公开(公告)号：TW202018121A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108135694

申请日：2019-10-02

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI ,  財津優 ,  ZAITSU, MASARU

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02

Abstract: 一種在具有凹槽圖案之基板上形成碳化矽膜的方法，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高，該方法包括(i)以脈衝形式向置放有該基板之反應空間中供應有機矽烷前驅物，該前驅物具有式RSiH3，其中R為包括至少一個不飽和鍵之含烴部分；(ii)向該反應空間中連續供應電漿產生性氣體，該電漿產生性氣體選自由惰性氣體及氫化物氣體組成之群；(iii)向該反應空間連續施加RF功率以產生電漿，該電漿激發該前驅物；及(iv)重複步驟(i)至(iii)，藉此在該基板上形成碳化矽膜，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高。

Abstract in simplified Chinese: 一种在具有凹槽图案之基板上形成碳化硅膜的方法，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高，该方法包括(i)以脉冲形式向置放有该基板之反应空间中供应有机硅烷前驱物，该前驱物具有式RSiH3，其中R为包括至少一个不饱和键之含烃部分；(ii)向该反应空间中连续供应等离子产生性气体，该等离子产生性气体选自由惰性气体及氢化物气体组成之群；(iii)向该反应空间连续施加RF功率以产生等离子，该等离子激发该前驱物；及(iv)重复步骤(i)至(iii)，借此在该基板上形成碳化硅膜，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高。

公开(公告)号：TWI693632B

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：TW107116804

申请日：2018-05-17

Applicant: 荷蘭商ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 胡加勒 羅伯特 ,  HUGGARE, ROBERT

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683

公开(公告)号：TW201947059A

公开(公告)日：2019-12-16

申请号：TW108114718

申请日：2019-04-26

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 湯福 ,  TANG, FU ,  羅伊 黛芬妮 ,  LONGRIE, DELPHINE ,  徐鵬富 ,  HSU, PENG-FU

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  H01L21/283

Abstract: 揭露一種藉由循環沉積於基板上沉積氧化物膜之方法。該方法可包含：利用該循環沉積製程之第一子循環的至少一沉積循環，將金屬氧化物膜沉積於基板上；以及利用該循環沉積製程之第二子循環的至少一沉積循環，將氧化矽膜直接沉積於該金屬氧化物膜上。此外亦揭露半導體裝置結構，其包含有本發明方法沉積而成之氧化物膜。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种借由循环沉积于基板上沉积氧化物膜之方法。该方法可包含：利用该循环沉积制程之第一子循环的至少一沉积循环，将金属氧化物膜沉积于基板上；以及利用该循环沉积制程之第二子循环的至少一沉积循环，将氧化硅膜直接沉积于该金属氧化物膜上。此外亦揭露半导体设备结构，其包含有本发明方法沉积而成之氧化物膜。

公开(公告)号：TWI675936B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：TW104105965

申请日：2015-02-25

Applicant: 荷蘭商ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 豪金斯 馬克 ,  HAWKINS, MARK ,  哈雷克 布萊德利 李奧納多 ,  HALLECK, BRADLEY LEONARD ,  科斯恩內特 湯姆 ,  KIRSCHENHEITER, TOM ,  荷莎 班傑明 ,  HOSSA, BENJAMIN ,  波特波姆 克雷 ,  POTTEBAUM, CLAY ,  米斯奇斯 克勞迪歐 ,  MISKYS, CLAUDIO

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/08

公开(公告)号：TWI646611B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：TW102126071

申请日：2013-07-22

Applicant: ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 馬夸特 大衛 ,  MARQUARDT, DAVID ,  蘇格古 約翰 ,  SHUGRUE, JOHN

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TWI641716B

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：TW103139014

申请日：2014-11-11

Applicant: ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 威克勒 傑瑞德 李 ,  WINKLER, JERELD LEE

IPC: C23C16/26

公开(公告)号：TW201840889A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW106135925

申请日：2017-10-19

Applicant: 美商ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 湯福 ,  TANG, FU ,  吉凡斯 麥可 尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE ,  謝 琦 ,  XIE, QI ,  蔣曉強 ,  JIANG, XIAOQIANG ,  瑞薩能 派提 ,  RAISANEN, PETRI ,  卡爾卡 寶琳 ,  CALKA, PAULINE

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/02

Abstract: 本發明揭示用於鈍化高遷移率半導體表面之改良方法及系統及利用該等方法形成的結構及裝置。該方法包括將高遷移率半導體表面提供至反應器之反應腔室，且使該高遷移率半導體表面曝露於氣相含硫族化物前驅體以鈍化該高遷移率半導體表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示用于钝化高迁移率半导体表面之改良方法及系统及利用该等方法形成的结构及设备。该方法包括将高迁移率半导体表面提供至反应器之反应腔室，且使该高迁移率半导体表面曝露于气相含硫族化物前驱体以钝化该高迁移率半导体表面。

公开(公告)号：TW201837985A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106143559

申请日：2017-12-12

Applicant: 荷蘭商ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 科納本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  馬耶斯 珍 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  鍾布勒德 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  卡赫爾 克日什托夫 卡米爾 ,  KACHEL, KRZYSZTOF KAMIL ,  皮爾陸克斯 迪特 ,  PIERREUX, DIETER ,  狄 羅 大衛 庫爾特 ,  DE ROEST, DAVID KURT

IPC: H01L21/033

Abstract: 提供一種在基板上形成層之方法，其係以硬遮罩材料設置於該基板。該硬遮罩材料在N次浸潤循環期間藉由以下用浸潤材料浸潤：a)向反應腔室中之該基板上之硬遮罩材料設置第一前驅體持續第一時間段T1；b)移除該第一前驅體之一部分持續第二時間段T2；及，c)向該基板上之硬遮罩材料設置第二前驅體持續第三時間段T3，使得該第一及第二前驅體彼此反應，形成該浸潤材料。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种在基板上形成层之方法，其系以硬遮罩材料设置于该基板。该硬遮罩材料在N次浸润循环期间借由以下用浸润材料浸润：a)向反应腔室中之该基板上之硬遮罩材料设置第一前驱体持续第一时间段T1；b)移除该第一前驱体之一部分持续第二时间段T2；及，c)向该基板上之硬遮罩材料设置第二前驱体持续第三时间段T3，使得该第一及第二前驱体彼此反应，形成该浸润材料。

公开(公告)号：TW201837979A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106143570

申请日：2017-12-12

Applicant: 荷蘭商ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 狄 羅 大衛 庫爾特 ,  DE ROEST, DAVID KURT ,  科納本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  卡赫爾 克日什托夫 ,  KACHEL, KRZYSZTOF

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 揭示一種用於在一半導體處理裝置內形成一結構之裝置及方法。該裝置包括一第一反應腔室，該第一反應腔室經組構以固持具有一第一層之至少一個基板。該裝置亦包括一前驅體遞送系統，該前驅體遞送系統經組構以藉由將一第一前驅體及一第二前驅體依序脈衝至該基板上而執行浸潤。該裝置亦可包括一第一移除系統，該第一移除系統經組構以用於移除設置於該基板上之該第一層之至少一部分，同時留下一浸潤材料，其中浸潤及移除該第一層之至少一部分發生於同一個半導體處理裝置內。亦揭示一種在一半導體處理裝置內形成一結構之方法，該方法包括在一反應腔室中提供用於處理之一基板，該基板具有設置於該基板上之一第一層。該方法亦可包括藉由將一第一前驅體及一第二前驅體依序脈衝至該基板上而執行一第一層浸潤，其中一浸潤材料自該第一前驅體及該第二前驅體的反應而形成於該第一層中。該方法亦可包括在執行浸潤之後移除設置於該基板上之該第一層之至少一部分，其中浸潤及移除該第一層之至少一部分發生於同一個半導體處理裝置內。

Abstract in simplified Chinese: 揭示一种用于在一半导体处理设备内形成一结构之设备及方法。该设备包括一第一反应腔室，该第一反应腔室经组构以固持具有一第一层之至少一个基板。该设备亦包括一前驱体递送系统，该前驱体递送系统经组构以借由将一第一前驱体及一第二前驱体依序脉冲至该基板上而运行浸润。该设备亦可包括一第一移除系统，该第一移除系统经组构以用于移除设置于该基板上之该第一层之至少一部分，同时留下一浸润材料，其中浸润及移除该第一层之至少一部分发生于同一个半导体处理设备内。亦揭示一种在一半导体处理设备内形成一结构之方法，该方法包括在一反应腔室中提供用于处理之一基板，该基板具有设置于该基板上之一第一层。该方法亦可包括借由将一第一前驱体及一第二前驱体依序脉冲至该基板上而运行一第一层浸润，其中一浸润材料自该第一前驱体及该第二前驱体的反应而形成于该第一层中。该方法亦可包括在运行浸润之后移除设置于该基板上之该第一层之至少一部分，其中浸润及移除该第一层之至少一部分发生于同一个半导体处理设备内。

公开(公告)号：TW201833374A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106127948

申请日：2017-08-17

Applicant: ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 蔣曉強 ,  JIANG, XIAOQIANG ,  湯福 ,  TANG, FU ,  謝 琦 ,  XIE, QI ,  卡爾卡 寶琳 ,  CALKA, PAULINE ,  鄭相鎬 ,  JUNG, SUNG-HOON ,  吉凡斯 麥可 尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本發明係關於用於鈍化半導體表面之系統及方法。該方法包括將該半導體表面提供至反應器之反應室，在該反應室中使該半導體表面曝露於氣相含金屬之前驅體及使該半導體表面曝露於氣相含硫族化物之前驅體。該等方法亦包括使用該氣相含金屬之前驅體及該氣相含硫族化物之前驅體鈍化該半導體表面以形成鈍化的表面。用於鈍化半導體表面之系統可包括：反應器；以流體方式耦接於該反應器的含金屬之前驅體源；及以流體方式耦接於該反應器的含硫族化物之前驅體源，其中該含金屬之前驅體源向該反應器之反應室提供氣相含金屬之前驅體，並且其中該含硫族化物之前驅體源向該反應器之反應室提供氣相含硫族化物之前驅體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于用于钝化半导体表面之系统及方法。该方法包括将该半导体表面提供至反应器之反应室，在该反应室中使该半导体表面曝露于气相含金属之前驱体及使该半导体表面曝露于气相含硫族化物之前驱体。该等方法亦包括使用该气相含金属之前驱体及该气相含硫族化物之前驱体钝化该半导体表面以形成钝化的表面。用于钝化半导体表面之系统可包括：反应器；以流体方式耦接于该反应器的含金属之前驱体源；及以流体方式耦接于该反应器的含硫族化物之前驱体源，其中该含金属之前驱体源向该反应器之反应室提供气相含金属之前驱体，并且其中该含硫族化物之前驱体源向该反应器之反应室提供气相含硫族化物之前驱体。