公开(公告)号：WO2011078483A2

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/KR2010/008193

申请日：2010-11-19

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  고상란 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

Inventor： 고상란 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  김미영 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76

CPC classification number: C07F7/0852 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명은 유기실란계 중합체의 말단에, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 유도된 치환기를 포함하는 미세 갭필용 중합체 및 이를 포함하는 미세 갭필용 조성물을 제공한다. [화학식 1] HOOC-(CH 2 ) l -R 1 2 Si-O-SiR 1 ' 2 -(CH 2 ) l -COOH 상기 화학식 1에서 R 1 , R 1 ', 및 l의 정의는 명세서에 기재한 바와 같다. 이로써, 본 발명은 상기 우수한 갭필 특성 및 보관안정성을 가지는 미세 갭필용 조성물을 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 집적회로 디바이스를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及精细间隙填充聚合物和包含其的细间隙填充组合物，并且包括在其末端具有由式1表示的化合物作为取代基的有机硅烷聚合物体系。 [式1] HOOC-（CH 2）l -R 1 2Si-O-SiR 1'2（CH 2）1 -COOH，其中式1的R 1，R 1'和l在描述中定义和描述。 因此。 本发明提供一种使用具有优异的间隙填充能力和良好的储存稳定性特征的精细间隙填充组合物来制造集成电路半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2011081321A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008849

申请日：2010-12-10

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 화학식 1로 표시되는 구조단위 40 내지 80 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다.　 이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种抗蚀剂底层的组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中，有机硅烷类缩聚化合物含有40〜80摩尔％的化学式表示的结构单元 因此，本发明涉及使用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂的底层，以及使用其制造半导体集成电路的方法，能够实现优异的图案转印性的抗蚀剂底层组合物 设备。

公开(公告)号：WO2011081323A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008859

申请日：2010-12-10

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 본 발명의 일 구현예에 따른 포토레지스트 하층막용 조성물은(A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산 수지, 및 (B) 용매를 포함한다. [화학식 1] {(SiO 1 .5 -Y-SiO 1 .5 ) x (SiO 2 ) y (XSiO 1 .5 ) z }(OH) e (OR 1 ) f 따라서, 우수한 보관 안정성 및 내에치성(etch resistance)을 가질 수 있고, 표면 물성의 조절이 용이할 수 있으며, 포토레지스트 패턴의 안정적인 형성을 가능하게 한다.

Abstract translation: （A）由下式（1）表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。 1 -Y-SiO 1 1·5 （xSiO _{1 .5 ） z （OH）e（OR 1）因此，可以具有优异的储存稳定性和耐蚀性， 物理性质可以容易地控制，并且可以实现光致抗蚀剂图案的稳定形成。}

公开(公告)号：WO2011081316A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/KR2010/008765

申请日：2010-12-08

Applicant: 제일모직 주식회사 ,  윤희찬 ,  김상균 ,  조현모 ,  김미영 ,  고상란 ,  정용진 ,  김종섭

Inventor： 윤희찬 ,  김상균 ,  조현모 ,  김미영 ,  고상란 ,  정용진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

Abstract: 본 발명에서는 명세서에 기재된 화학식 1로 표시되는 구조단위 10 내지 40 몰%를 포함하는 유기실란계 축중합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물이 제공된다. 이로써, 본 발명은 저장안정성 및 내에칭성이 우수한 레지스트 하층막을 제공하여 우수한 패턴을 전사할 수 있는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种抗蚀剂底层的组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂。 如说明书中的化学式1所示，有机硅烷系缩聚化合物为10摩尔％〜40摩尔％的结构单元。 因此，本发明涉及使用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂的底层以及使用其制造半导体集成电路器件的方法，能够获得优异的图案转印性的抗蚀剂底层组合物 。

公开(公告)号：KR3008842510000S

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：KR3020160005537

申请日：2016-02-04

Applicant: 조현모

Designer： 조현모

公开(公告)号：KR101909674B1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：KR1020170169730

申请日：2017-12-11

Applicant: 윤종희 ,  조현모

Inventor： 윤종희 ,  조현모 ,  조전영

IPC: E01F9/604 ,  E01F9/673

CPC classification number: E01F9/604 ,  E01F9/673

Abstract: 본발명은무용접조립식도로안내표지판및 이의시공방법에관한것으로, 2개이상의표지판을용접을사용하지않고조립하여용접시 발생하는열에의한열변형(뒤틀림등)을방지함으로써평탄성유지를통해양호한시인성을확보하고대형차량의충돌로인한손상부를용이하게교체하는것을목적으로한다. 본발명에의한무용접조립식도로안내표지판은, 표면에도로안내표시가있는판형으로서상호간에상하종방향으로배열되면서마주하는단부가요철결합되는 2개이상의단위표지판과; 상기단위표지판의배면에상하종방향으로배열되어 2개이상의단위표지판을지지하는 1개이상의지지대와; 상기단위표지판에고정되는볼트, 상기볼트에결합되면서상기지지대를상기단위표지판에밀착시키는고정편, 상기볼트에체결되어상기고정편을지지하는너트로이루어진고정수단을포함하고, 상기단위표지판은, 판상의단위표지판본체, 상기단위표지판본체의배면에횡방향을따라일체로형성되며상기볼트의머리가삽입고정되도록내부에후방을향해개방되는레일홈이구비된고정레일을포함하고, 상기고정수단은상기볼트가상기고정레일에고정되면서상기고정편이상기지지대를상기단위표지판에밀착시키면서상기볼트와연결되며상기너트가상기볼트에체결됨으로써상기단위지지판과지지대를조립한다.