公开(公告)号：WO2011126235A2

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/KR2011/002253

申请日：2011-03-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

IPC: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G73/101 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/0595

Abstract: 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.

Abstract translation: 聚合物记忆元件及其制造方法技术领域本发明涉及一种聚合物记忆元件及其制备方法，涉及一种能够用于聚合物存储元件的新型光致交联聚合物化合物，涉及一种新颖的非易失性存储元件，其中， 上电极和下电极包括光交联聚酰亚胺聚合物及其制备方法。 在根据本发明的聚合物存储元件中，使用光交联聚酰亚胺聚合物作为活性层。