公开(公告)号：WO2012093880A9

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：PCT/KR2012/000137

申请日：2012-01-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  정찬화 ,  정명기 ,  체레브코세르히

Inventor： 정찬화 ,  정명기 ,  체레브코세르히

IPC: H01G9/058 ,  C25D3/38

Abstract: 본 발명은 슈퍼커패시터용 나노다공성 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 수소발생이 수반되는 전해도금법을 이용하여 전극 표면 또는 내부에 다공을 형성시킴으로써, 전극의 비표면적을 증가시켜 커패시터의 충방전 용량, 에너지 밀도, 출력 밀도 등을 향상시킬 수 있는 슈퍼커패시터용 나노다공성 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 슈퍼커패시터용 나노다공성 전극의 제조방법은 전해도금으로 발생하는 수소를 주형(template)으로 사용하여 나노다공성 전극을 제조함으로써 금속의 사용량을 최소화하여 전극 제조비용을 대폭 줄일 수 있고, 간단한 공정으로 전극의 비표면적을 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 비표면적 또한 증가시켜 커패시터의 충방전 용량, 에너지 밀도, 출력 밀도 등을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.