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公开(公告)号:CN101013618A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200710048275.2
申请日:2007-01-16
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料,尤其是符合无铅高居里点压电陶瓷材料实现半导体化,制备无铅高居里点PTC热敏电阻材料。该材料主成分组成为:(Na1/2Bi1/2)x(Ba1-x-y+z)TiO3+yM1+zM2O+0.02MnO2mol%。其中x=0.01~0.15;y=0.001~0.006;z=0.005~0.05;M1=0.0001~0.006;M2=0.005~0.05;配方中含有微量半导化元素和添加剂成分,本发明的高居里点温度PTC热敏电阻材料中不含铅,避免了热敏电阻制造和使用中铅对环境的污染、人体的伤害。并且解决了不含铅高居里点温度PTC热敏电阻材料实现半导化的技术难题。
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