公开(公告)号：WO2010058881A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：PCT/KR2009/000096

申请日：2009-01-08

Applicant: 제이엠아이 주식회사 ,  이재숙 ,  강원대학교산학협력단 ,  박창민 ,  손성기 ,  신태규 ,  고민수 ,  강재권 ,  김병희 ,  서영호 ,  신홍규 ,  권종태 ,  박용민

Inventor： 이재숙 ,  박창민 ,  손성기 ,  신태규 ,  고민수 ,  강재권 ,  김병희 ,  서영호 ,  신홍규 ,  권종태 ,  박용민

IPC: C25D11/04

CPC classification number: C25D11/04 ,  C25D11/005

Abstract: 본 발명은 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치 및 양극산화방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 극저온/고전압(LTHV) 상태에서 알루미늄 양극산화반응을 하도록 하기 때문에, 장치의 구성이 간단하고, 빠른 시간 내에 나노패턴이 형성되도록 하고, 전체 장치의 구성이 간단하고 처리 과정도 단순하게 되며, 양극산화시의 조건인 극저온의 온도와, 고전압의 전압을 원하는 정도로 알맞게 조절하게 되면, 원하는 형태의 나노패턴의 두께와 나노패턴의 인터포어 간격을 형성할 수 있어, 다양하고도 최적의 나노패턴을 손쉽게 생산할 수 있는 탁월한 장점이 있는 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치, 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법 및 극저온/고전압 알루미늄 양극산화장치에 의한 양극산화방법에 의하여 구비된 나노마스터에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种低温/高压铝阳极氧化设备及方法。 更具体地，本发明涉及低温/高压铝阳极氧化设备，使用该设备的阳极氧化方法，以及使用该设备通过阳极氧化方法形成的纳米聚合物。 本发明确保了该装置的简单结构，并且由于能够在低温/高电压（LTHV）条件下实现铝阳极氧化，所以可以在短时间内形成纳米图案并简化处理过程。 当适当地控制与阳极氧化条件匹配的LTHV的水平时，可以形成所需的纳米图案的厚度和间隔。 因此，本发明具有容易生产各种最佳纳米图案的优点。