公开(公告)号：TWI299306B

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW092126244

申请日：2003-09-23

Applicant: 柯尼卡美樂達控股股份有限公司 KONICA MINOLTA HOLDINGS, INC. ,  夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 西泰男 NISHI, YASUO ,  口馨 ,  村田和廣 MURATA, KAZUHIRO ,  橫山浩 YOKOYAMA, HIROSHI

IPC: B41J

CPC classification number: B41J2/14209 ,  B05B5/0255 ,  B05B17/0607 ,  B41J2/04576 ,  B41J2/04588 ,  B41J2/06 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/16 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1643 ,  B41J2002/14395

Abstract: 本發明之解決手段在於,首先經由成膜製程、微影製
程及蝕刻製程,於基板141上形成多數的電極142、142、
……………。接下來,以包覆電極142、142、……全體的方
式,於基板141上形成光阻層143b,藉由曝光‧顯像光阻
層143b,使光阻層143b對應於各個電極142豎設於基板
141,而形成超微細內徑的噴嘴103,並且,於各個噴嘴
103內形成噴嘴內流路145。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之解决手段在于,首先经由成膜制程、微影制 程及蚀刻制程,于基板141上形成多数的电极142、142、 ……………。接下来,以包复电极142、142、……全体的方 式,于基板141上形成光阻层143b,借由曝光‧显像光阻 层143b,使光阻层143b对应于各个电极142竖设于基板 141,而形成超微细内径的喷嘴103,并且,于各个喷嘴 103内形成喷嘴内流路145。

公开(公告)号：TWI295079B

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：TW094126930

申请日：2005-08-09

Applicant: 明電舍股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA MEIDENSHA ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 西口哲也 NISHIGUCHI, TETSUYA ,  一村信吾 ICHIMURA, SHINGO ,  野中秀彥 NONAKA, HIDEHIKO ,  森川良樹 MORIKAWA, YOSHIKI ,  野寄剛示 NOYORI, TAKESHI ,  花倉滿 KEKURA, MITSURU

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: 收納維持基板100的熱源裝置14之反應爐10，和具備將含有有機矽或有機金屬的原料氣體導入反應爐10內的原料氣體導入閥V1之管路11，和具備將含臭氧的氣體導入反應爐10內的含臭氧氣體導入閥V2之管路12，和具備將反應爐10內的氣體排出的排氣閥V3之管路13，裝置上述裝備，原料氣體導入閥V1和含臭氧氣體導入閥V2和排氣閥 V3進行開關運作以便將上述原料氣體和含臭氧氣體交互地供應反應爐10內時，含臭氧氣體導入閥V2進行運作使上述含臭氧氣體中的臭氧濃度為0.1～100vol%的同時，熱源裝置14將調節基板100的溫度為室溫～400℃之範圍。

Abstract in simplified Chinese: 收纳维持基板100的热源设备14之反应炉10，和具备将含有有机硅或有机金属的原料气体导入反应炉10内的原料气体导入阀V1之管路11，和具备将含臭氧的气体导入反应炉10内的含臭氧气体导入阀V2之管路12，和具备将反应炉10内的气体排出的排气阀V3之管路13，设备上述装备，原料气体导入阀V1和含臭氧气体导入阀V2和排气阀 V3进行开关运作以便将上述原料气体和含臭氧气体交互地供应反应炉10内时，含臭氧气体导入阀V2进行运作使上述含臭氧气体中的臭氧浓度为0.1～100vol%的同时，热源设备14将调节基板100的温度为室温～400℃之范围。

公开(公告)号：TW200806739A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096124817

申请日：2007-07-06

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 今井祐介 YUSUKE IMAI ,  寺原淳 ATSUSHI TERAHARA

IPC: C08L ,  C08K ,  G02B

CPC classification number: C08K3/22

Abstract: 提供一種在以芳香族聚碳酸酯、芳香族聚酯、芳香族聚醚或此等之共聚物作為主成分之高分子基質中分散有金屬氧化物微粒子,並具有比上述高分子基質高之折射率之複合化高分子材料。本發明之複合化高分子材料,係在以芳香族聚碳酸酯、芳香族聚酯、芳香族聚醚或此等之共聚物作為主成分之高分子基質中,分散有金屬氧化物微粒子之複合化高分子材料,金屬氧化物微粒子之一次粒子之平均粒徑為1nm以上未達30nm,且構成金屬氧化物微粒子之金屬氧化物之折射率為2.0以上。又,本發明之複合化合物高分子材料具有比高分子基質之折射率高0.005以上之折射率。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种在以芳香族聚碳酸酯、芳香族聚酯、芳香族聚醚或此等之共聚物作为主成分之高分子基质中分散有金属氧化物微粒子,并具有比上述高分子基质高之折射率之复合化高分子材料。本发明之复合化高分子材料,系在以芳香族聚碳酸酯、芳香族聚酯、芳香族聚醚或此等之共聚物作为主成分之高分子基质中,分散有金属氧化物微粒子之复合化高分子材料,金属氧化物微粒子之一次粒子之平均粒径为1nm以上未达30nm,且构成金属氧化物微粒子之金属氧化物之折射率为2.0以上。又,本发明之复合化合物高分子材料具有比高分子基质之折射率高0.005以上之折射率。

公开(公告)号：TW200806673A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096117965

申请日：2007-05-21

Applicant: 昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K. ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 藤田俊雄 FUJITA, TOSHIO ,  小林有二 KOBAYASHI, YUJI ,  內田博 UCHIDA, HIROSHI ,  佐佐木信利 SASAKI, NOBUTOSHI ,  佐藤一彥 SATO, KAZUHIKO ,  大越雅典 OOKOSHI, MASANORI ,  清水政男 SHIMIZU, MASAO

IPC: C07D ,  C08G

CPC classification number: C07D491/044 ,  C07D491/08 ,  C07F7/0814

Abstract: 一種新穎環氧化合物及其製造方法,其特徵為以下之一般式(I)或是一般式(II)所表示,具有醯亞胺構造且於同一分子中具有烯丙基,
096117965P01.bmp
(上式中,R1及R2係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基)
096117965P02.bmp
(上式中,R3係表示氫原子或是碳數1至6之烷基或是碳數1至4之三烷基甲矽烷基)。

Abstract in simplified Chinese: 一种新颖环氧化合物及其制造方法,其特征为以下之一般式(I)或是一般式(II)所表示,具有酰亚胺构造且于同一分子中具有烯丙基, 096117965P01.bmp (上式中,R1及R2系表示氢原子或是碳数1至6之烷基或是碳数1至4之三烷基甲硅烷基) 096117965P02.bmp (上式中,R3系表示氢原子或是碳数1至6之烷基或是碳数1至4之三烷基甲硅烷基)。

公开(公告)号：TW200735722A

公开(公告)日：2007-09-16

申请号：TW095108784

申请日：2006-03-15

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日本沙股份有限公司 FISA CORPORATION

Inventor： 瀨戶章文 SETO, TAKAFUMI ,  平澤誠一 HIRASAWA, MAKOTO ,  正明 TSUJI, MASAAKI ,  奧山明 OKUYAMA, AKIRA ,  齋藤進 SAITO, SUSUMU

IPC: H05F ,  H01T

Abstract: 本發明之課題提供一種除電裝置,其使用了以低臭氧濃度可產生高濃度離子,採用嶄新高效率放電方式的離子產生元件。本發明之解決手段一種除電裝置,其特徵係:離子產生元件係具有在平面上向著某方向配置,同時具有細微突起之放電電極,和感應電極,和被該等包夾之薄介電質膜的,微細電極離子產生元件;該元件由正離子產生用微細電極離子產生元件,和負離子產生用微細電極離子產生元件,來構成1組;該離子產生元件,係使包含上述各放電電極之平面與氣流方向平行,且該放電電極之配置方向與氣流方向垂直地,最少配置1個以上;藉由調整施加於該離子產生元件之放電電極的電壓,可以進行氣流下游側位置之正負離子平衡控制。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题提供一种除电设备,其使用了以低臭氧浓度可产生高浓度离子,采用崭新高效率放电方式的离子产生组件。本发明之解决手段一种除电设备,其特征系:离子产生组件系具有在平面上向着某方向配置,同时具有细微突起之放电电极,和感应电极,和被该等包夹之薄介电质膜的,微细电极离子产生组件;该组件由正离子产生用微细电极离子产生组件,和负离子产生用微细电极离子产生组件,来构成1组;该离子产生组件,系使包含上述各放电电极之平面与气流方向平行,且该放电电极之配置方向与气流方向垂直地,最少配置1个以上;借由调整施加于该离子产生组件之放电电极的电压,可以进行气流下游侧位置之正负离子平衡控制。

公开(公告)号：TW200732250A

公开(公告)日：2007-09-01

申请号：TW096100742

申请日：2007-01-05

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 賢治 HATA, KENJI ,  二葉東N FUTABA, DON N. ,  湯村守雄 YUMURA, MOTOO ,  飯島澄男 IIJIMA, SUMIO

IPC: C01B ,  C23C ,  B82B ,  H05K ,  F28F

CPC classification number: B01J20/205 ,  B01J20/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/08 ,  H01G11/36 ,  H01M4/587 ,  H01M4/96 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/30

Abstract: 本案發明提供一種配向碳奈米管叢集合體,其特徵為,複數個碳奈米管係配向於預定的方向,且密度為0.2至1.5g/cm^3。此配向碳奈米管叢集合體係可由下述方法獲得:於金屬觸媒的存在下對碳奈米管進行化學氣相沉積(CVD:Chemical Vapor Deposition)之方法,其特徵為,係於反應環境下使複數個碳奈米管進行配向成長,並使所獲得之複數個碳奈米管暴露於液體後進行乾燥,藉此獲得密度為0.2至1.5g/cm^3之配向碳奈米管叢集合體。因此,本發明係提供一種可實現以往所無法達到之高密度及高硬度之配向碳奈米管叢集合體以及其製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本案发明提供一种配向碳奈米管集群合体,其特征为,复数个碳奈米管系配向于预定的方向,且密度为0.2至1.5g/cm^3。此配向碳奈米管集群合体系可由下述方法获得:于金属触媒的存在下对碳奈米管进行化学气相沉积(CVD:Chemical Vapor Deposition)之方法,其特征为,系于反应环境下使复数个碳奈米管进行配向成长,并使所获得之复数个碳奈米管暴露于液体后进行干燥,借此获得密度为0.2至1.5g/cm^3之配向碳奈米管集群合体。因此,本发明系提供一种可实现以往所无法达到之高密度及高硬度之配向碳奈米管集群合体以及其制造方法。

公开(公告)号：TWI265909B

公开(公告)日：2006-11-11

申请号：TW093122806

申请日：2004-07-30

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 村田和廣 MURATA, KAZUHIRO ,  橫山浩 YOKOYAMA, HIROSHI

IPC: B81C ,  B05D

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0184

Abstract: 一種立體構造物之製造方法，係將基板配置於接近用來供給溶液之微細徑針狀流體吐出體之先端，並藉由施加任意波形之電壓予上述針狀流體吐出體，以將流體之超微細徑液滴對著上述基板表面吐出，使該液滴飛揚附著於基板上，並將附著後之該流體液滴固化而得立體構造物；其特徵為：使電場集中於先附著於該基板上之液滴固化物，再於其上堆積後來附著之液滴，而形成立體構造物之製造方法，及藉此方法以將超微細粒徑之液滴加以固形化，堆積而成長形成之微細徑之立體構造物。

Abstract in simplified Chinese: 一种三維构造物之制造方法，系将基板配置于接近用来供给溶液之微细径针状流体吐出体之先端，并借由施加任意波形之电压予上述针状流体吐出体，以将流体之超微细径液滴对着上述基板表面吐出，使该液滴飞扬附着于基板上，并将附着后之该流体液滴固化而得三維构造物；其特征为：使电场集中于先附着于该基板上之液滴固化物，再于其上堆积后来附着之液滴，而形成三維构造物之制造方法，及借此方法以将超微细粒径之液滴加以固形化，堆积而成长形成之微细径之三維构造物。

公开(公告)号：TW200624897A

公开(公告)日：2006-07-16

申请号：TW094140548

申请日：2005-11-18

Applicant: 白山製作所股份有限公司 HAKUSAN MFG. CO., LTD. ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 杉田悦治 SUGITA, ETSUJI ,  和久田正一 WAKUTA, SHOICHI ,  青柳昌宏 AOYAGI, MASAHIRO

IPC: G02B

CPC classification number: G02B6/3885 ,  G02B6/3839 ,  G02B6/3846 ,  G02B6/3861

Abstract: 不需要光纖端面之研磨處理。可充份減低光量之連接損失。具有供光纖之連接端子插入而與之接合之套接管。於套接管之接合面之對側設有供插入光纖之連接端子插入之插入部。套接管之接合面側收容有於與插入部相同之軸線上，端面經研磨處理之中繼用光纖。

Abstract in simplified Chinese: 不需要光纤端面之研磨处理。可充份减低光量之连接损失。具有供光纤之连接端子插入而与之接合之套接管。于套接管之接合面之对侧设有供插入光纤之连接端子插入之插入部。套接管之接合面侧收容有于与插入部相同之轴在线，端面经研磨处理之中继用光纤。

公开(公告)号：TW200614556A

公开(公告)日：2006-05-01

申请号：TW094130390

申请日：2005-09-05

Applicant: 安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 大衛 賈耶帕威拉 DJAYAPRAWIRA, DAVID D ,  恆川孝二 TSUNEKAWA, KOJI ,  長井基將 NAGAI, MOTONOBU ,  前原大樹 MAEHARA, HIROKI ,  山形伸二 YAMAGATA, SHINJI ,  渡邊直樹 WATANABE, NAOKI ,  湯淺新治 YUASA, SHINJI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/081 ,  C23C14/34 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/18 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08

Abstract: 此磁阻效應元件，包含由一對強磁性層和位於那些的中間的阻擋層所構成的層積構造；至少一方的上述強磁性層，至少接於阻擋層的部分具有非晶形物質狀態，上述阻擋層為具有單結晶構造的MgO層。

Abstract in simplified Chinese: 此磁阻效应组件，包含由一对强磁性层和位于那些的中间的阻挡层所构成的层积构造；至少一方的上述强磁性层，至少接于阻挡层的部分具有非晶形物质状态，上述阻挡层为具有单结晶构造的MgO层。

公开(公告)号：TW200521075A

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：TW093122806

申请日：2004-07-30

Applicant: 獨立行政法人產業技術總合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 村田和廣 MURATA, KAZUHIRO ,  橫山浩 YOKOYAMA, HIROSHI

IPC: B81C ,  B05D

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0184

Abstract: 一種立體構造物之製造方法，係將基板配置於接近用來供給溶液之微細徑針狀流體吐出體之先端，並藉由施加任意波形之電壓予上述針狀流體吐出體，以將流體之超微細徑液滴對著上述基板表面吐出，使該液滴飛揚附著於基板上，並將附著後之該流體液滴固化而得立體構造物；其特徵為：使電場集中於先附著於該基板上之液滴固化物，再於其上堆積後來附著之液滴，而形成立體構造物之製造方法，及藉此方法以將超微細粒徑之液滴加以固形化，堆積而成長形成之微細徑之立體構造物。

Abstract in simplified Chinese: 一种三維构造物之制造方法，系将基板配置于接近用来供给溶液之微细径针状流体吐出体之先端，并借由施加任意波形之电压予上述针状流体吐出体，以将流体之超微细径液滴对着上述基板表面吐出，使该液滴飞扬附着于基板上，并将附着后之该流体液滴固化而得三維构造物；其特征为：使电场集中于先附着于该基板上之液滴固化物，再于其上堆积后来附着之液滴，而形成三維构造物之制造方法，及借此方法以将超微细粒径之液滴加以固形化，堆积而成长形成之微细径之三維构造物。