隆起特徴部を有する熱圧着
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019523983A

    公开(公告)日:2019-08-29

    申请号:JP2018560114

    申请日:2016-06-09

    Abstract: 第1及び第2のシリコン基板を提供するステップと、第1及び第2のシリコン基板の少なくとも1つに隆起特徴部を提供するステップと、第1及び第2のシリコン基板上に金層を形成するステップと、前第1の基板を第2の基板に対して押圧して、隆起特徴部の周りに熱圧着を形成するステップとを含む。対向する表面上の隆起特徴部によってもたらされる高い初期圧力は、隆起特徴部の破砕を伴わずにハーメチックな接合を提供し、隆起特徴部を対向する表面に完全に埋め込むことによって、2つの接合面が接触することを可能にする。この大きな接触面積は高強度を提供する。 【選択図】 図3a

    MEMS dual substrate switch with magnetic actuation

    公开(公告)号:US11594389B2

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:US17200954

    申请日:2021-03-15

    Abstract: Systems and methods for forming a magnetostatic MEMS switch include forming a movable beam on a first substrate, forming the electrical contacts on a second substrate, and coupling the two substrates using a hermetic seal. A shunt bar on the movable plate may close the switch when lowered onto the contacts. The switch may generally be closed, with the shunt bar resting on the contacts. However, a magnetically permeable material may also be inlaid into the movable plate. The switch may then be opened by placing either a permanent magnet or an electromagnet in proximity to the switch.

    CONTACT SURFACE FOR MEMS DEVICE
    7.
    发明申请

    公开(公告)号:US20190341211A1

    公开(公告)日:2019-11-07

    申请号:US16515678

    申请日:2019-07-18

    Abstract: Systems and methods for forming an electrostatic MEMS switch that is used to hot switch a source of current or voltage. At least one surface of the MEMS switch is treated with an ion milling machine to reduce surface roughness to less than about 10 nm rms.

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