Abstract:
The invention relates to a voltage changer circuit for switching a multitude of turn-on voltage levels at which for each phase (R, S, T), a first switching group (1) or, alternatively, n additional first switching groups (1.1,..., 1.n) are provided, n being = 1. In order to reduce the stored energy of the voltage changer circuit and to increase the indifference to and reduce losses, a second switching group (5) and a third switching group (6) are provided, each being constituted by a first gate turn-off switch (7, 8) with passive uncontrolled electronic component with unidirectional current flow direction, connected in an anti-parallel manner, and a second gate turn-off switch (9, 10) with a passive uncontrolled electronic component with unidirectional current flow direction, connected in an anti-parallel manner, by a capacitor (4, 14) and by a relief network (11, 12). The second switching group (5) is connected to the first controlled bidirectional power semiconductor switch (2) of the first switching group (1) and the third switching group (6) is connected to the second controlled bidirectional power semiconductor switch (3) of the first switching group (1). The circuit also has a first protective device (15) and a second protective device (16).
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, bei der für jede Phase (R, S, T) eine erste Schaltgruppe (1) oder alternativ zusätzlich n weitere erste Schaltgruppen (1.1,..., 1.n) vorgesehen sind, wobei n ≥ 1 ist. Zur Verringerung der gespeicherten Energie der Umrichterschaltung sowie zur Erhöhung der Unempfindlichkeit und Verringerung von Verlusten ist eine zweite Schaltgruppe (5) und eine dritte Schaltgruppe (6) vorgesehen, wobei die zweite Schaltgruppe (5) und die dritte Schaltgruppe (6) mit der ersten Schaltgruppe (1) verbunden ist. Zum Schutz der Bauelemente der ersten Schaltgruppe (1) bzw. der ersten Schaltgruppen (1.1,…, 1.n) sowie der Bauelemente der zweiten und dritten Schaltgruppe (5, 6) gegen Fehlerzustände, insbesondere im Kurzschlussfall, gegen Überspannungen und Überströme ist eine erste und zweite Schutzeinrichtung (15, 16) vorgesehen.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, die für jede Phase (R, S. T) n erste Schaltgruppen (1.1,…, 1.n) aufweist, wobei die n-te erste Schaltgruppe (1.n) durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) gebildet ist und die erste erste Schaltgruppe (1.1) bis zur (n-1)-ten (Schaltgruppe) (1.(n-1)) jeweils durch einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (4) gebildet sind, wobei jede der n ersten Schaltgruppen (1.1,…,1.n) verkettet mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe (1.1,…,1.n) verbunden ist und der erste und der zweite ansteuerbare bidirektionale Leistungshalbleiterschalter (2, 3) der ersten ersten Schaltgruppe (1.1) miteinander verbunden sind. Zur Verringerung der gespeicherten elektrischen Energie der Umrichterschaltung ist n ≥ 1 und sind p zweite Schaltgruppen (5.1,…,5.p) und p dritte Schaltgruppen (6.1,…,6.p) vorgesehen, welche jeweils einen erten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (7, 8), einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (9, 10) und durch einen Kondensator (13, 14) aufweist, wobei p ≥ 1 ist. Jede der p zweiten Schaltgruppen (5.1,…,5.p) ist verkettet mit der jeweils benachbarten zweiten Schaltgruppe (5.1,…,5.p) verbunden und jede der p dritten Schaltgruppen (6.1,…,6.p) ist verkettet mit der jeweils benachbarten dritten Schaltgruppe (6.1,…,6.p) verbunden. Ferner weist die erste zweite und die erste dritte Schaltgruppe (5.1, 6.1) jeweils einen zu dem jeweiligen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (9, 10) antiseriell geschalteten dritten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (11, 12) auf, wobei erste zweite Schaltgruppe (5.1) mit dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (2) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist und die erste dritte Schaltgruppe (6.1) mit dem zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (3) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist und der Kondensator (13) der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) mit dem Kondensator (14) der p-ten dritten Schaltgruppe (6.p) seriell verbunden ist.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus, die n für jede Phase (R, S, T) vorgesehene erste Schaltgruppen (1.1,..., 1.n) aufweist, wobei die n-te erste Schaltgruppe (1.n) durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) gebildet ist und die erste erste Schaltgruppe (1.1) bis zur (n-1)-ten Schaltgruppe (1.(n-1)) jeweils durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (4) gebildet sind, wobei jede der n ersten Schaltgruppen (1.1,..., 1.n) parallel mit der jeweils benachbarten ersten Schaltgruppe (1.1,...,1.n) verbunden ist und der erste und der zweite Leistungshalbleiterschalter (2, 3) der ersten ersten Schaltgruppe (1.1) miteinander verbunden sind. Zur Verringerung der gespeicherten elektrischen Energie der Umrichterschaltung ist n ≥ 1 und sind p zweite Schaltgruppen (5.1, ..., 5.p) und p dritte Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) vorgesehen, welche jeweils durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (4) gebildet sind, wobei p ≥ 1 ist und jede der p zweiten Schaltgruppen (5.1, ..., 5.p) parallel mit der jeweils benachbarten zweiten Schaltgruppe (5.1, ..., 5.p) verbunden ist und jede der p dritten Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) parallel mit der jeweils benachbarten dritten Schaltgruppe (6.1,..., 6.p) verbunden ist und die erste zweite Schaltgruppe (5.1) mit dem ersten Leistungshalbleiterschalter (2) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist und die erste dritte Schaltgruppe (6.1) mit dem zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist. Ferner ist der Kondensator (4) der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) mit dem Kondensator (4) der p-ten dritten Schaltgruppe (6.p) seriell verbunden.
Abstract:
Es wird eine Blindleistungskompensationseinrichtung, insbesondere zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben mit n für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen ersten Schaltgruppen (1.1,..., 1.n), wobei n > 1 ist. Zur Verringerung der gespeicherten Energie der Blindleistungskompensationseinrichtung sind p zweite Schaltgruppen (5.1 5.p) und p dritte Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) vorgesehen, welche jeweils einen ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (7, 8, 9, 10) und einen Kondensator (11, 12) aufweisen, wobei p > 1 und die erste zweite und die erste dritte Schaitgruppe (5.1, 6.1 ) jeweils einen zu dem jeweiligen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (9, 10) antiseriell geschalteten dritten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (25, 26) aufweist. Ferner sind m vierte Schaltgruppen (13.1, ..., 13. m), m fünfte Schaltgruppen (14.1, ..., 14.m) und m sechste Schaltgruppen (15.1, ..., 15. m) vorgesehen, welche jeweils einen ersten und zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (16, 17, 18, 19, 20, 21 ) und einen Kondensator (22, 23, 24) aufweisen, wobei m > 2 ist und jede der vierten Schaltgruppen (13.1, ..., 13. m) verkettet mit der jeweils benachbarten vierten Schaltgruppe (13.1, ..., 13. m) verbunden ist, jede der fünften Schaltgruppen (14.1 14. m) verkettet mit der jeweils benachbarten fünften Schaltgruppe (14.1, ..., 14.m) verbunden ist und jede der sechsten Schaltgruppen (15.1, ..., 15. m) verkettet mit der jeweils benachbarten sechsten Schaltgruppe (15.1, ..., 15. m) verbunden ist. Weiterhin weist die erste vierte, die erste fünfte und die erste sechste Schaltgruppe (13.1, 14.1, 15.1 ) jeweils einen zu dem jeweiligen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (19, 20, 21 ) antiseriell geschalteten dritten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (27, 29, 30) auf und die erste fünfte Schaltgruppe (14.1 ) einen zu dem ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (17) antiseriell geschalteten vierten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (28) auf, wobei die erste vierte Schaltgruppe (13.1 ) mit der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) verbunden ist, die erste fünfte Schaltgruppe (14.1) mit dem Verbindungspunkt der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) mit der p-ten dritten Schaltgruppe (6.p) verbunden ist und die erste sechste Schaltgruppe (15.1 ) mit der p-ten dritten Schaltgruppe (6.p) verbunden ist. Die Kondensatoren (22, 23, 24) der m-ten vierten, fünften und sechsten Schaltgruppe (13.m, 14.m, 15.m) sind seriell miteinander verbunden.
Abstract:
Die Erfindung schafft eine Schaltungsanordnung zur elektrischen Leistungssteuerung mit mindestens einer Leistungssteuereinrichtung (201a-201c, 202a-202c) und mindestens einer Wärmeableiteinrichtung (101a-101c), wobei die mindestens eine Wärmeableiteinrichtung (101a-101c) einen thermischen Kontakt mit der mindestens einen Leistungssteuereinrichtung (201a-201c, 202a-202c) aufweist. Die Wärmeableiteinrichtung (101a-101c) ist auf ein fest vorgegebenes elektrisches Potential (103a-103c) klemmbar und elektrisch isoliert von der mindestens einen Leistungssteuereinrichtung (201a-201c, 202a-202c) angeordnet.
Abstract:
Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, bei der für jede Phase (R, S, T) eine erste Schaltgruppe (1) vorgesehen ist. Zur Verringerung der gespeicherten Energie der Umrichterschaltung sowie zur Platzeinsparung sind n zweite Schaltgruppen (4.1,...4.n) vorgesehen, welche jeweils einen ersten, zweiten, dritten, vierten, fünften und sechsten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (5, 6, 7, 8, 9, 10) und einen Kondensator (11) aufweisen. Für n > 1 ist jede der n zweiten Schaltgruppen (4.1,...4.n) verkettet mit der jeweils benachbarten zweiten Schaltgruppe (4.1,...4.n) und die erste Schaltgruppe (1) ist mit der ersten zweiten Schaltgruppe (4.1) verbunden. Ferner ist eine dritte Schaltgruppe (12) und eine vierte Schaltgruppe (13) vorgesehen, wobei die dritte Schaltgruppe (12) mit der n-ten zweiten Schaltgruppe (4.n) verbunden ist, die vierte Schaltgruppe (13) mit der n-ten zweiten Schaltgruppe (4.n) verbunden ist, und die dritte Schaltgruppe (12) mit der vierten Schaltgruppe (13) verbunden ist.
Abstract:
Die Erfindung schafft eine Übertragungsvorrichtung zur Übertragung elektrischer Energie von einer primärseitigen Schaltungseinrichtung (100) zu einer sekundärseitigen Schaltungseinrichtung (200) über eine Potentialtrenneinrichtung (300). Die zu übertragende elektrische Energie wird in einer Energieversorgungseinheit (102) der primärseitigen Schaltungseinrichtung (100) erzeugt und von einem Leistungshalbleiterbauelement (204) der sekundärseitigen Schaltungseinrichtung (200) aufgenommen. Primärseitig und sekundärseitig sind Signalkopplungseinrichtungen (106, 208) zur Ein- und Auskopplung von Steuer- und Statussignalen (403, 111, 211 ) vorgesehen, die zusammen mit elektrischer Energie zwischen der primärseitigen Schaltungseinrichtung (100) und der sekundärseitigen Schaltungseinrichtung (200) über die Potentialtrenneinrichtung (300) bidirektional potentialfrei übertragen werden.
Abstract:
Es wird eine Blindleistungskompensationseinrichtung, insbesondere zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben mit n für jede Phase (R, S, T) vorgesehenen ersten Schaltgruppen (1.1,..., 1.n), wobei n > 2 ist. Zur Verringerung der gespeicherten Energie der Blindleistungskompensationseinrichtung sind p zweite Schaltgruppen (5.1, ..., 5.p) und p dritte Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) vorgesehen, wobei p > 1, und m vierte Schaltgruppen (13.1, ..., 13.m), m fünfte Schaltgruppen (14.1 14.m) und m sechste Schaltgrup-pen (15.1, ..., 15.m) vorgesehen, welche jeweils einen ersten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbieiterschalter (16, 17, 18), einen zweiten ansteuerbaren bidirektionalen Leistungshalbleiterschalter (19, 20, 21) und einen Kondensator (22, 23, 24) aufweisen, wobei m > 1 ist und jede der vierten Schaltgruppen (13.1 13.m) verkettet mit der jeweils benachbarten vierten Schaltgruppe (13.1, ..., 13.m) verbunden ist, jede der fünften Schaltgruppen (14.1, ..., 14.m) verkettet mit der jeweils benachbarten fünften Schaltgruppe (14.1, ..., 14. m) verbunden ist und jede der sechsten Schaltgruppen (15.1, ..., 15.m) verkettet mit der jeweils benachbarten sechsten Schaltgruppe (15.1, ..., 15.m) verbunden ist. Die erste vierte Schaltgruppe (13.1) ist mit der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) verbunden, die erste fünfte Schaltgruppe (14.1) ist mit dem Verbindungspunkt der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) mit der p- ten dritten Schaltgruppe (6.p) verbunden und die erste sechste Schaltgruppe (15.1) ist mit der p-ten dritten Schaltgruppe (6.p) verbunden. Die Kondensatoren (22, 23, 24) der m-ten vierten, fünften und sechsten Schaltgruppe (13.m, 14.m, 15.m) sind seriell miteinander verbunden.