公开(公告)号：WO2004036312A2

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：PCT/DE0303381

申请日：2003-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  AIXUV GMBH ,  DOMKE WOLF-DIETER ,  JUSCHKIN LARISSA ,  KRAGLER KARL ,  LEBERT RAINER ,  MEISEN MANFRED

Inventor： DOMKE WOLF-DIETER ,  JUSCHKIN LARISSA ,  KRAGLER KARL ,  LEBERT RAINER ,  MEISEN MANFRED

IPC: G01J1/42 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G21K1/10 ,  G21K5/04

CPC classification number: G21K5/04 ,  G01J1/044 ,  G01J1/429 ,  G03F7/70558 ,  G21K1/10

Abstract: The invention concerns an irradiation device for testing objects coated with light-sensitive paint, comprising a EUV radiation source, an optical system for filtering the radiation of the EUV radiation source, a chamber for receiving the object, as well as systems for intersecting the trajectory of the rays on the object. The invention also concerns a method for operating such a device. The invention aims at obtaining as quickly as possible an illumination at least partly simultaneous of several irradiation fields, with different doses, by using an inexpensive laboratory radiation source without resorting to complex optical systems. Therefor, the invention provides a device comprising a simplified and compact optical system, with closable diaphragm apertures located in front of the object to be irradiated and at least one control sensor placed on the trajectory of the rays and enabling the radiation dose to be measured.

Abstract translation: 本发明涉及涂覆有与EUV辐射源，用于过滤来自EUV辐射源，用于接收所述对象的腔室中的辐射的光学系统的感光涂层的物体进行检测照射的装置的装置，以及用于中断对象上的光束路径中。 此外，本发明涉及一种操作这种设备的方法。 为了允许使用便宜的实验室辐射源和没有复杂的光学系统中，多个与在最短的时间内不同的剂量辐照场的至少部分同时曝光，是具有简化和紧凑的光学系统的装置，在对象前面闭孔被照射和至少一个 提出布置在用于辐射剂量测量光束路径监视探测器。

公开(公告)号：WO2004057425A1

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：PCT/DE2003/004236

申请日：2003-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DOMKE, Wolf-Dieter ,  KRAGLER, Karl ,  LOWACK, Klaus ,  SCHWARZL, Siegfried

Inventor： DOMKE, Wolf-Dieter ,  KRAGLER, Karl ,  LOWACK, Klaus ,  SCHWARZL, Siegfried

IPC: G03F7/38

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/38

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Behandlung eines Resistsystems für die Herstellung eines Halbleiterbauelementes, wobei das Resistsystem (1) polare und / oder geladenen Bestandteile aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Belichten des Resistsystems (1) auf ein Substrat (2) das Resistsystem (1) einem elektrischen Feld (10) zur Beeinflussung der Bewegung der polaren und / oder geladenen Bestandteile des Resistsystems (1) ausgesetzt wird. Damit kann die laterale Diffusion von geladenen und / oder polaren Bestandteilen des Reistsystems verringert oder verhindert werden._________________________________

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，以及用于治疗用于生产半导体装置的抗蚀剂系统的装置，其中，所述抗蚀剂系统（1）具有极性和/或带电荷的组件，其特征在于所述抗蚀剂系统（1）的基板上的曝光（2）之后 抗蚀剂系统（1）的电场（10），用于影响抗蚀剂系统（1）的极性和/或带电部件的移动被中止。 因此，横向扩散可被减少或从充电和/或系统的Reist极性组分防止._________________________________

公开(公告)号：WO2004031858A3

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：PCT/DE0303178

申请日：2003-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DOMKE WOLF-DIETER ,  KIRCH OLIVER ,  KRAGLER KARL ,  LOWACK KLAUS

Inventor： DOMKE WOLF-DIETER ,  KIRCH OLIVER ,  KRAGLER KARL ,  LOWACK KLAUS

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392

Abstract: The invention relates to a resist system for lithography methods for the production of semiconductor components at wavelengths of 0.1 -150 nm, characterised by at least one polymer or copolymer comprising at least one acid-labile group. The invention also relates to the use of a resist system and a lithography method, whereby it is possible to obtain high sensitivity, especially in the EUV range, and no limitation of the process window occurs by undesirable cross-linking in the resist system, even at high doses of exposure.

Abstract translation: 本发明涉及的抗蚀剂系统，用于光刻工艺用于生产半导体器件中的在0.1至150纳米范围内的波长，其特征在于由至少一种聚合物或共聚物具有至少一个酸不稳定基团。 此外，本发明涉及一种使用该抗蚀剂系统和光刻工艺。 这使得有可能特别是在可用的EUV范围内的高灵敏度来提供，在相同的时间，但没有进入工艺窗口的限制，即使在高曝光剂量由不希望的交联在抗蚀剂系统。

公开(公告)号：WO1996031913A1

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：PCT/DE1996000497

申请日：1996-03-22

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  HAMMERSCHMIDT, Albert ,  DOMKE, Wolf-Dieter ,  NÖLSCHER, Christoph ,  SUCHY, Peter

Inventor： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

IPC: H01M08/10

CPC classification number: H01M4/926 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1069 ,  H01M2300/0082 ,  Y02P70/56

Abstract: Proposed is a fuel cell with a proto-permeable membrane, on each side of which is disposed catalytic material and a collector, the fuel cell being characterized by the following features: the inwards-facing sides of the collectors (16, 18) are coated with a layer of electrically conducting, gas-permeable charcoal aerogel with a surface roughness of

Abstract translation: 与质子传导膜，催化剂材料和各自设置在两侧的集电的燃料电池，其特征在于以下特征：所述收集器（16，18），其上面对侧有导电气体可渗透的碳隔膜（14） 具有<2微米的粗糙度提供气凝胶，在碳气凝胶是在每种情况下由铂或铂合金沉积的材料配合的催化剂层（15，17），所述催化剂层之间的（15，17）是等离子体化学沉积膜（14） 与图3和50微米之间的层厚度。

公开(公告)号：WO2004036312A3

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：PCT/DE2003/003381

申请日：2003-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  AIXUV GMBH ,  DOMKE, Wolf-Dieter ,  JUSCHKIN, Larissa ,  KRAGLER, Karl ,  LEBERT, Rainer ,  MEISEN, Manfred

Inventor： DOMKE, Wolf-Dieter ,  JUSCHKIN, Larissa ,  KRAGLER, Karl ,  LEBERT, Rainer ,  MEISEN, Manfred

IPC: G01J1/42

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Testbestrahlung von mit photoempfindlichen Lacken beschichteten Objekten mit einer EUV-Strahlungsquelle, einem optischen System zur Filterung der Strahlung der EUV-Strahlungsquelle, einer Kammer zur Aufnahme des Objektes sowie Mitteln zum Unterbrechen des Strahlengangs auf das Objekt. Außerdem betrifft die Erfindung ein Betriebsverfahren für eine derartige Vorrichtung. Um unter Verwendung einer preiswerten Labor-Strahlungsquelle und ohne aufwändige optische Systeme eine zumindest teilweise gleichzeitige Belichtung mehrerer Bestrahlungsfelder mit unterschiedlicher Dosis in möglichst kurzer Zeit zu ermöglichen, wird eine Vorrichtung mit vereinfachtem und kompakten optischen System, verschließbaren Blendenöffnungen vor dem zu bestrahlenden Objekt sowie mindestens einem im Strahlengang angeordneten Monitor-Detektor für die Strahlungsdosismessung vorgeschlagen.

公开(公告)号：WO2004031858A2

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：PCT/DE2003/003178

申请日：2003-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DOMKE, Wolf-Dieter ,  KIRCH, Oliver ,  KRAGLER, Karl ,  LOWACK, Klaus

Inventor： DOMKE, Wolf-Dieter ,  KIRCH, Oliver ,  KRAGLER, Karl ,  LOWACK, Klaus

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Resistsystem für Lithographieverfahren für die Herstellung von Halbleiterbauelementen bei Wellenlängen im Bereich von 0,1 bis 150 nm, gekennzeichnet durch mindestens ein Polymer oder Copolymer mit mindestens einer säurelabile Gruppen. Ferner betrifft die Erfindung eine Verwendung des Resistsystems sowie ein Lithographieverfahren. Damit ist es möglich, insbesondere im EUV-Bereich eine hohe Empfindlichkeit zur Verfügung zu stellen, wobei gleichzeitig aber auch bei hohen Belichtungsdosen keine Einschränkung des Prozessfensters durch unerwünschte Quervernetzung im Resistsystem eintritt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造波长范围为0.1-150nm的半导体器件的光刻工艺的抗蚀剂系统，其特征在于至少一种聚合物或共聚物具有至少一个s / he。 urelabile群体。 此外，本发明涉及抗蚀剂系统和光刻工艺的用途。 因此，尤其在EUV范围内可以提供高灵敏度，但同时即使在高曝光剂量下，也不会由于抗蚀剂体系中的不希望的交联而限制工艺窗口。