公开(公告)号：TW200423374A

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW093102090

申请日：2004-01-30

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H01L ,  G06F

CPC classification number: H01P3/081 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/3011 ,  H01P3/026 ,  H01P3/08 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的課題在於，提供一種具備可對應超越GHz頻帶的高速信號的電源供應構造之電子電路裝置。本發明的解決手段如下。驅動電晶體10形成於半導體基板1的表面上。於此半導體基板1上，形成了供應電源至驅動電晶體10的電源接地配對傳輸線路20，及傳送信號至接收器之信號接地配對傳輸線路30。電源接地配對傳輸線路20分別連接於驅動電晶體的汲極層3，及P阱2中的P+層7。此外，信號接地配對傳輸線路30分別連接於驅動電晶體10的源極層4，及P阱2中的P^+層8。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题在于，提供一种具备可对应超越GHz频带的高速信号的电源供应构造之电子电路设备。本发明的解决手段如下。驱动晶体管10形成于半导体基板1的表面上。于此半导体基板1上，形成了供应电源至驱动晶体管10的电源接地配对传输线路20，及发送信号至接收器之信号接地配对传输线路30。电源接地配对传输线路20分别连接于驱动晶体管的汲极层3，及P阱2中的P+层7。此外，信号接地配对传输线路30分别连接于驱动晶体管10的源极层4，及P阱2中的P^+层8。

公开(公告)号：TW200729604A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：TW095131722

申请日：2006-08-29

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  秋山豊 AKIYAMA, YUTAKA ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. ,  京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  秋山豊 AKIYAMA, YUTAKA

IPC: H01P

CPC classification number: H01P5/02

Abstract: 一種阻抗轉換裝置具有四個導體,這些導體經配置而使得第一與第二導體形成具有第一特徵阻抗之傳輸線;第三與第四導體形成具有第一特徵阻抗之傳輸線;第一與第三導體形成具有第二特徵阻抗之傳輸線;且第二與第四導體形成具有第二特徵阻抗之傳輸線。第二與第四導體是經由等於第一特徵阻抗之電阻而互連於鄰近末端處。第三與第四導體是經由等於第二特徵阻抗之電阻而互連於鄰近末端處。阻抗轉換裝置之橫向尺寸足夠小以允許插入於疊對線中。

Abstract in simplified Chinese: 一种阻抗转换设备具有四个导体,这些导体经配置而使得第一与第二导体形成具有第一特征阻抗之传输线;第三与第四导体形成具有第一特征阻抗之传输线;第一与第三导体形成具有第二特征阻抗之传输线;且第二与第四导体形成具有第二特征阻抗之传输线。第二与第四导体是经由等于第一特征阻抗之电阻而互连于邻近末端处。第三与第四导体是经由等于第二特征阻抗之电阻而互连于邻近末端处。阻抗转换设备之横向尺寸足够小以允许插入于叠对线中。

公开(公告)号：TW200643951A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095106538

申请日：2006-02-24

Applicant: 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: G11C

CPC classification number: H01L27/108 ,  G11C5/063 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 一種記憶體格(MC)，包括針對轉移閘相互配對組構的nMOS電晶體(11a、11b)，以及用於儲存資料之連接至nMOS電晶體(11a)的電容器(12)。nMOS電晶體(11a)的閘極電極連接至字線WL，汲極連接至位元線BL。nMOS電晶體(11b)的閘極電極連接至字線／WL，且汲極與源極連接至接地。電容器(12)連接於nMOS電晶體(11a)的源極與接地之間。Y選擇器電路(13)連接於差動位元線BL、／BL與差動資料線DL、／DL之間。Y選擇器電路(13)具有分別被組構成配對電晶體的兩對nMOS電晶體(14a、14b及15a、15b)。

Abstract in simplified Chinese: 一种内存格(MC)，包括针对转移闸相互配对组构的nMOS晶体管(11a、11b)，以及用于存储数据之连接至nMOS晶体管(11a)的电容器(12)。nMOS晶体管(11a)的闸极电极连接至字线WL，汲极连接至比特线BL。nMOS晶体管(11b)的闸极电极连接至字线／WL，且汲极与源极连接至接地。电容器(12)连接于nMOS晶体管(11a)的源极与接地之间。Y选择器电路(13)连接于差动比特线BL、／BL与差动数据线DL、／DL之间。Y选择器电路(13)具有分别被组构成配对晶体管的两对nMOS晶体管(14a、14b及15a、15b)。

公开(公告)号：TW200509524A

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW093122616

申请日：2004-07-28

Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H03F

CPC classification number: H04L25/08 ,  H03K17/04106

Abstract: 為藉由將一以接地件為參考點之差動線連接至未以接地件為參考點之差動線，從而經由一差動線傳輸數十GHz之高速數位信號，本發明揭示一種信號傳輸系統，該信號傳輸系統可經由一信號傳輸線在各電路塊之間傳輸數位信號，其中每一電路塊皆基本上包括一功能電路、一獨立於該功能電路而形成之接收／發送電路、及一形成於該接收／發送電路之接收端與發送端之間的阻抗匹配傳輸線(115)；一種以接地件(110)為參考點之差動線(105)，該差動線自一差動輸出驅動器引出，並由相對於電路塊中的接地件(110)對稱佈置的差動信號線構成，僅有未以接地件為參考點之差動線對(111，112)直接延伸自相對於信號傳輸線(115)中的接地件對稱佈置的差動信號線。

Abstract in simplified Chinese: 为借由将一以接地件为参考点之差动线连接至未以接地件为参考点之差动线，从而经由一差动线传输数十GHz之高速数码信号，本发明揭示一种信号传输系统，该信号传输系统可经由一信号传输线在各电路块之间传输数码信号，其中每一电路块皆基本上包括一功能电路、一独立于该功能电路而形成之接收／发送电路、及一形成于该接收／发送电路之接收端与发送端之间的阻抗匹配传输线(115)；一种以接地件(110)为参考点之差动线(105)，该差动线自一差动输出驱动器引出，并由相对于电路块中的接地件(110)对称布置的差动信号线构成，仅有未以接地件为参考点之差动线对(111，112)直接延伸自相对于信号传输线(115)中的接地件对称布置的差动信号线。

公开(公告)号：TW200812050A

公开(公告)日：2008-03-01

申请号：TW096123257

申请日：2007-06-27

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  秋山豊 AKIYAMA, YUTAKA ,  伊藤恒夫 ITO, TSUNEO ,  丹場裕子 TANBA, YUKO ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  京瓷股份有限公司 KYOCERA CORPORATION ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  富士全錄股份有限公司 FUJI XEROX CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  秋山豊 AKIYAMA, YUTAKA ,  伊藤恒夫 ITO, TSUNEO ,  丹場裕子 TANBA, YUKO

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 所揭露的是一種靜電放電(ESD)保護電路,其能夠藉由降低該電路的電容來實現差動信號的加快速度。傳輸線係連接至一IN端與一096123257P01.bmp端並且差動信號係輸入至該等端,該ESD保護電路係連接至該等傳輸線並保護一內部電路免於施加至該IN端與該096123257P01.bmp端的一突波電壓,該ESD保護電路的一對電晶體係形成在相同的井中。因此,當差動信號通過時,保持在轉變之前的一狀態之該對電晶體的汲極中的電荷在相同的井中轉移。結果,該對電晶體的汲極中的電容係有關差動信號的轉變而被降低以至於差動信號的加快速度能被實現。

Abstract in simplified Chinese: 所揭露的是一种静电放电(ESD)保护电路,其能够借由降低该电路的电容来实现差动信号的加快速度。传输线系连接至一IN端与一096123257P01.bmp端并且差动信号系输入至该等端,该ESD保护电路系连接至该等传输线并保护一内部电路免于施加至该IN端与该096123257P01.bmp端的一突波电压,该ESD保护电路的一对晶体管系形成在相同的井中。因此,当差动信号通过时,保持在转变之前的一状态之该对晶体管的汲极中的电荷在相同的井中转移。结果,该对晶体管的汲极中的电容系有关差动信号的转变而被降低以至于差动信号的加快速度能被实现。

公开(公告)号：TWI251399B

公开(公告)日：2006-03-11

申请号：TW093122616

申请日：2004-07-28

Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H03F

CPC classification number: H04L25/08 ,  H03K17/04106

Abstract: 為藉由將一以接地件為參考點之差動線連接至未以接地件為參考點之差動線，從而經由一差動線傳輸數十GHz之高速數位信號，本發明揭示一種信號傳輸系統，該信號傳輸系統可經由一信號傳輸線在各電路塊之間傳輸數位信號，其中每一電路塊皆基本上包括一功能電路、一獨立於該功能電路而形成之接收/發送電路、及一形成於該接收/發送電路之接收端與發送端之間的阻抗匹配傳輸線(115)；一種以接地件(110)為參考點之差動線(105)該差動線自一差動輸出驅動器引出，並由相對於電路塊中的接地件(110)對稱佈置的差動信號線構成，僅有未以接地件為參考點之差動線對(111，112)直接延伸自相對於信號傳輸線(115)中的接地件對稱佈置的差動信號線。

Abstract in simplified Chinese: 为借由将一以接地件为参考点之差动线连接至未以接地件为参考点之差动线，从而经由一差动线传输数十GHz之高速数码信号，本发明揭示一种信号传输系统，该信号传输系统可经由一信号传输线在各电路块之间传输数码信号，其中每一电路块皆基本上包括一功能电路、一独立于该功能电路而形成之接收/发送电路、及一形成于该接收/发送电路之接收端与发送端之间的阻抗匹配传输线(115)；一种以接地件(110)为参考点之差动线(105)该差动线自一差动输出驱动器引出，并由相对于电路块中的接地件(110)对称布置的差动信号线构成，仅有未以接地件为参考点之差动线对(111，112)直接延伸自相对于信号传输线(115)中的接地件对称布置的差动信号线。

公开(公告)号：TW200305993A

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW092101552

申请日：2003-01-24

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  須賀唯知 SUGA TADATOMO ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPOROATION ,  日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  松下電器產業股份有限公司 ,  三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  須賀唯知 SUGA TADATOMO ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係將一種具有給定電容量的旁路電容器配置於晶片內和驅動器電路相鄰的電源／接地導線上以減低切換作業中出現過渡現象的效應。預設該旁路電容器的電容量使之大於該驅動器電路的寄生電容，以防止電源／接地導線的特徵阻抗高於其內部佈線層的特徵阻抗。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系将一种具有给定电容量的旁路电容器配置于芯片内和驱动器电路相邻的电源／接地导在线以减低切换作业中出现过渡现象的效应。默认该旁路电容器的电容量使之大于该驱动器电路的寄生电容，以防止电源／接地导线的特征阻抗高于其内部布线层的特征阻抗。

公开(公告)号：TWI305916B

公开(公告)日：2009-02-01

申请号：TW095106538

申请日：2006-02-24

Applicant: 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: G11C

CPC classification number: H01L27/108 ,  G11C5/063 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 一種記憶體格(MC),包括針對轉移閘相互配對組構的nMOS電晶體(11a、11b),以及用於儲存資料之連接至nMOS電晶體(11a)的電容器(12)。nMOS電晶體(11a)的閘極電極連接至字線WL,汲極連接至位元線BL。nMOS電晶體(11b)的閘極電極連接至字線/WL,且汲極與源極連接至接地。電容器(12)連接於nMOS電晶體(11a)的源極與接地之間。Y選擇器電路(13)連接於差動位元線BL、/BL與差動資料線DL、/DL之間。Y選擇器電路(13)具有分別被組構成配對電晶體的兩對nMOS電晶體(14a、14b及15a、15b)。

Abstract in simplified Chinese: 一种内存格(MC),包括针对转移闸相互配对组构的nMOS晶体管(11a、11b),以及用于存储数据之连接至nMOS晶体管(11a)的电容器(12)。nMOS晶体管(11a)的闸极电极连接至字线WL,汲极连接至比特线BL。nMOS晶体管(11b)的闸极电极连接至字线/WL,且汲极与源极连接至接地。电容器(12)连接于nMOS晶体管(11a)的源极与接地之间。Y选择器电路(13)连接于差动比特线BL、/BL与差动数据线DL、/DL之间。Y选择器电路(13)具有分别被组构成配对晶体管的两对nMOS晶体管(14a、14b及15a、15b)。

公开(公告)号：TWI252580B

公开(公告)日：2006-04-01

申请号：TW093102090

申请日：2004-01-30

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H01L ,  G06F

CPC classification number: H01P3/081 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/3011 ,  H01P3/026 ,  H01P3/08 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明的課題在於，提供一種具備可對應超越GHz頻帶的高速信號的電源供應構造之電子電路裝置。
本發明的解決手段如下。驅動電晶體10形成於半導體基板1的表面上。於此半導體基板1上，形成了供應電源至驅動電晶體10的電源接地配對傳輸線路20，及傳送信號至接收器之信號接地配對傳輸線路30。電源接地配對傳輸線路20分別連接於驅動電晶體的汲極層3，及P阱2中的P+層7。此外，信號接地配對傳輸線路30分別連接於驅動電晶體10的源極層4，及P阱2中的P+層8。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题在于，提供一种具备可对应超越GHz频带的高速信号的电源供应构造之电子电路设备。 本发明的解决手段如下。驱动晶体管10形成于半导体基板1的表面上。于此半导体基板1上，形成了供应电源至驱动晶体管10的电源接地配对传输线路20，及发送信号至接收器之信号接地配对传输线路30。电源接地配对传输线路20分别连接于驱动晶体管的汲极层3，及P阱2中的P+层7。此外，信号接地配对传输线路30分别连接于驱动晶体管10的源极层4，及P阱2中的P+层8。

公开(公告)号：TWI249840B

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：TW092101552

申请日：2003-01-24

Applicant: 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  須賀唯知 SUGA, TADATOMO ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU ,  日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION ,  沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. ,  三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  新力股份有限公司 SONY CORPORATION ,  東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION ,  富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED ,  松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. ,  羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD. ,  瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.

Inventor： 大塚寬治 OTSUKA, KANJI ,  須賀唯知 SUGA, TADATOMO ,  宇佐美保 USAMI, TAMOTSU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0805 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係將一種具有給定電容量的旁路電容器配置於晶片內和驅動器電路相鄰的電源/接地導線上以減低切換作業中出現過渡現象的效應。預設該旁路電容器的電容量使之大於該驅動器電路的寄生電容，以防止電源/接地導線的特徵阻抗高於其內部佈線層的特徵阻抗。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系将一种具有给定电容量的旁路电容器配置于芯片内和驱动器电路相邻的电源/接地导在线以减低切换作业中出现过渡现象的效应。默认该旁路电容器的电容量使之大于该驱动器电路的寄生电容，以防止电源/接地导线的特征阻抗高于其内部布线层的特征阻抗。