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公开(公告)号：WO2011034335A2
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/KR2010/006289
申请日：2010-09-15
Applicant: 주성엔지니어링(주) , 허승회
Inventor： 허승회
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091
Abstract: 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 고주파 전력과 공정 가스가 공급되는 상부 전극; 전기적으로 접지되도록 상기 상부 전극의 상부에 설치된 접지부재; 및 상기 상부 전극과 상기 접지 부재의 각 에지 부분 사이에 전기적으로 접속되어 상기 상부 전극의 각 에지부에 인가되는 전류 분포를 증가시키기 위한 복수의 리액턴스 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种通过使在腔室的等离子体反应空间之间产生的等离子体密度均匀化而在基板上均匀地形成薄膜的等离子体处理装置， 用于提供反应空间的腔室; 衬底支撑部件，其安装在腔室内以支撑衬底; 设置在所述腔室内的上电极，以面对所述基板支撑部件并被供应高频功率和工艺气体; 接地构件，设置在上部电极的上部以便电接地; 并且它的特征在于，电连接在上电极的每一个边缘部和接地部件之间包括多个电抗元件的用于增加的电流分布被施加到所述上电极的每一个边缘部分。
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