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公开(公告)号：KR101407438B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020070140757
申请日：2007-12-28
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01N23/223 , G01N23/00
CPC classification number: G01N23/223 , G01N2223/076
Abstract: 조사 방법은 샘플의 표면상의 스폿을 형성하도록 포커싱된 X선 빔을 사용하여 상기 샘플을 조정하는 단계를 포함한다. 상기 샘플 및 X선 빔의 적어도 하나는 상기 표면상의 특징부를 가로지르는 스캔 경로를 따라 상기 스폿을 스캐닝하도록 시프팅된다. 상기 X선 빔에 응답하여 상기 샘플로부터 방사된 X선 형광량의 각각의 강도는 상기 스폿이 상기 특징부와의 오버랩의 상이한 각각의 정도를 갖는 스캔 경로를 따라 복수의 로케이션에서 측정된다. 상기 복수의 로케이션에서 측정된 강도는 스캔 경로상의 상기 방사된 X선 형광량의 조정된 값을 계산하기 위해 처리된다. 상기 특징부의 두께는 상기 조정된 값에 기초하여 추정된다.
비파괴 검사, 샘플, 스폿, X선 빔, 스캔 경로, X선 형광량, 로케이션, 특징부-
公开(公告)号：KR1020100126211A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020100047315
申请日：2010-05-20
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
CPC classification number: G01N21/278 , G01N2021/335 , G01N21/274 , G01M11/0207
Abstract: PURPOSE: An auto correcting method for a vacuum ultraviolet measuring system is provided to evaluate a light measurement tool. CONSTITUTION: An auto correcting method for a vacuum ultraviolet measuring system comprises following steps. A light tool characterization pad is used to help the evaluation of a light measurement tool. Multiple characterization locations of a similar characterization structure are provided on the characterization pad. A part of the characterization location is designated as one which is available or unavailable.
Abstract translation: 目的：提供一种用于真空紫外线测量系统的自动校正方法来评估光测量工具。 构成：真空紫外线测量系统的自动校正方法包括以下步骤。 光工具表征垫用于帮助评估光测量工具。 在表征垫上提供了类似表征结构的多个表征位置。 表征位置的一部分被指定为可用或不可用的。
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020150130246A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020150065856
申请日：2015-05-12
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
CPC classification number: G01N23/2076 , G01N23/223 , G01N2223/6116 , H01L22/12
Abstract: 엑스선형광(XRF) 분석방법은시료가기재위에형성된하나이상의제1 층을포함하는기준측정및 하나이상의제2 층이상기제1 층에더하여상기기재위에형성된후의타겟측정에서, 엑스선빔을상기시료로지향시키고상기시료로부터여기된 XRF 신호를측정하여, 기준 XRF 스펙트럼및 타겟 XRF 스펙트럼을생성하는단계를포함한다. 상기타겟 XRF 스펙트럼에대한제1 층의기여도는상기기준 XRF 스펙트럼을사용하여감소된다. 적어도상기제2 층중하나의파라미터는상기제1 층의기여도가감소된타겟 XRF 스펙트럼을사용하여추정된다.
Abstract translation: XRF分析方法包括将X射线束定向到样本并测量从样本激发的XRF信号以产生参考XRF谱和目标XRF谱的步骤，在包括一个或多个第一层的参考测量中，其中样本 形成在基材上，并且在至少一个第二层添加到第一层并形成在基材上之后进行目标测量。 通过使用参考XRF谱减少第一层对目标XRF谱的贡献水平。 通过使用其中第一层的贡献级别减小的目标XRF频谱来估计两层中的至少一个参数。
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公开(公告)号：KR1020090008454A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：KR1020087029592
申请日：2007-04-25
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
CPC classification number: G01N21/274 , G01N21/33 , G01N21/9501
Abstract: A reflectometer calibration technique is provided that may include the use of two calibration samples in the calibration process. Further, the technique allows for calibration even in the presence of variations between the actual and assumed properties of at least one or more of the calibration samples. In addition, the technique utilizes a ratio of the measurements from the first and second calibration samples to determine the actual properties of at least one of the calibration samples. The ratio may be a ratio of the intensity reflected from the first and second calibration samples. The samples may exhibit relatively different reflective properties at the desired wavelengths. In such a technique the reflectance data of each sample may then be considered relatively decoupled from the other and actual properties of one or more of the calibration samples may be calculated. The determined actual properties may then be utilized to assist calibration of the reflectometer.
Abstract translation: 提供的反射计校准技术可以包括在校准过程中使用两个校准样品。 此外，即使存在至少一个或多个校准样品的实际和假设性质之间的变化，该技术也允许校准。 此外，该技术利用来自第一和第二校准样本的测量值的比率来确定至少一个校准样本的实际特性。 该比率可以是从第一和第二校准样品反射的强度的比率。 样品可以在期望的波长处表现出相对不同的反射性质。 在这种技术中，可以将每个样品的反射率数据视为与其他样品相对去耦，并且可以计算一个或多个校准样品的实际性质。 然后可以使用所确定的实际特性来辅助反射计的校准。
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公开(公告)号：KR1020070066896A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020060130686
申请日：2006-12-20
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01B15/02 , G01N23/223
CPC classification number: G01N23/223 , G01B15/02 , G01N2223/076 , H01L22/12
Abstract: An accurate measurement of layer dimensions using XRF is provided to calculate the thickness of a thin film on a side wall on the basis of the strength of the XRF. In an accurate measurement of layer dimensions using XRF, an analyzer(20) is used to inspect a region(30) on a wafer(22). A sample is installed on a platform such as an X-Y stage(35) so that the wafer can be moved with respect to an X-ray beam. The wafer is installed a suitable stop fixed body. An X-ray beam can scan the wafer by moving a tube(24), an optical member(28), and a detector(32). The analyzer can be set to capture and process the X-ray diffused from the wafer by using reflection, diffraction, and small-angle scattering.
Abstract translation: 提供使用XRF的层尺寸的精确测量，以基于XRF的强度来计算侧壁上的薄膜的厚度。 在使用XRF对层尺寸的精确测量中，使用分析器（20）来检查晶片（22）上的区域（30）。 将样品安装在诸如X-Y台（35）的平台上，使得晶片可以相对于X射线束移动。 晶片安装合适的止动固定体。 X射线束可以通过移动管（24），光学构件（28）和检测器（32）来扫描晶片。 分析仪可以设置为通过使用反射，衍射和小角度散射来捕获和处理从晶片扩散的X射线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060051095A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050083542
申请日：2005-09-08
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01N23/20
CPC classification number: G01N23/20008
Abstract: X-선의 컨버징 빔을 반도체 웨이퍼와 같은 샘플의 표면을 향해 지향시키도록 된 방사선 소스를 포함하는 샘플을 분석하기 위한 장치가 개시되었다. 적어도 하나의 검출기 어레이는 엘리베이션 각도 범위에 대한 엘리베이션 각도의 함수로서 샘플로부터 스캐터링된 X-선을 동시에 감지하고 스캐터링된 X-선에 응답하여 출력신호를 발생시키도록 응용되어 있다. 이 검출기 어레이는 스침각으로 샘플의 표면으로부터 반사된 X-선을 감지하는 제1구성과, 샘플의 브래그 각도 근방에서 표면으로부터 회절된 X-선을 감지하는 제2구성을 갖는다. 신호 처리기는 샘플의 표면층의 특성을 결정하기 위해 제1 및 제2 구성에서 발생된 출력 신호를 수신하여 처리한다.
방사선 소스, 반도체 웨이퍼, X-선 반사측정, X-선 회절분석-
公开(公告)号：KR1020020031665A
公开(公告)日：2002-05-03
申请号：KR1020000062213
申请日：2000-10-23
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01N23/00
CPC classification number: G01N23/223 , G01N2223/076 , G01N2223/501 , G01N2223/504 , G01N2223/507
Abstract: PURPOSE: A micro-fluorescence x-ray analyzer is provided to perform a micro-fluorescence x-ray analysis and to effectively detect micro-fluorescence x-ray from a sample exposed to highstrength x-ray illumination. CONSTITUTION: A micro-fluorescence x-ray analyzer(10) includes an x-ray beam generator generating x-ray beams projected at a spot of a sample and generating plural fluorescence x-ray photons from the spot of the sample; plural electrically semiconductive detectors(18) disposed around the spot to capture fluorescence x-ray photons in the energy range common to all detectors, and to generate plural electric pulses suitable for analysis of the sample; and a multi-input process unit(20) receiving so that the pulses from each detector is transmitted to individual input of the process unit and analyzing plural pulses and generating output with using pulses received from all detectors with reacting on photons within the energy range common to all detectors. The x-ray generator includes a capillary optical instrument.
Abstract translation: 目的：提供微荧光X射线分析仪进行微荧光X射线分析，并有效检测暴露于高强度X射线照射下的样品的微量荧光X射线。 构成：微型荧光X射线分析仪（10）包括产生投射在样品点上的x射线束并从样品斑点产生多个荧光X射线光子的X射线束发生器; 多个电半导体检测器（18），设置在所述点附近以捕获在所有检测器所共有的能量范围内的荧光x射线光子，并产生适于分析样品的多个电脉冲; 以及多输入处理单元（20），其接收使得来自每个检测器的脉冲被发送到处理单元的各个输入并且分析多个脉冲并且使用从所有检测器接收的脉冲产生输出，并且在能量范围内的光子上进行反应 到所有探测器。 X射线发生器包括毛细管光学仪器。
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公开(公告)号：KR102104067B1
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：KR1020150088283
申请日：2015-06-22
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01N23/201 , G01T1/164
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公开(公告)号：KR101374308B1
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020060130686
申请日：2006-12-20
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: G01B15/02 , G01N23/223
CPC classification number: G01N23/223 , G01B15/02 , G01N2223/076 , H01L22/12
Abstract: 샘플 검사 방법은 샘플 평면에 수직인 측벽을 가진 피처를 포함하는 평면형 샘플의 영역에 작용하도록 여기 빔을 다이렉팅하는 단계를 포함하는데, 이 측벽은 그 위에 얇은 필름을 가진다. 여기 빔에 응답하여 샘플로부터 방출된 X-레이 형광(XRF)이 측정되고, 그 측벽 상의 얇은 필름의 두께는 그 강도를 기초로 산정된다. 다른 방법으로, 샘플 표면 층의 오목부의 너비, 및 폴리싱 후 그 오목부내에 증착된 재료의 두께가 XRF를 사용하여 측정된다.
여기 빔, X-레이 형광(XRF), 필름, 두께-
公开(公告)号：KR101341873B1
公开(公告)日：2013-12-17
申请号：KR1020070029198
申请日：2007-03-26
Applicant: 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: 검사방법은샘플의표면위에오버레이된, 제1 및제2 박막층에각각형성된제1 및제2 특징부를포함하는상기샘플의영역에조사하도록 X선의빔을지향시키는단계를포함한다. 상기제1 및제2 특징부로부터회절된 X선의패턴은상기제1 및제2 특징부의정렬을추정하기위해검출되고분석된다.
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