公开(公告)号：WO2012161451A2

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/KR2012/003782

申请日：2012-05-15

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  윤의준 ,  하신우

Inventor： 윤의준 ,  하신우

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0657 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 발명에서는 기판과 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이에 의한 응력 발생과 그로 인한 기판 휘어짐 현상을 조절하기 위해서, 희생층을 기판 위에 형성하고 다양한 방법으로 패터닝한 후, 그 위에 무기물 박막을 형성하고 나서 선택적으로 희생층을 제거하여, 기판 위에 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)을 형성하는 반도체 박막 형성 방법 및 이러한 방법으로 형성된 반도체 박막 구조를 제안한다.

Abstract translation: 公开了使用该方法形成半导体薄膜和半导体薄膜结构的方法。 为了防止由基板和氮化物半导体之间的晶格常数和热膨胀系数差引起的应力以及由此导致的基板翘曲，该方法包括：在基板上形成牺牲层并通过各种方法图案化该层; 并在其上形成无机薄膜，并且选择性地除去牺牲层以便在衬底上形成空腔，所述空腔由衬底和无机薄膜限定。