公开(公告)号：CN100487913C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510064742.1

申请日：2005-04-18

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 松井俊之 ,  星保幸 ,  小林靖幸 ,  宫坂靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/32 ,  H01L29/868 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明在n-半导体层(22)的表面层上，选择性地形成了深度各为14-20μm(设计值)的p+-扩散区(23、24、25)。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n-半导体层(22)和p+扩散区域(23)的p-n结表面(31)的位置(d1)浅的位置(d2)引入到位置比p-n结表面(31)的位置(d1)深的位置(d3)，以便形成整个芯片上的短寿命区域(32)。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p+扩散区(23)的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p+扩散区域(23)深度的80%和120%间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流(di/dt)具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压(VF)一直维持低电平。

公开(公告)号：CN100435192C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510052920.9

申请日：2005-02-28

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 小林英登 ,  多田元 ,  重田善弘 ,  岛袋浩

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  H03K17/08 ,  H03K19/0185

CPC classification number: G09G3/296 ,  G09G2330/025 ,  G09G2330/04

Abstract: 本发明涉及一种显示装置的驱动电路，在即使经过了规定时间但未输入下一个时钟信号时，计时电路(20)向显示装置的驱动电路的输出段电路(10)发送使IGBT(11、12)两者断开的控制信号，输出段电路(10)使IGBT(11、12)两者断开。由此输出端子(Do)成为高阻抗状态，防止IGBT(11、12)中流过过电流。能够防止平板显示器的显示装置驱动电路的输出端子短路时由过电流引起的元件的破坏。

公开(公告)号：CN101266802A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710169925.9

申请日：2007-11-08

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 及川忠昭 ,  上住洋之

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/66 ,  C23C14/16 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  G11C11/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/265 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明提供能稳定并高性能地制作用于低Ku层的软磁性体并能实现磁化的热稳定性、磁头写入的容易性和提高SNR的垂直磁记录介质及其制造方法。该垂直磁记录介质在非磁性基体上至少依次地形成有非磁性基底层、磁记录层和保护层，磁记录层包括垂直磁各向异性常数(Ku值)相对小的低Ku层和Ku值相对大的高Ku层，低Ku层是由在将Co、Ni、Fe中的任意一种金属或它们的合金作为主体的强磁性体中，添加了氮元素的铁族元素基微晶结构构成的软磁性薄膜，并且由具有面心立方晶格或六方密堆积的结晶结构的薄膜构成，令与该膜面平行的优先结晶取向面，在面心立方晶格结构的情况下为(111)面，在六方密堆积结构的情况下为(002)面。

公开(公告)号：CN100397763C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410001017.5

申请日：2004-01-16

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 江户雅晴 ,  林善智

IPC: H02M3/06

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01F17/0033 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有安装面积小、功率变换效率上升、可谋求功耗降低的薄型化电感器的超薄型化的超小型功率变换装置，其中：线圈导体(4，5)的平面形状是直线状，磁性绝缘基板(1)的第一主面上形成线圈导体(4)，第二主面上形成线圈导体(5)，各导体(4、5)通过在贯通孔上形成的连接导体(3)电连接且螺线管状地形成。在该薄型化电感器上取磁性绝缘基板的垂直于X-X线的方向的长度为L，取作为对向的连接导体(3)间的距离的线圈导体长度为d时，使d≥L/2的关系成立地决定d，可提高薄型化的电感器的电感值，也可实现直流叠加特性的改善，其结果，通过用该电感器，可以制作超薄型化的超小型功率变换装置。

公开(公告)号：CN101110293A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710112545.1

申请日：2007-06-20

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 横山岳 ,  臼井吉清

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/32 ,  H01F27/24 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32 ,  H01F30/00 ,  H01L25/04 ,  H01L23/12 ,  H02M3/00

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F2017/002 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T29/49075 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种实现通过减少通过外部电极和第二连接导体外侧的磁通量来降低噪声，并且不损害模制树脂的固定性、在耐湿性方面卓越的超小型电力变换装置及其制造方法。通过线圈基板(100)的第二连接导体(9)在铁氧体基板1的端部的侧壁露出下半部分，由铁氧体基板(1)围住第一外部电极(7)的外周部，能够减少通过第二连接导体外侧的磁通量，提高模制树脂(14)的固定性，达到提高耐湿性的目的。

公开(公告)号：CN101039068A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710007322.9

申请日：2007-01-25

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 吉村弘幸

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/08 ,  H01F27/28 ,  H01F27/42

CPC classification number: H01F19/08 ,  H01F17/0013 ,  H01F2019/085 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10522 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/3011 ,  H02M1/08 ,  H02M7/538 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/691 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明的电力电子设备包括：空芯型绝缘变压器TU1到TU3，它们插放在接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的上臂2之间；以及空芯型绝缘变压器TD1到TD3，它们位于接地到车体的控制电路1和偏置在高电压下的下臂2之间，并且每一个空芯型绝缘变压器TU1到TU3和TD1到TD3都包括彼此相对的主线圈和副线圈。本发明的电力电子设备有利于提高其对危险环境的耐受性，抑制经时劣化，减小外部磁通量所引起的噪声的不利效应，并且在使低电压和高电压两侧彼此电绝缘的情况下发送和接收信号。

公开(公告)号：CN1936758A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610139280.X

申请日：2006-09-20

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 山田耕平

IPC: G05F3/08

CPC classification number: G05F1/573

Abstract: 本发明提供一种过电流检测电路，其特征在于：作为MOSFET的M1是流过基准电流时得到与该基准电流对应的基准电压的基准负载。通过M11、M12、M13和M14，构成放大两个输入电位差的差动放大部。在该差动放大部中流过恒定电流源Ib的偏压电流。该偏压电流中的至少一部分电流流过基准负载M1。此时，M10的漏极电位输入到该差动放大部的两个输入电极中的一个，在该差动放大部的两个输入电极的另一个中，输入与作为过电流检测对象的电流大小相对应的检测电压。由此，能够降低电子线路全体的总消耗电流。

公开(公告)号：CN1907635A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108507.4

申请日：2006-08-03

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社 ,  浅见真

Inventor： 莳田一之 ,  一瀬正树 ,  渡岛豪人 ,  早乙女全纪 ,  山下满男 ,  浅黄刚 ,  平井雅敏 ,  村田透

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02

CPC classification number: B23K35/262 ,  Y10T428/31678

Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种包括合金的碾压为薄片形状的无铅焊料。该合金包括：锡；从10wt％至不足25wt％的银；以及从3wt％至5wt％的铜。该合金是无铅的。

公开(公告)号：CN1854701A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610051540.8

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 斉藤和典 ,  市村裕司 ,  山口启 ,  上柳胜道 ,  筱田茂

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/143 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/146 ,  G01L19/147

Abstract: 根据本发明的压力检测装置100，包括：压力检测设备110，将由施加其上的压力所导致的张力转换为电信号，并输出转换后的电信号；容纳基底120，包括将所述压力检测设备110容纳其中的容纳凹槽121；以及介于压力检测设备110和所述容纳凹槽121之间的连接材料129，所述连接材料以400％或更高的百分比抗张伸展率连接压力检测设备110和容纳凹槽121。根据本发明的压力检测装置易于防止热应力对其检测性能造成不利影响，并且获得优良的热响应。

公开(公告)号：CN1851249A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610051539.5

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 西川睦雄 ,  上柳胜道

IPC: F02D35/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K2205/02 ,  H01L27/092 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的半导体装置10包括用半导体衬底中形成的半导体设备来执行温度检测的温度检测部分12；在半导体衬底上形成的、用于将检测信号从温度检测部分12输出到外部的温度传感器输出端T3；连接到输出端T3的电流生成部件21，该电流生成部件21将驱动电流施加给温度检测部分12；以及连接到输出端22的电压测量装置22，当预定值的驱动电流从电流生成部件21提供给温度检测部分12时，该电压测量装置22测量输出端T3的电压以执行温度检测。根据本发明的半导体装置具有有助于减少其尺寸的结构。根据本发明的半导体装置有助于在低生产成本下实现其简易生产。根据本发明的温度检测方法有助于使得所述半导体装置非常精确地运行。