-
公开(公告)号：CN219284422U
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202221274490.0
申请日：2022-05-24
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: G01F23/56 , B65D90/48 , B65D90/00 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型提供一种液体存储装置以及原子层沉积设备，该液体存储装置包括：储液容器，包括容器壁且构造为存储液态的前驱体材料；液位传感器，设置在所述储液容器的容器壁上，且从所述储液容器的外部延伸到所述储液容器内部，构造为检测所述储液容器内所述液态的前驱体材料的液位；振动器，在所述储液容器外部且连接到所述液位传感器，构造为带动所述液体传感器振动。通过设置连接到液位传感器的振动器，避免了液位传感器因粘附材料而导致的工作异常，使其能够实时反映储液容器内液体的液位,从而避免机台停机、报警、膜厚异常以及更换储液罐导致的成本上升等问题。
-
公开(公告)号：CN120082870A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202411719548.1
申请日：2024-11-28
Applicant: ASM , IP私人控股有限公司
Abstract: 一种制造金属制品的方法，包括：由块状金属材料形成工件主体；通过将块状金属材料暴露于臭氧(O3)，由块状金属材料形成覆盖块状金属材料的金属氧化物层；以及将陶瓷层沉积到金属氧化物层上。块状金属材料包括铝和镍中的一种，还描述了金属制品和包括金属制品的半导体处理系统。
-
公开(公告)号：CN120072720A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411687984.5
申请日：2024-11-25
Applicant: ASM , IP私人控股有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/67
Abstract: 公开了负载锁定装置、包括这种负载锁定装置的半导体处理系统以及用于在这种负载锁定装置内执行并行过程的相关方法。所公开的负载锁定装置包括对准组件，其设置在负载锁定主体内，并且配置用于在降低负载锁定主体内的压力的同时对准负载锁定主体的内部内的衬底。
-
-
公开(公告)号：CN120060807A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411711089.2
申请日：2024-11-27
Applicant: ASM , IP私人控股有限公司
Abstract: 提出了一种衬底预加热模块。根据本公开的实施例，该模块包括：室，其配置成从设备前端模块(EFEM)接收一个以上衬底；第一开口，其设置在邻近EFEM的室的壁上；气体入口，其配置为将第一气体从外气体源输送到室中；第一阀，其设置在气体入口处，并配置为控制第一气体进入室的输入；排气口，其配置为从室中泵出第一气体；第二阀，其设置在排气口处，并配置为控制第一气体从室的排出；以及加热器，其配置为加热室中的第一气体。该模块还可以包括控制器以控制阀和加热器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120015619A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411604379.7
申请日：2024-11-12
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: H01L21/311 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B43/27 , H10B43/35
Abstract: 提供了一种在反应室中处理衬底的方法，更具体地，提供了一种增加SiCN层的湿蚀刻速率以从形成在阶梯结构上的SiCN层减少突出物的方法。该方法包括在施加功率时同时供应含碳硅源和氮气，随后进行后处理，其中SiCN层的湿蚀刻速率由供应的氮源量调节。
-
公开(公告)号：CN119920681A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411509272.4
申请日：2024-10-28
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
Abstract: 本公开涉及形成含稀土层的方法、设备和结构。该方法包括在处理室内提供衬底，并在衬底上沉积含稀土层。沉积含稀土层的过程包括将稀土前体提供到处理室中，将金属前体提供到处理室中，以及将一种或多种非金属元素反应物提供到处理室中。该设备包括处理室、用于将稀土前体和金属前体供应到处理室中的前体供应单元以及用于将一种或多种非金属元素反应物供应到处理室中的反应物供应单元。
-
公开(公告)号：CN119920672A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411496576.1
申请日：2024-10-25
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244 , H01L21/67 , H01L21/66 , G01D5/243
Abstract: 公开了一种具有检测晶片在处理期间是否被松开的能力的衬底处理系统。本公开的系统的实施例包括：反应室，其设置有上电极和下电极，并配置为处理晶片；射频发生器，其配置为产生高频功率以在反应室中处理晶片；匹配单元，其设置在反应室和发生器之间，并配置为匹配从发生器产生的高频功率以在反应室中使用；相移检测器，其并联连接到反应室，并配置为检测进入上电极的信号和从下电极出来的信号之间的相移；以及控制器，其连接到相移检测器，并配置为接收参数，确定和显示晶片的状态。
-
公开(公告)号：CN119913480A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411508177.2
申请日：2024-10-28
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/687 , B23P15/00
Abstract: 一种室主体包括具有上壁、侧壁和下壁的陶瓷焊接件。上壁通过侧壁与上壁焊接联接到侧壁，并且包括通过上壁肋段焊接联接到上壁板的上壁肋段。侧壁通过侧壁与下壁焊接联接到下壁。下壁具有下壁板部分和从其延伸的下壁肋部分，这两部分都是使用减材制造技术由单个陶瓷工件形成，下壁板部分由此限定下壁未焊接肋状区域，其包括由下壁的下壁肋部分限定的多个下壁肋段。还描述了室装置、半导体处理系统以及为室装置和半导体处理系统中的室主体制造陶瓷焊接件的方法。
-
公开(公告)号：CN119913479A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411509086.0
申请日：2024-10-28
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 提供了通过气相沉积形成镁铟锌氧化物(MIZO)层的方法。在一些实施例中，用于形成MIZO层的循环沉积过程包括沉积循环，该沉积循环包括在反应室中交替且顺序地使衬底与气相铟前体、气相锌前体、气相镁前体和氧反应物接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8765
records
(took 0.035 seconds)
