公开(公告)号：WO2013024921A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/KR2011/006039

申请日：2011-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  황석민 ,  하해수 ,  김재윤 ,  한재호

Inventor： 황석민 ,  하해수 ,  김재윤 ,  한재호

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하는 반도체 발광소자 제공한다. 본 발명에서 제안하는 반도체 발광소자를 사용할 경우, n형 및 p형 전극 간 거리가 균일하여 전극의 특정 영역에 전류가 집중되는 현상이 최소화될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其在本发明的一个实施例中包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的有源层和p型半导体层; 形成在与n型半导体层的上表面不同于第一区域的第二区域上的n型电极，与n型半导体层电连接，并且设置有n型焊盘，并且第一和第二n 型手指; 以及p型电极，形成在p型半导体层上，与p型半导体层电连接，并具有p型焊盘和p型指状物。 当使用本发明中描述的半导体发光器件时，n型和p型电极之间的距离是恒定的，并且可以将在电极的特定区域集中的电流最小化。

公开(公告)号：WO2013022129A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/KR2011/005776

申请日：2011-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  황석민 ,  한재호 ,  김재윤 ,  하해수 ,  이수열 ,  김제원

Inventor： 황석민 ,  한재호 ,  김재윤 ,  하해수 ,  이수열 ,  김제원

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14

Abstract: 본 발명은 텍스쳐(texture) 효과를 통해 광추출 효율(Light Extraction Efficiency)이 향상된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 위에 형성되며, 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 발광구조물의 상하면을 관통하도록 형성된 복수개의 관통홀을 구비하는 광추출 패턴;을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种由于纹理效应而具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光元件，包括：发光结构，其形成在基板上，并且包括第一导电氮化物半导体层，第二导电氮化物半导体 层和夹在其间的活性层; 电连接到第一导电氮化物半导体层的第一电极; 电连接到第二导电氮化物半导体层的第二电极; 以及具有位于第一和第二电极之间的多个通孔并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面的光提取图案。

公开(公告)号：WO2013018938A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/KR2011/005589

申请日：2011-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  김재윤 ,  김제원 ,  이진복 ,  황석민 ,  하해수 ,  이수열

Inventor： 김재윤 ,  김제원 ,  이진복 ,  황석민 ,  하해수 ,  이수열

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 일부 영역에 해당하는 제1 영역 위에 형성된 활성층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층 상면 중 상기 제1 영역과 다른 제2 영역 위에 형성되어 상기 n형 반도체층과 전기적으로 연결되며, n형 패드와 제1 및 제2 n형 핑거를 구비하는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층 상에 형성되어 상기 p형 반도체층과 전기적으로 연결되며, p형 패드 및 p형 핑거를 구비하는 p형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 발광구조물을 이루고, 상기 발광구조물의 상부에서 보았을 때, 상기 n형 및 p형 핑거는 서로 교차하도록 서로 중첩되는 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供一种半导体发光元件，包括：n型半导体层; 形成在对应于n型半导体层的上表面的一部分的第一区域上的活化层和p型半导体层; n型电极，其形成在n型半导体层的顶表面的与第一区不同的第二区上并与n型半导体层电连接，并且具有n型 垫和第一和第二n型手指; 以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接并且设置有p型焊盘和p型指状物。 n型半导体层，活化层和p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观察时，半导体发光元件具有以下区域： n型和p型手指重叠以便彼此相交。