Abstract:
넓은 온도 범위에 있어서 액정성을 나타내고, 낮은 운동 마찰 계수를 유지하고, 도전성을 갖고, 증발, 분해 등에 의한 손실이 거의 없고, 청결한 외관을 갖고, 형광을 발하기 때문에, 열화나 누설을 즉시 발견할 수 있다는 특성을 겸비하는 도전성 윤활제를 제공한다. 식 (1):
[식 중, R 11 및 R 21 은 동일하거나 또는 다르고, 수소 또는 기 -OCH 2 CH 2 CH(R')CH 2 CH 2 OR(R은 직쇄 또는 분지쇄의 C n H 2n+1 이며, 4≤n≤12이며, R'는 메틸 또는 에틸임)이며, R 12 , R 13 , R 22 및 R 23 은 동일하거나 또는 다르고, 기 -OCH 2 CH 2 CH(R')CH 2 CH 2 OR(R은 직쇄 또는 분지쇄의 C n H 2n+1 이며, 4≤n≤12이며, R'는 메틸 또는 에틸임)이다]로 표시되는 화합물 (1)을 적어도 1종 포함하는 도전성 윤활제로 한다.
Abstract:
도메인 엔지니어링에 적합한 유사-입방체(pseudo-cubic) 형태의 {110} 면 배향을 갖는 BiFeO 3 를 함유하는 압전 세라믹을 제공하기 위하여, 압전 세라믹은 하기 화학식 1로 나타내지는 페로브스카이트형 금속 산화물을 포함하고, 유사-입방체 형태의 {110} 면 배향을 갖는다.
xBiFeO 3 -(1-x)ABO 3 상기 식에서, A 및 B는 각각 1종 이상의 금속 이온을 나타내고; A는 1, 2 또는 3의 원자가를 갖는 금속 이온을 나타내고; B는 3, 4 또는 5의 원자가를 갖는 금속 이온을 나타내되, 단 x는 0.3≤x≤1 범위내에 존재한다.
Abstract:
유해물인 Pb 및 수용성 알칼리성 이온을 갖지 않고 만족스러운 소결성을 갖는 배향 압전 재료 및 그의 제조 방법이 제공된다. 이러한 목적을 위하여, 텅스텐 브론즈(bronze) 구조 금속 산화물을 포함하며, 상기 텅스텐 브론즈 구조 금속 산화물은 몰비로 하기 조건을 충족시키는 적어도 Ba, Bi, Ca 및 Nb의 금속 원소를 함유하고, C-축 배향을 갖는 화합물이 제공된다. 상기 화합물은 Ba/Nb=a: 0.363 1.4 Ba 3.6 Nb 10 O 30 -x?Ba 4 Bi 0.67 Nb 10 O 30 (0.30≤x≤0.95)을 포함한다.
Abstract:
도메인 엔지니어링에 적합한 유사-입방체(pseudo-cubic) 형태의 {110} 면 배향을 갖는 BiFeO 3 를 함유하는 압전 세라믹을 제공하기 위하여, 압전 세라믹은 하기 화학식 1로 나타내지는 페로브스카이트형 금속 산화물을 포함하고, 유사-입방체 형태의 {110} 면 배향을 갖는다.
xBiFeO 3 -(1-x)ABO 3 상기 식에서, A 및 B는 각각 1종 이상의 금속 이온을 나타내고; A는 1, 2 또는 3의 원자가를 갖는 금속 이온을 나타내고; B는 3, 4 또는 5의 원자가를 갖는 금속 이온을 나타내되, 단 x는 0.3≤x≤1 범위내에 존재한다.
Abstract:
설폰산형 액정 폴리머 재료의 기계 특성을 향상시켜, 액정 상태의 분자 배열을 유지한 채로 고체 상태로 해도 막으로서 유지할 수 있으며, 연료 전지 등의 전해질막에 적합한 프로톤 수송 재료의 제공, 이 프로톤 수송 재료를 이용한 이온 교환체, 막 전극 접합체(MEA), 연료 전지의 제공 및 이 프로톤 수송 재료의 제조 원료의 제공에 관한 것이다. 설폰산형 액정 폴리머 재료를 2 관능기 이상 갖는 가교제로 설폰산기 이외의 부분에서 가교한 분자 구조를 갖는 프로톤 수송 재료에 의해 과제를 해결할 수 있다.
Abstract:
메모리 소자는 제1의 전극, 제2의 전극, 제3의 전극을 가진다. 또한 메모리 소자는 제1의 전극과 가열 히터부 사이에 개재하는 기억부를 가진다. 가열 히터부 위에 제3의 전극이 배치되어 있고, 또한 가열 히터부의 측부에 제2의 전극이 배치되어 있다. 기억부는 긴 직선적 공역구조 부분을 가지며 액정상으로서 스멕틱상을 가지는 도전성 액정화합물을 포함한다. 가열 히터부의 가열에 의해 기억부의 가열처리를 행하여 도전성 및 광학 이방성 2개의 성질을 동시에 가지는 기억부를 선택적으로 형성시켜 정보의 기록을 행한다. 액정화합물, 메모리 소자, 기억부, 스멕틱상, 가열 히터부, IC 태그
Abstract:
전도성 및 안정성과 같은 특성이 월등한 전해질 막을 제조하려는 목적으로, 본 발명은 본질적 골격을 화학식 (1) 로 나타내는 것을 특징으로 하는 술폰산화 방향족 폴리에테르를 제공한다. (화학식 1)
화학식 (1) 에서, Ar 1 및 Ar 2 는 각각 독립적으로 선택되는 방향족 고리(들)를 포함하는 C 6 -20 기이고, 방향족 고리(들)를 포함하는 기는 페닐렌기 및 나프틸렌기로부터 선택되는 방향족 고리(들)를 포함할 수 있고, 복수의 페닐렌기는 방향족 고리(들)를 포함하는 기 내의 N, O, S 와 같은 헤테로원자, 케톤기, 술폰기 또는 지방족 기를 통해 서로 결합될 수 있고, 또는 방향족 고리 내의 수소 원자들은 지방족 기, 할로겐 원자, 퍼플루오르화 지방족 기 또는 술폰산기로 부분적으로 치환될 수 있다. 화학식 (1) 에서, x 및 y 는 0 내지 3 의 각각의 정수이고, 이는 술폰산화 정도를 나타내며, 단 x 및 y 가 모두 동시에 0 인 경우는 배제하고, n 및 m 은 2 이상의 각각의 정수이고, 이는 중합도를 나타낸다. 본 발명에 따른 술 폰산화 방향족 폴리에테르에서, 술폰산기의 도입 부위는 엄밀하게 지정되며, 주 사슬의 방향족 고리는 술폰산기가 전혀 없으므로, 100 ℃ 초과에서의 양성자 전도성 및 산화 및 가수분해 안정성 모두가 월등하다는 것이 장점이다.
Abstract:
본 발명은 니오브산나트륨을 함유하는 배향성 세라믹의 제조 방법 및 그 원료를 제공한다. 구체적으로, 본 발명은 0.1 ㎛ 이상 내지 100 ㎛ 이하의 평균 측면 길이를 갖는 직방체 니오브산나트륨 입자를 포함하고, 상기 직방체의 하나 이상의 표면이 의사-입방정 표기로 (100) 평면을 포함하는 니오브산나트륨 분말을 제공하며, 여기서 상기 니오브산나트륨 분말은 페로브스카이트 단일상 구조를 갖는다.