트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법
    1.
    发明申请
    트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법 审中-公开
    传感器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2012039520A1

    公开(公告)日:2012-03-29

    申请号:PCT/KR2010/006466

    申请日:2010-09-20

    Abstract: 본 발명은 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 하나 이상의 홀이 형성된 다공 부재(perforated structure) 형상의 변형 발생부를 경계로 하여 제1 액체 및 제2 액체를 제공하고, 상기 액체들 간의 작용에 의해 외부 압력의 영향을 제거한 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 换能器及其制造方法技术领域本发明涉及一种换能器及其制造方法,更具体地,涉及一种换能器及其制造方法,其中供给第一液体和第二液体,使得在其间的边界处 形成包括其中具有一个或多个孔的穿孔结构的变形产生部件,并且通过液体之间的作用来消除外部压力的影响。

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