公开(公告)号：CN119487605A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202280097730.0

申请日：2022-07-04

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 金基源

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置用部件及耐热材料，在本发明的半导体制造装置用部件中，所述部件的截面包括多层的阶梯差，所述多层包括暴露于等离子体的第一面与安装至所述半导体制造装置的第二面。

公开(公告)号：CN113557598B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202080014827.1

申请日：2020-03-11

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 金京俊

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种在半导体制造工序中使用的半导体制造部件之一的边缘环，本发明的SiC边缘环包括：第一沉积部，其包括具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC；以及第二沉积部，其包括形成在所述第一沉积部上的SiC，所述第一沉积部的损伤部分与所述第二沉积部之间的边界包括非平坦面。

公开(公告)号：CN118591656A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018557.5

申请日：2023-11-14

Applicant: 东海炭素株式会社

Inventor： 今川真百合 ,  大石昇平 ,  黑柳聪浩 ,  屋敷田励子

IPC: C23C16/42

Abstract: 本公开的目的在于提供低电阻的SiC成型体和上述SiC成型体的制造方法。本公开提供一种SiC成型体，其体积电阻率为7.0×10‑3Ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。

公开(公告)号：CN117769609A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202380012247.2

申请日：2023-05-15

Applicant: 东海炭素株式会社

Inventor： 杉原孝臣 ,  牛岛裕次

IPC: C23C16/42 ,  C01B32/977

Abstract: 本发明提供一种低电阻率、其厚度方向的电阻率的偏差小的多晶SiC成型体及其制造方法。多晶SiC成型体的电阻率为0.050Ωcm以下，当将拉曼光谱中的波数950～970cm‑1范围内的峰值强度设为“A”，将拉曼光谱中的波数780～800cm‑1范围内的峰值强度设为“B”时，峰值强度比率(A/B)的平均值为0.040以下，生长面侧的峰值强度比率的平均值与基材面侧的峰值强度比率的平均值之差为0.040以下。

公开(公告)号：CN117120661A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202380010913.9

申请日：2023-02-15

Applicant: 东海炭素株式会社

Inventor： 饭田卓志 ,  神藤博之 ,  大石昇平 ,  高桥郁哉 ,  牛岛裕次 ,  屋敷田励子

IPC: C23C16/32

Abstract: 本发明的课题是提供虽然晶体粒径小但体积电阻率小的多晶SiC成型体及其制造方法。本发明提供平均晶体粒径为5μm以下，氮浓度为2.7×1019～5.4×1020(个/cm3)，载流子密度与霍尔迁移率的乘积为4.0×1020～6.0×1021(个/cmVsec)的多晶SiC成型体。

公开(公告)号：CN114573350A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111433622.X

申请日：2021-11-29

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 曺东完

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C01B32/914

Abstract: 本发明涉及一种碳化钽复合材料，更具体地，涉及一种包括基材及形成在所述基材上的碳化钽膜的碳化钽复合材料，所述碳化钽膜的表面接触角为50°以上，具有较低的表面能。

公开(公告)号：CN114430782A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202080067860.0

申请日：2020-09-25

Applicant: 东海炭素株式会社

Inventor： 牛岛裕次 ,  杉原孝臣 ,  奥山圣一

IPC: C30B29/36 ,  C30B28/14 ,  C30B33/06 ,  C01B32/977 ,  C23C16/32 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供一种多晶SiC成型体，其电阻率为0.050Ωcm以下，在拉曼光谱中波数为760～780cm‑1范围内的峰强度为“A”，在拉曼光谱中波数为790～800cm‑1范围内的峰强度为“B”，则峰比率(A/B)为0.100以下。

公开(公告)号：CN113424298A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080015359.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 李相喆

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅(SiC)材料及其制备方法，更具体地，涉及一种包括碳化硅(SiC)层的碳化硅(SiC)材料及其制备方法，其中，在所述碳化硅(SiC)层的至少一部分上形成有平均晶粒尺寸为3.5μm以下并在X射线衍射分析中(111)面优先生长的低导热率区域。

公开(公告)号：CN107437495B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201611254099.3

申请日：2016-12-30

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 金基源 ,  卢炯煜 ,  尹钟声 ,  洪元杓

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件，根据本发明的一个实施例，提供半导体制造用部件的再生方法，其步骤包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗所述损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括所述损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积法在所述损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工所述再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗形成所述再生部的损伤的半导体制造用部件。

公开(公告)号：CN111433872A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880078297.X

申请日：2018-11-23

Applicant: 韩国东海炭素株式会社

Inventor： 薛昶煜

IPC: H01G11/34 ,  H01B1/04 ,  C01B32/312

Abstract: 本发明涉及电极材料用活性炭的制备方法，包括将活化的碳材料在包括含盐气体的环境中进行热处理的步骤，其中，在所述进行热处理的步骤之后的活化的碳材料中，金属杂质的含量为0.1ppm至20ppm以下。