ受台6を揺動させた後ウエハ受台6とウエハガイド7とを相対的に上下方向に移動させてウエハ受台6に戻すことで、ウエハ受台6におけるウエハWの支持部分を異ならせてウエハを回転させる。
【選択図】 図1-
公开(公告)号:JP4039662B2
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:JP2002235425
申请日:2002-08-13
Applicant: エコー技研株式会社 , クロリンエンジニアズ株式会社 , 株式会社Sumco
IPC: C11D7/26 , H01L21/304 , B08B3/02 , B08B3/08 , C02F1/68 , C02F1/78 , C11D3/39 , C11D7/50 , C11D7/60 , C11D11/00 , C11D17/08 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: C11D7/5022 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B2203/005 , C02F1/68 , C02F1/78 , C02F2103/04 , C02F2103/346 , C11D3/3942 , C11D11/0047 , H01L21/02052
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公开(公告)号:JP2014093388A
公开(公告)日:2014-05-19
申请号:JP2012242437
申请日:2012-11-02
Applicant: Kurabo Ind Ltd , 倉敷紡績株式会社 , Ekoo Giken Kk , エコー技研株式会社
Inventor: ISHIMORI HIROAKI , SUHARA EIJI
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67757
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer rotating device that is able to rotate a wafer in a treatment tank without occurrence of fine dust in order to eliminate uneven treatment of the wafer.SOLUTION: A wafer rotating device comprises: a treatment liquid tank 2 that contains a treatment liquid and allows a wafer to be impregnated in the treatment liquid; a wafer bearer 6 holding the lower intermediate portion of the wafer W in the treatment liquid tank 2 and configured to be able to swing in a direction along the surface of the wafer; and a pair of wafer guides 7 arranged so as to sandwich the wafer bearer 6 in the treatment liquid tank 2 and configured to be able to hold both the lower end portions of the wafer by vertically moving relative to the wafer bearer 6. While the wafer W is held by the wafer guide 7, the wafer bearer 6 is swung. Then, the wafer bearer 6 and wafer guide 7 are vertically moved relative to each other and the wafer W is returned to the wafer bearer 6. Thereby, using a different support portion of the wafer W on the wafer bearer 6, and the wafer is rotated.
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种晶片旋转装置,其能够在处理槽中旋转晶片而不产生细小灰尘,以消除晶片的不均匀处理。解决方案:晶片旋转装置包括:处理液槽2 其包含处理液体并允许晶片浸渍在处理液体中; 将晶片W的下部中间部分保持在处理液体槽2中并构造成能够沿着晶片表面的方向摆动的晶片托架6; 以及一对晶片引导件7,其布置成将晶片载体6夹在处理液槽2中,并且构造成能够通过相对于晶片载体6垂直移动来保持晶片的两个下端部分。而晶片 W被晶片引导件7保持,晶片托架6摆动。 然后,晶片载体6和晶片引导件7相对于彼此垂直移动,并且晶片W返回到晶片载体6.从而,使用晶片载体6上的晶片W的不同支撑部分,并且晶片是 旋转。
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公开(公告)号:JP2004079649A
公开(公告)日:2004-03-11
申请号:JP2002235425
申请日:2002-08-13
Applicant: Ekoo Giken Kk , Pyuatoron:Kk , Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp , エコー技研株式会社 , 三菱住友シリコン株式会社 , 株式会社 ピュアトロン
Inventor: TAKEMURA MAKOTO , FUKUDA YASUO , HAYATA KAZUAKI , KATO MASAAKI , SUHARA EIJI
IPC: C11D7/26 , B08B3/02 , B08B3/08 , C02F1/68 , C02F1/78 , C11D3/39 , C11D7/50 , C11D7/60 , C11D11/00 , C11D17/08 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: C11D7/5022 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B2203/005 , C02F1/68 , C02F1/78 , C02F2103/04 , C02F2103/346 , C11D3/3942 , C11D11/0047 , H01L21/02052
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method wherein cleaning capability and cleaning efficiency are improved by prolonging the ozone half life of super-purity ozone water which is manufactured by using ultrapure water whose total organic carbon content is reduced as raw material or solvent, in a cleaning method of a semiconductor substrate or element which uses ozone water.
SOLUTION: In the case that cleaning is performed by using cleaning water containing ozone wherein ultrapure water whose total organic carbon content is reduced is dissolved and contained as solvent, ozone obtained by a silent discharge method or an electrolytic method of water is contained in ultrapure water solvent wherein organic solvent is added by using a porosity high molecular macromolecules film, so that ozone half life attenuation can be restrained remarkably, ozone concentration in the solvent can be held to high concentration when cleaning is performed, and cleaning capability and cleaning efficiency can be improved.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO
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