公开(公告)号：TW200633021A

公开(公告)日：2006-09-16

申请号：TW095103699

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 製造含有相對高含量的置換性摻雜劑之含矽薄膜之方法包括使用三矽烷及摻雜劑前驅體進行之化學氣相 積法。可獲得極高含量之置換性併入，包括含有2.4原子％或更多置換性碳之結晶矽薄膜。置換性摻雜之含矽薄膜可藉由在 積過程中引入蝕刻劑氣體而選擇性地 積於混合基板之結晶表面上。

Abstract in simplified Chinese: 制造含有相对高含量的置换性掺杂剂之含硅薄膜之方法包括使用三硅烷及掺杂剂前驱体进行之化学气相 积法。可获得极高含量之置换性并入，包括含有2.4原子％或更多置换性碳之结晶硅薄膜。置换性掺杂之含硅薄膜可借由在 积过程中引入蚀刻剂气体而选择性地 积于混合基板之结晶表面上。